ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计,采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。
技术特性:
· 反向截止电压:7.5V~15V
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs
· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs
· 低钳位电压
· 固态硅技术
应用领域:
· 电源保护
· 电源管理
ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压,为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护,其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM6001-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。规格书WILLSEMI韦尔ESD9N12BA
WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET
产品描述:
WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要,因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计,提供了出色的导通电阻(RSS(ON))和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· 锂离子电池保护电路
WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET,特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局,而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外,其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2190ESD5451N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。
WS4612:60mΩ电流限制型电源分配开关
产品描述
WS4612是一款具有高侧开关和极低导通电阻的P-MOSFET。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。此外,WS4612还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L两种封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
· 输入电压范围:2.5-5.5V
· 主开关RON:60mΩ@VIN=5.0V
· 电流限制精度:±15%
· 调整电流限制范围:0.1A-2.5A(典型值)
· 典型上升时间:600μS
· 静态供电电流:26μA
· 欠压锁定
· 自动放电
· 反向阻断(无“体二极管”)
· 过温保护
应用领域
· USB外设
· USB Dongle
· USB 3G数据卡
· 3.3V或5V电源开关
· 3.3V或5V电源分配
WS4612是功能丰富的电源分配开关,专为现代电子设备电源管理和保护设计。极低导通电阻和集成电流限制功能,应对高电容负载和短路情况。反向保护和自动放电功能增强安全性。适用于USB外设、数据卡和电源分配,确保设备稳定运行。紧凑封装,环保无铅无卤素设计,易集成。详情查阅数据手册或联系我们。
SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS(瞬态电压抑制器)阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。
主要特性:
· 截止电压:5V
· 每条线路均符合IEC61000-4-2(ESD)标准的瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· 符合IEC61000-4-4(EFT)标准的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 符合IEC61000-4-5(浪涌)标准的瞬态保护:4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=20V@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害,确保信号完整性,承受力强。适合紧凑设备,环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。 WS4518D-6/TR 电池管理 封装:WDFN-6-EP(2x2)。
WD3168:5V/300mA开关电容电压转换器,它能够从一个非稳压输入电压中产生一个稳定、低噪声、低纹波的5V输出电压。即使在VIN大于5V的情况下,它也能维持5V的稳压输出。它能够以小巧的封装提供≧300mA的电流。当负载电流在典型条件下低于4mA时,WD3168会进入跳模模式,此时其静态电流会降低到170uA。只需3个外部电容器即可产生输出电压,从而节省PCB空间。
此外,其软启动功能在开机和电源瞬态状态下会限制涌入电流。WD3168内置了电流限制保护功能,适合HDMI、USBOTG和其他电池供电的应用。SOT-23-6L封装,并在-40℃至+85℃的环境温度范围内工作。
其主要特性包括:
1、 输出电流为300mA
2、宽输入电压范围:2.7V至5.5V
3、固定输出电压为5.0V
4、双倍电荷泵
5、较小外部元件:无需电感器
6、高频操作:1.7MHz
7、自动软启动限制涌入电流
8、低纹波和EMI
9、过热和过流保护
10、无负载条件下典型静态电流为170uA(跳模模式)
其应用领域包括:
1、3V至5V的升压转换
2、USBOn-The-Go或HDMI5V供电
3、从较低轨道提供的本地5V供电
4、电池备份系统
5、手持便携式设备
WD3168是一种效率高、可靠的电源IC,适用于各种需要5V稳定输出的应用场景。如需更详细的信息或产品规格书请联系我们。 WMM7027ATSN1-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:LGA-4(1.9x2.8)。中文资料WILLSEMI韦尔ESD5325E
WS742905M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。规格书WILLSEMI韦尔ESD9N12BA
WAS3157B是一款高性能的单刀双掷(SPDT)CMOS模拟开关,专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻(典型值为5.5Ω)。此外,其SEL引脚具有过压保护功能,允许引脚上的电压超过VCC,至高可达7.0V,而不会损坏部件或影响其操作,无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路,以至小化VCC泄漏电流,即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之,在实际应用中,无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装,标准产品为无铅和无卤素。
特性:
· 电源电压:1.5~5.5V
· 导通电阻:在VCC=4.5V时为5.5Ω-3dB
· 带宽:在CL=5pF时为400MHz
· 断开隔离度:在10MHz时为-69dB
· 低静态电流:<1uA
· 先断后合功能ESD保护:HBM为±8000V,MM为±600V
应用领域:
· 手机
· MID(移动互联网设备)
· 其他便携式设备
WAS3157B是一款功能强大且易于集成的模拟开关解决方案,适用于需要高效、可靠的切换功能的各种便携式设备。其优异的性能和多种保护功能使其成为现代电子设备中的理想选择。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD9N12BA