WL2815低功耗CMOSLDO(低压差线性稳压器)
产品描述:
WL2815系列是一款低压差线性稳压器,专为电池供电系统提供高性能解决方案,以实现低静态电流。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列设计用于使用低成本陶瓷电容器,确保输出电流的稳定性,提高效率,从而延长这些便携式设备的电池寿命。WL2815稳压器采用DFN1x1-4L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
静态电流:1.5μA(典型值)
输入电压:2.1V~5.5V
输出电压:1.1V~3.3V
输出电流:@VOUT=3.3V时为300mA
输出电流:@VOUT=2.0V时为200mA
输出电流:@VOUT=1.5V时为150mA
压差电压:@100mA时为100mV
推荐电容器:1uF或更大
工作温度:-40°C至+85°C
输出短路保护
应用领域:
MP3/MP4播放器
手机
蓝牙耳机
无线鼠标
其他电子设备
WL2815是专为便携式设备设计的低功耗CMOS稳压器,性能优异,低静态电流,高效能,延长电池寿命。优化设计,使用低成本陶瓷电容器,在多种应用中提供稳定输出。适用于MP3/MP4播放器、手机、蓝牙耳机等。紧凑封装,符合环保标准,是现代电子设备的理想选择。详情查阅数据手册或联系我们。 WD1042E-5/TR DC-DC电源芯片 封装:SOT-23-5L。规格书WILLSEMI韦尔ESD73111CZ
ESD5341N:单线、单向、低电容瞬态电压抑制器
ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。
其主要特性包括:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)
· 低电容:CJ=1.0pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域包括:
· USB接口
· HDMI接口
· DVI
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护,特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。 规格书WILLSEMI韦尔WNM5002ESD5B5VL-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-523。
ESD5451X是一款双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD5451X可提供高达±30kV(接触和空气放电)的ESD保护,并可根据IEC61000-4-5标准承受高达8A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅、无卤素。
特点:
· 反向截止电压:±5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±30kV(接触和空气放电)
· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
· IEC61000-4-5(浪涌):8A(8/20μs)
· 电容:CJ=17.5pFtyp
· 低漏电流:IR<1nAtyp
· 低钳位电压:VCL=9Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用:
· 手机
· 平板
· 电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD5451X是高性能瞬态电压抑制器,保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力影响。适用于手机、平板、笔记本等便携式设备,双向保护,应对极端电气环境。低漏电流、低钳位电压,不影响设备正常工作。固态硅技术,稳定可靠。各方面保护现代电子设备,消费者和制造商的理想选择。详情查阅手册或联系我们。
ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器(TVS),专为可能遭受静电放电(ESD)的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器(MLV),并广泛应用于消费设备,如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。
特性:
· 极低电容:CJ=0.5pFtyp
· 极低漏电流:IR<1nAtyp
· 低箝位电压:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
· 根据IEC61000-4-2标准,每条线提供±20kV(接触和空气放电)的瞬态保护
· 根据IEC61000-4-4标准,提供40A(5/50ns)的EFT保护
· 根据IEC61000-4-5标准,可承受4A(8/20μs)的浪涌电流
应用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护,使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比,ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流,以及更低的箝位电压,从而提供了更好的性能。此外,其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口,ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD54231N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。
ESD5301N:低电容单线单向瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过度应力影响。
包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。
采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
1、截止电压:5V
2、根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
5、低电容:CJ=0.4pFtyp.
6、低漏电流:IR<1nAtyp.
7、低钳位电压:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固态硅技术
应用领域:
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便携式电子产品和笔记本电脑
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持,请随时联系我们。 WS742905S-8/TR 运算放大器 封装:SOP-8。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56211D04
WPM1481-6/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-6L(2x2)。规格书WILLSEMI韦尔ESD73111CZ
ESD5471X1线双向瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD5471X可用于提供高达±30kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达6A的峰值脉冲电流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
反向截止电压:±5V
根据IEC61000-4-2(ESD)标准,每条线路的瞬态保护:±30kV(接触和空气放电)
IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)
电容:CJ=9pF(典型值)
低漏电流
低钳位电压:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域:
手机
平板电脑
笔记本电脑
其他便携式设备
网络通信设备
ESD5471X是专为保护敏感电子组件设计的双向瞬态电压抑制器,能抵御静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力。其优越的保护能力和低漏电流特性使其成为手机、平板、笔记本等便携式设备及网络通信设备的理想保护元件。采用固态硅技术,既高性能又紧凑,方便集成。详情请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD73111CZ