WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。
特性:
· 输入电压范围:2.5~5.5V
· 主开关RON:80mΩ@VIN=5V
· 持续输出电流:1.0A
· 电流限制阈值:1.5A(典型值)
· 电流限制精度:±20%
· 输出短路电流:0.7A(典型值)
· 自动放电反向阻断(无“体二极管”)
· 过温保护
应用:
· USB外设USB Dongle
· USB 3G数据卡
· 3.3V或5V电源开关
· 3.3V或5V电源分配
WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害,确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统,WS4601都提供出色的性能和保护机制,确保设备正常运行。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 WAS4766C-9/TR 模拟开关 封装:WLCSP-9L。代理分销商WILLSEMI韦尔WS4633C
WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比(PSRR)、低压降的CMOS线性稳压器,具有出色的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。所有标准产品均不含铅和卤素,符合环保要求。
特点与优势:
· 输出电流折返
· 宽输入电压范围:2V至5.5V
· 可调输出电压:0.8V至5V
· 输出电流:300mA
· 低功耗:静态电流典型值为75μA,关机电流小于1μA
· 低压降:在输出电流为0.3A时,压降为141mV。
· 电源抑制比:在1kHz、输出电压为3V时,PSRR高达70dB
· 低输出电压噪声:典型值为12μVRMS
· 输出电压容差:±2%
· 推荐电容器:建议使用1μF的电容器以优化性能
· 封装与环保:SOT-23-5L
应用领域:
· MP3/MP4播放器
· 手机、无线电话、数码相机
· 蓝牙、无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2811EA系列以其出色的性能、灵活的输出电压调整、高效的电流管理以及环保的封装特性,成为便携式电子设备的理想电源解决方案。无论是音频播放、通信还是无线连接,它都能为设备提供稳定、高效的电源支持。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WMM7018ABENR0-3/TRWNM2046-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-3L(1x0.6)。
ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器(TVS),为可能遭受静电放电(ESD)的敏感电子元件提供极高水平的保护。它被设计用于替代消费设备中的多层变阻器(MLV),适用于手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等设备。ESD9X5VL结合了一对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受8/20μs脉冲的峰值电流高达4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封装,标准产品为无铅、无卤素。
特性:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)为每条线路提供瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
· IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=1.2pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD9X5VL是保护高速数据接口免受静电放电损害的瞬态电压抑制器。响应迅速,避免噪声和干扰,高可靠且适用于便携式设备。详情查阅手册或联系我们。
ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计,采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。
技术特性:
· 反向截止电压:7.5V~15V
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs
· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs
· 低钳位电压
· 固态硅技术
应用领域:
· 电源保护
· 电源管理
ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压,为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护,其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2803E25-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。
WNM2021:单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET
产品描述
WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器电路
· 便携式设备的负载/电源切换
WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外,WNM2021作为无铅产品,符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5431Z-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN0603-2L。中文资料WILLSEMI韦尔WNM6006
WNM3003-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。代理分销商WILLSEMI韦尔WS4633C
ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器(TVS),专为可能遭受静电放电(ESD)的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器(MLV),并广泛应用于消费设备,如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。
特性:
· 极低电容:CJ=0.5pFtyp
· 极低漏电流:IR<1nAtyp
· 低箝位电压:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
· 根据IEC61000-4-2标准,每条线提供±20kV(接触和空气放电)的瞬态保护
· 根据IEC61000-4-4标准,提供40A(5/50ns)的EFT保护
· 根据IEC61000-4-5标准,可承受4A(8/20μs)的浪涌电流
应用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护,使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比,ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流,以及更低的箝位电压,从而提供了更好的性能。此外,其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口,ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WS4633C