企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

WD3139:高效38V升压型白色LED驱动器

产品描述

     WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED,电流限制为1.2A,过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制(PWM)信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行,以减少输出纹波、提高转换效率,并允许使用小型外部组件。

   封装与环保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封装,标准产品为无铅和无卤素。

产品特性:

输入电压范围:2.7~5.5V

开路LED保护:38V(典型值)

参考电压:200mV(±5%)

开关频率:1MHz(典型值)

效率:高达92%

主开关电流限制:1.2A(典型值)

PWM调光频率:5KHz至200KHzPWM

调光占空比:0.5%~100%

应用领域:

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

    WD3139是一款专为串联白色LED设计的高效驱动器。提供1.2A电流限制和38V过压保护,确保LED稳定安全。支持PWM调光,1MHz开关频率提升转换效率并减少输出纹波。适用于智能手机、平板等便携设备的LED背光或指示灯。小巧封装且环保,是理想选择。详情请查阅数据手册或联系我们。 ESD5305F-6/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOT-23-6。代理分销商WILLSEMI韦尔SPD91071W

代理分销商WILLSEMI韦尔SPD91071W,WILLSEMI韦尔

      WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。

特性:

沟槽技术

超高密度单元设计

优异的ON电阻,适用于更高的直流电流

极低的阈值电压

小型SOT-23封装

应用:

继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器

DC-DC转换器电路

电源开关

负载开关

充电应用

    WPM1483是一款P沟道功率MOSFET,采用先进沟槽技术,具有低RDS(ON)和低栅极电荷,适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流,极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装,无铅无卤素,环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关,驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNM3053WPM3401-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23-3L。

代理分销商WILLSEMI韦尔SPD91071W,WILLSEMI韦尔

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比(PSRR)、低压降的CMOS线性稳压器,具有出色的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。所有标准产品均不含铅和卤素,符合环保要求。

特点与优势:

· 输出电流折返

· 宽输入电压范围:2V至5.5V

· 可调输出电压:0.8V至5V

· 输出电流:300mA

· 低功耗:静态电流典型值为75μA,关机电流小于1μA

· 低压降:在输出电流为0.3A时,压降为141mV。

· 电源抑制比:在1kHz、输出电压为3V时,PSRR高达70dB

· 低输出电压噪声:典型值为12μVRMS

· 输出电压容差:±2%

· 推荐电容器:建议使用1μF的电容器以优化性能

· 封装与环保:SOT-23-5L

应用领域:

· MP3/MP4播放器

· 手机、无线电话、数码相机

· 蓝牙、无线手持设备

· 其他便携式电子设备

    WL2811EA系列以其出色的性能、灵活的输出电压调整、高效的电流管理以及环保的封装特性,成为便携式电子设备的理想电源解决方案。无论是音频播放、通信还是无线连接,它都能为设备提供稳定、高效的电源支持。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。

    ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器(TVS),专为可能遭受静电放电(ESD)的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器(MLV),并广泛应用于消费设备,如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。

特性:

· 极低电容:CJ=0.5pFtyp

· 极低漏电流:IR<1nAtyp

· 低箝位电压:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

· 根据IEC61000-4-2标准,每条线提供±20kV(接触和空气放电)的瞬态保护

· 根据IEC61000-4-4标准,提供40A(5/50ns)的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准,可承受4A(8/20μs)的浪涌电流

应用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

     ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护,使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比,ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流,以及更低的箝位电压,从而提供了更好的性能。此外,其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口,ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5311Z-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN0603-2L。

代理分销商WILLSEMI韦尔SPD91071W,WILLSEMI韦尔

    WD3168:5V/300mA开关电容电压转换器,它能够从一个非稳压输入电压中产生一个稳定、低噪声、低纹波的5V输出电压。即使在VIN大于5V的情况下,它也能维持5V的稳压输出。它能够以小巧的封装提供≧300mA的电流。当负载电流在典型条件下低于4mA时,WD3168会进入跳模模式,此时其静态电流会降低到170uA。只需3个外部电容器即可产生输出电压,从而节省PCB空间。

    此外,其软启动功能在开机和电源瞬态状态下会限制涌入电流。WD3168内置了电流限制保护功能,适合HDMI、USBOTG和其他电池供电的应用。SOT-23-6L封装,并在-40℃至+85℃的环境温度范围内工作。

   其主要特性包括:

1、 输出电流为300mA

2、宽输入电压范围:2.7V至5.5V

3、固定输出电压为5.0V

4、双倍电荷泵

5、较小外部元件:无需电感器

6、高频操作:1.7MHz

7、自动软启动限制涌入电流

8、低纹波和EMI

9、过热和过流保护

10、无负载条件下典型静态电流为170uA(跳模模式)

   其应用领域包括:

1、3V至5V的升压转换

2、USBOn-The-Go或HDMI5V供电

3、从较低轨道提供的本地5V供电

4、电池备份系统

5、手持便携式设备

    WD3168是一种效率高、可靠的电源IC,适用于各种需要5V稳定输出的应用场景。如需更详细的信息或产品规格书请联系我们。 ESD5641D12-3/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN-3L(2x2)。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD54231N

ESD56031N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔SPD91071W

     WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管,利用先进的沟槽和电荷控制设计,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。

主要特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 适用于高直流电流的优异导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域:

· 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动

· DC-DC转换器电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电电路

    WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性能、高效能的半导体器件,专为现代电子设备中的电源管理和开关应用而设计。其采用先进的沟槽技术和电荷控制设计,确保了出色的RDS(ON)和低栅极电荷,从而提供了高效的电流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度单元设计使其在高直流电流下仍能保持优异的导通电阻,确保了高效的能量转换和散热。同时,极低的阈值电压保证了快速的开关响应和稳定的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔SPD91071W

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