企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

ESD9B5VL:单线双向瞬态电压抑制器

产品描述

     ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD9B5VL可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并可根据IEC61000-4-5标准承受高达3A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP-02C封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

· 反向截止电压:±5VMax

· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路

· 瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)

· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:20A(5/50ns)

· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:3A(8/20μs)

· 电容:CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏电流:IR<1nAtyp

· 低箝位电压:VCL=13Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域

· 手机

· 平板电脑

· 笔记本电脑

· 其他便携式设备

· 网络通信设备    

    ESD9B5VL是高效的瞬态电压抑制器,保护电子设备免受静电放电等瞬态事件影响。适用于手机、平板等便携式设备,保护敏感电子组件。高保护能力、低泄漏和低箝位电压,稳定可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 WNMD2171-4/TR 场效应管(MOSFET) 封装:CSP-4L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73411Z

代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73411Z,WILLSEMI韦尔

  WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。它采用先进的沟槽技术和设计,具有出色的RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色,尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。

  WPM2015xx的主要特点包括:

1:稳定的走电电压和出色的导电电阻,这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。

2:适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用,这些应用需要精确控制电流和电压。

3:采用无铅、无卤的环保封装,符合现代电子产品的环保要求。

4:具有超高密度电池设计,适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。

5:极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。

  在实际应用中,WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压,WPM2015xx可以实现对电流的精确调节,从而实现对电机等设备的控制。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔SPD81052ARB520S30-2/TR 肖特基二极管 封装:SOD-523。

代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73411Z,WILLSEMI韦尔

WNM2016A:N沟道增强型MOSFET场效应晶体管

产品描述:

WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元

· 设计出色的ON电阻

· 极低的阈值电压


应用领域:

· DC/DC转换器

· 电源转换器

· 电路便携式设备的负载/电源开关      

      WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET,专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能,包括低RDS(ON)和低栅极电荷,从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外,极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择,因为它既能够提供强大的性能,又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路,还是便携式设备的负载/电源开关,WNM2016A都是一个出色的选择,能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。

WL2815低功耗CMOSLDO(低压差线性稳压器)

产品描述:

     WL2815系列是一款低压差线性稳压器,专为电池供电系统提供高性能解决方案,以实现低静态电流。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列设计用于使用低成本陶瓷电容器,确保输出电流的稳定性,提高效率,从而延长这些便携式设备的电池寿命。WL2815稳压器采用DFN1x1-4L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性:

静态电流:1.5μA(典型值)

输入电压:2.1V~5.5V

输出电压:1.1V~3.3V

输出电流:@VOUT=3.3V时为300mA

输出电流:@VOUT=2.0V时为200mA

输出电流:@VOUT=1.5V时为150mA

压差电压:@100mA时为100mV

推荐电容器:1uF或更大

工作温度:-40°C至+85°C

输出短路保护

应用领域:

MP3/MP4播放器

手机

蓝牙耳机

无线鼠标

其他电子设备

    WL2815是专为便携式设备设计的低功耗CMOS稳压器,性能优异,低静态电流,高效能,延长电池寿命。优化设计,使用低成本陶瓷电容器,在多种应用中提供稳定输出。适用于MP3/MP4播放器、手机、蓝牙耳机等。紧凑封装,符合环保标准,是现代电子设备的理想选择。详情查阅数据手册或联系我们。 WL2836D18-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:XDFN-4-EP(1x1)。

代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73411Z,WILLSEMI韦尔

      WL2801E是一款优异的低噪声、高PSRR(电源抑制比)以及高速CMOSLDO(低压差线性稳压器)。其高精度与出色的性能,使其在手机、笔记本电脑以及其他便携式设备中表现出色,为用户提供了前所未有的性价比体验。这款设备不仅具有出色的限流折回电路,能够同时作为短路保护和输出电流限制器,而且采用标准的SOT-23-5L封装,确保产品的环保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括宽输入电压范围(2.7V~5.5V)、灵活的输出电压范围(1.2V~3.3V)、以及高达300mA的输出电流能力。其高达75dB的PSRR在217Hz下表现出色,确保了电源噪声的有效抑制。此外,其低dropout电压(170mV@IOUT=200mA)和极低静态电流(70μA)使得它在低功耗应用中表现突出。

     这款产品的应用领域较广,包括MP3/MP4播放器、手机、无线电话、数码相机、蓝牙和无线手持设备以及其他便携式电子设备。无论是对于追求高性能的设计师,还是对于寻求成本效益的生产商,WL2801E都是理想的选择。

     安美斯科技专注于国产电子元器件的代理分销,并可以提供样品。这体现了我们对产品质量的自信和对客户需求的深入理解。选择安美斯科技,您将获得优异的产品和服务。 WMM7037AT6-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:SMD-4P,3x3.8mm。中文资料WILLSEMI韦尔WL2855E

ESD5341N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73411Z

    WS4508E是一款针对单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器。其内部采用MOSFET架构,无需外部感测电阻和阻断二极管。热反馈机制可以调节充电电流,以在高功率操作或高环境温度下限制芯片温度。充电电压固定为4.2V,而充电电流可以通过一个外部电阻进行编程。

特性:

· 可编程充电电流高达600mA

· 过温保护

· 欠压锁定保护

· 自动再充电阈值典型值为4.05V

· 充电状态输出引脚

· 2.9V涓流充电阈值

· 软启动限制浪涌电流

应用:

· 无线电话

· MP3/MP4播放器

· 蓝牙设备

    WS4508E是一款锂离子电池充电器,适用于便携式电子产品。其内置MOSFET简化了电路设计,降低了成本。其热反馈机制确保了在各种环境下的安全充电。充电电压固定为4.2V,电流可编程,至高600mA,适应不同电池和充电需求。充电结束和电源移除时,自动进入低电流和关机模式,降低功耗。采用SOT-23-5L封装,符合无铅标准,适用于各种电子设备。提供可靠、高效的充电解决方案。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73411Z

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