企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

    WL2801E系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器,具有优异的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了经济高效的新一代性能。其电流限制器的折回电路不止作为短路保护,还在输出引脚处作为输出电流限制器。

产品特点:

· 输入电压范围:2.7V至5.5V

· 输出电压范围:1.2V至3.3V

· 输出电流:在输出电压小于2V时,典型值为200mA;在输出电压大于2V时,典型值为300mA。

· 电源抑制比(PSRR):在217Hz时达到75dB

· 压差电压:在输出电流为200mA时,压差为170mV

· 静态电流:典型值为70μA

· 关断电流:小于0.1μA

· 推荐电容器:1uF

应用领域:

· MP3/MP4播放器

· 手机和无线电话

· 数码相机

· 蓝牙和无线手持设备

· 其他便携式电子设备

    WL2801E系列以其高精度、低噪声和高效能的特点,为现代便携式设备提供了理想的电源管理解决方案。无论是手机、笔记本电脑还是MP3播放器,它都能确保设备在长时间使用中保持出色的性能和稳定的电力供应。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM2046-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-3L(1x0.6)。规格书WILLSEMI韦尔ESD73431CZ

规格书WILLSEMI韦尔ESD73431CZ,WILLSEMI韦尔

WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。

其主要特性包括:

· 沟槽技术

· 超高密度的单元设计

· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流

· 小型SOT-23-3L封装

应用领域包括:

· 笔记本电脑的电源管理

· 便携式设备

· 电池供电系统

· DC/DC转换器

· 负载开关

      WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNMD2188ESD9N12BA-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。

规格书WILLSEMI韦尔ESD73431CZ,WILLSEMI韦尔

WNM2021:单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET

产品描述

    WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域:

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

     WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外,WNM2021作为无铅产品,符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。

    WPM3407是一款使用先进沟槽技术制成的器件,其特点是在低门极电荷下提供出色的RDS(ON)。这种器件非常适合用于DC-DC转换应用。

特点:

    RDS(ON)出色:RDS(ON)是指器件在导通状态下的电阻,3407通过先进的沟槽技术实现了低RDS(ON),这意味着在器件导通时,其电阻较小,从而减小了能量损失。低门极电荷:门极电荷是描述开关器件从关闭到打开或从打开到关闭所需电荷量的参数。3407的低门极电荷可以更快地开关,从而减少开关损耗。无铅:符合环保要求,适用于对无铅产品有需求的场合。

应用:

    笔记本电脑的电源管理:3407可以用于笔记本电脑中的DC-DC转换器,以提供稳定的电源。

    便携式设备:由于它的快速开关和低能量损失,3407也适用于各种便携式设备,如智能手机、平板电脑等。

    电池供电系统:在电池供电的应用中,减少能量损失和延长电池寿命是非常重要的,3407的出色RDS(ON)和低门极电荷特性使其成为电池供电系统的理想选择。

    DC/DC转换器:这是3407的主要应用之一,用于将一种直流电压转换为另一种直流电压。

    负载开关:3407可以用于控制电路的通断,实现负载开关的功能。

    如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD63011N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。

规格书WILLSEMI韦尔ESD73431CZ,WILLSEMI韦尔

    WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。

特性:

· 输入电压范围:2.5~5.5V

· 主开关RON:80mΩ@VIN=5V

· 持续输出电流:1.0A

· 电流限制阈值:1.5A(典型值)

· 电流限制精度:±20%

· 输出短路电流:0.7A(典型值)

· 自动放电反向阻断(无“体二极管”)

· 过温保护

应用:

· USB外设USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害,确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统,WS4601都提供出色的性能和保护机制,确保设备正常运行。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 ESD5302N-3/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-3L。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM65627DV

WL2803K33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-89-5。规格书WILLSEMI韦尔ESD73431CZ

    WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器,具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)等特点。在500mA的负载电流下,其压降只有130mV(典型值)。这使得它在需要高输出电流的消费者和网络应用中极具吸引力。

特性:

· 输入电压范围:2.5V至5.5V

· 输出电压范围:1.2V至3.3V,步长为0.1V

· 输出电流:500mAPSRR(电源抑制比):在1KHz时为65dB

· 压降电压:在IOUT=0.5A时为130mV

· 输出噪声:100uV

· 静态电流:典型值为150μA

此外,WL2803E系列还具备热关断(OTP)和电流限制功能,以确保在异常条件下芯片和电源系统的稳定性。同时,采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。

应用:

· LCD电视

· 机顶盒(STB)

· 计算机、图形卡

· 网络通信设备

· 其他便携式电子设备

    WL2803E系列CMOSLDO为现代电子设备提供稳定电源,具有极

低压降、低静态电流和高电源抑制比,有效减少电源噪声干扰。宽输出电压范围和微调技术满足各种应用需求,适用于LCD电视、机顶盒和计算机通信设备。紧凑封装和环保设计使其易于集成。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD73431CZ

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