WL2805N33-3/TR:高效且可靠的瞬态电压抑制器
WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中,由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件,电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现,为这些设备提供了可靠的防护。
这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性,能够在瞬态事件发生时迅速响应,将电压限制在安全范围内,从而保护电路中的敏感组件免受损坏。
此外,WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值,确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中,如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用,WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护,确保设备的稳定运行和延长使用寿命。
安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商,致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器,并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持,请随时联系我们。 ESD5301N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56181W18
WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。
其主要特性包括:
· 沟槽技术
· 超高密度的单元设计
· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流
· 小型SOT-23-3L封装
应用领域包括:
· 笔记本电脑的电源管理
· 便携式设备
· 电池供电系统
· DC/DC转换器
· 负载开关
WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD56381D22WNM4006-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。
ESD5431Z-2/TR:电子设备的瞬态电压守护神
ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制,确保在数据线和控制线受到过应力时,能够迅速抑制电压波动,保护敏感电子元件免受损坏。
这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力,根据IEC61000-4-2标准,它能承受高达±30kV的接触放电,确保在极端情况下仍能有效保护电路,能够承受高达40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集成更为便捷,同时无铅和不含卤素的标准也符合环保要求。
无论是手机、计算机还是微处理器,它都能为这些设备提供坚实的电压保护,确保它们在各种恶劣环境下都能稳定运行。应用在工业、医疗还是消费电子领域等。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5431Z-2/TR这款ESD,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。
ESD5311Z单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述
ESD5311Z是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止因静电放电(ESD)而产生的过应力。ESD5311Z包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD5311Z可用于提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
截止电压:5V
每条线路根据IEC61000-4-2(ESD)标准进行瞬态保护:±20kV(接触放电)
根据IEC61000-4-4(EFT)标准进行瞬态保护:40A(5/50ns)
根据IEC61000-4-5(浪涌)标准进行瞬态保护:4A(8/20μs)
极低电容:CJ=0.25pF(典型值)
极低漏电流:IR<1nA(典型值)
低钳位电压:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)
应用领域
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD5311Z专为高速数据接口设计,极低电容,出色保护,防止静电放电损害。适用于USB、HDMI等接口,保护敏感组件。紧凑封装,适合便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 ESD9N12BA-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。
WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器,具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)等特点。在500mA的负载电流下,其压降只有130mV(典型值)。这使得它在需要高输出电流的消费者和网络应用中极具吸引力。
特性:
· 输入电压范围:2.5V至5.5V
· 输出电压范围:1.2V至3.3V,步长为0.1V
· 输出电流:500mAPSRR(电源抑制比):在1KHz时为65dB
· 压降电压:在IOUT=0.5A时为130mV
· 输出噪声:100uV
· 静态电流:典型值为150μA
此外,WL2803E系列还具备热关断(OTP)和电流限制功能,以确保在异常条件下芯片和电源系统的稳定性。同时,采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。
应用:
· LCD电视
· 机顶盒(STB)
· 计算机、图形卡
· 网络通信设备
· 其他便携式电子设备
WL2803E系列CMOSLDO为现代电子设备提供稳定电源,具有极
低压降、低静态电流和高电源抑制比,有效减少电源噪声干扰。宽输出电压范围和微调技术满足各种应用需求,适用于LCD电视、机顶盒和计算机通信设备。紧凑封装和环保设计使其易于集成。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 ESD9X7V-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD) 封装:FBP-02C。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56181W18
WS72552M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56181W18
ESD5451N:双向瞬态电压保护神
ESD5451N是一款高效的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压侵害而设计。它能承受高达±30kV的接触和空气放电,以及峰值脉冲电流达8A(8/20μs),为低速数据线和控制线提供强大的保护
这款抑制器采用DFN1006-2L封装,具有无铅和无卤素等环保特性。其反向截止电压为±5VMax,电容典型值为17.5pF,漏电流极低,典型值小于1nA。此外,其低钳位电压特性使其在电流脉冲下仍能保持稳定的电压输出。
ESD5451N适用于多种应用场景,包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备,以及网络通信设备等。其出色的瞬态电压抑制能力和稳定性,为电子设备提供了可靠的保障。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,可以提供样品供您测试。如有关于ESD5451N的进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD56181W18