代理分销商WILLSEMI韦尔WS72551

     ESD5451X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD5451X可提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护，并可根据IEC61000-4-5标准承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅、无卤素。

特点：

· 反向截止电压：±5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±30kV（接触和空气放电）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）

· 电容：CJ=17.5pFtyp

· 低漏电流：IR<1nAtyp

· 低钳位电压：VCL=9Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用：

· 手机

· 平板

· 电脑

· 笔记本电脑

· 其他便携式设备

· 网络通信设备

     ESD5451X是高性能瞬态电压抑制器，保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力影响。适用于手机、平板、笔记本等便携式设备，双向保护，应对极端电气环境。低漏电流、低钳位电压，不影响设备正常工作。固态硅技术，稳定可靠。各方面保护现代电子设备，消费者和制造商的理想选择。详情查阅手册或联系我们。 WD3133E-5/TR DC-DC电源芯片 封装：SOT-23-5L。代理分销商WILLSEMI韦尔WS72551

    WD3168：5V/300mA开关电容电压转换器，它能够从一个非稳压输入电压中产生一个稳定、低噪声、低纹波的5V输出电压。即使在VIN大于5V的情况下，它也能维持5V的稳压输出。它能够以小巧的封装提供≧300mA的电流。当负载电流在典型条件下低于4mA时，WD3168会进入跳模模式，此时其静态电流会降低到170uA。只需3个外部电容器即可产生输出电压，从而节省PCB空间。

    此外，其软启动功能在开机和电源瞬态状态下会限制涌入电流。WD3168内置了电流限制保护功能，适合HDMI、USBOTG和其他电池供电的应用。SOT-23-6L封装，并在-40℃至+85℃的环境温度范围内工作。

   其主要特性包括：

1、 输出电流为300mA

2、宽输入电压范围：2.7V至5.5V

3、固定输出电压为5.0V

4、双倍电荷泵

5、较小外部元件：无需电感器

6、高频操作：1.7MHz

7、自动软启动限制涌入电流

8、低纹波和EMI

9、过热和过流保护

10、无负载条件下典型静态电流为170uA（跳模模式）

   其应用领域包括：

1、3V至5V的升压转换

2、USBOn-The-Go或HDMI5V供电

3、从较低轨道提供的本地5V供电

4、电池备份系统

5、手持便携式设备

    WD3168是一种效率高、可靠的电源IC，适用于各种需要5V稳定输出的应用场景。如需更详细的信息或产品规格书请联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNM02142DRSPD9811B-2/TR 半导体放电管（TSS）封装：SMB。

    WS3222是一款具有可调OVLO（过压锁定）阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时，该设备将关闭内部MOSFET，断开输入到输出的连接，以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时，WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整，OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度，以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。

特点：

· 输入电压：29V

· 导通电阻：45mΩ（典型值）

· 超快OVP响应时间：450ns（典型值）

· 可调OVLO

· 阈值电压：4V~15V

应用：

· 手机和平板电脑

· 便携式媒体播放器

· STB、OTT（机顶盒、互联网电视）

· 汽车DVR、汽车媒体系统外设

    WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值，为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用，符合环保标准。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述：

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性：

· 截止电压：±3.3VMax

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏电流低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。 ESD5451Z-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN0603-2L。

    ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器（TVS），专为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器（MLV），并广泛应用于消费设备，如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。

特性：

· 极低电容：CJ=0.5pFtyp

· 极低漏电流：IR<1nAtyp

· 低箝位电压：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

· 根据IEC61000-4-2标准，每条线提供±20kV（接触和空气放电）的瞬态保护

· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准，可承受4A（8/20μs）的浪涌电流

应用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

     ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护，使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比，ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流，以及更低的箝位电压，从而提供了更好的性能。此外，其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口，ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5311N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：X1-DFN1006-2。规格书WILLSEMI韦尔ESD5452NL

ESD5411N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔WS72551

    WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。

主要特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 优异的开启电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

   WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术，提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备，且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WS72551