WL2803E:极低压差、500mA、CMOSLDO(低压差线性稳压器
产品描述
WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。由于采用CMOS结构,WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA,使其成为需要高输出电流的消费者和网络应用的理想选择。
WL2803E系列提供从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本,步长为0.1V。WL2803E系列还提供了过热保护(OTP)和限流功能,以确保在错误条件下芯片和电源系统的稳定性,并使用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。
封装与环保信息:WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装,并符合无铅和无卤素环保要求。
产品特性
输入电压:2.5V~5.5V
输出电压:1.2V~3.3V
输出电流:500mA
PSRR:65dB@1KHz
压差电压:130mV@IOUT=0.5A
输出噪声:100uV
静态电流:150μA(典型值)
应用领域
LCD电视
机顶盒(STB)
计算机和图形卡
网络通信设备
其他便携式电子设备
WL2803E是一款高性能LDO,压差低、PSRR高、静态电流低。适用于消费电子产品和网络应用,输出电压准确稳定。具备过热保护和限流功能,增强可靠性。您如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPM2341A-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。规格书WILLSEMI韦尔ESD56131W
ESD5451X是一款双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD5451X可提供高达±30kV(接触和空气放电)的ESD保护,并可根据IEC61000-4-5标准承受高达8A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅、无卤素。
特点:
· 反向截止电压:±5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±30kV(接触和空气放电)
· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
· IEC61000-4-5(浪涌):8A(8/20μs)
· 电容:CJ=17.5pFtyp
· 低漏电流:IR<1nAtyp
· 低钳位电压:VCL=9Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用:
· 手机
· 平板
· 电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD5451X是高性能瞬态电压抑制器,保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力影响。适用于手机、平板、笔记本等便携式设备,双向保护,应对极端电气环境。低漏电流、低钳位电压,不影响设备正常工作。固态硅技术,稳定可靠。各方面保护现代电子设备,消费者和制造商的理想选择。详情查阅手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73021NSPD9112W-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOT-323。
RB521S30肖特基势垒二极管
特性:小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件
应用:低电流整流
介绍:
RB521S30是一款肖特基势垒二极管,它具有一系列出色的特性,使其在各种应用中表现优异。首先,其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装,同时确保了高效的热量散发。其次,高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能,减少了维护和更换的频率。
此外,低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性,它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色,如某些电子设备中的电源管理部分。
值得注意的是,RB521S30是无铅器件,符合现代环保标准。随着全球对环保意识的日益增强,无铅器件已成为许多行业的首要选择。这使得RB521S30在追求高性能的同时,也符合了环保要求。
总的来说,RB521S30肖特基势垒二极管以其小型化、高可靠性、低正向电压和无铅环保等特性,成为低电流整流应用中的理想选择。无论是电子设备制造商还是电路设计工程师,都能从中受益。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。
ESD73011N:单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器
ESD73011N是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD73011N包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。
其主要特性包括:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.40pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=9.5V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域包括:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73011N为需要高速数据传输和严格ESD防护的应用提供了出色的保护。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。 WNM2021-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-323。
ESD5471X1线双向瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD5471X可用于提供高达±30kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达6A的峰值脉冲电流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
反向截止电压:±5V
根据IEC61000-4-2(ESD)标准,每条线路的瞬态保护:±30kV(接触和空气放电)
IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)
电容:CJ=9pF(典型值)
低漏电流
低钳位电压:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域:
手机
平板电脑
笔记本电脑
其他便携式设备
网络通信设备
ESD5471X是专为保护敏感电子组件设计的双向瞬态电压抑制器,能抵御静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力。其优越的保护能力和低漏电流特性使其成为手机、平板、笔记本等便携式设备及网络通信设备的理想保护元件。采用固态硅技术,既高性能又紧凑,方便集成。详情请查阅数据手册或联系我们。 WPM1481-6/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-6L(2x2)。中文资料WILLSEMI韦尔SPD83582C
WL2805N33-3/TR 线性稳压器(LDO)封装:SOT-23-3L。规格书WILLSEMI韦尔ESD56131W
WL2836E:低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO
产品描述:
WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR(电源抑制比)、低压降CMOS线性稳压器,具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有随输出电压变化的折返至高输出电流,因此电流限制功能既作为短路保护,又作为输出电流限制器。WL2836E稳压器采用标准的SOT-23-5L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 输入电压范围:1.4V~5.5V
· 输出电压范围:0.8V~3.3V
· 输出电流:300mA
· 静态电流:50μATyp
· 关机电流:<1μA
· 压降电压:140mV@IOUT=0.3A
· PSRR:78dB@1kHz,VOUT=1.8V
· 低输出电压噪声:20μVRMSTyp
· 输出电压容差:±2%@VOUT>2V
· 推荐电容器:1μF
· 热过载和短路保护
应用领域
· MP3/MP4播放器
· 手机、无线电话、数码相机
· 蓝牙、无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2836E是高性能CMOS线性稳压器,专为低噪声、高PSRR和高速性能的便携式电子设备设计。宽输入电压范围和可调输出电压使其应用灵活。内置折返至高输出电流和电流限制功能,提供额外保护。紧凑SOT-23-5L封装,无铅无卤素,满足环保要求。详情查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD56131W