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WS3202E：过压和过流保护IC

产品描述：

WS3202E是一款集过压保护（OVP）和过流保护（OCP）功能于一体的保护设备。当输入电压或输入电流超过阈值时，该设备会关闭内部MOSFET，断开IN到OUT的连接，以保护负载。此外，过温保护（OTP）功能会监控芯片温度，确保设备安全。封装形式：SOT-23-6L

产品特性：

· 高压技术

· 输入电压：25V

· 输出上电时间：8ms（典型值）

· OVP阈值：6.1V（典型值）

· OVP响应时间：<1us

· OCP阈值：2A（最小值）

· 输出放电功能

应用领域：

· GPS设备

· PMP（便携式媒体播放器）

· MID（移动互联网设备）

· PAD（平板电脑）

· 数码相机

· 数字摄像机

     WS3202E是一款功能强大的过压和过流保护IC，为电子设备提供了双重安全保障。其高压技术、快速响应时间和灵活的输出放电功能使其在各种应用场合中表现出色，特别适用于需要高稳定性和可靠性的电子设备，如GPS、PMP、MID、PAD以及数码相机和摄像机等。WS3202E采用SOT-23-6L封装，方便集成到各种电路板中，同时其无铅和无卤素特性也符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM2046E-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-3L(1x0.6)。中文资料WILLSEMI韦尔WPT2N46

    WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。

特性：

· 输入电压范围：2.5~5.5V

· 主开关RON：80mΩ@VIN=5V

· 持续输出电流：1.0A

· 电流限制阈值：1.5A（典型值）

· 电流限制精度：±20%

· 输出短路电流：0.7A（典型值）

· 自动放电反向阻断（无“体二极管”）

· 过温保护

应用：

· USB外设USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害，确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统，WS4601都提供出色的性能和保护机制，确保设备正常运行。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5302FWS72358M-8/TR 运算放大器 封装：MSOP-8。

    WAS3157B是一款高性能的单刀双掷（SPDT）CMOS模拟开关，专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻（典型值为5.5Ω）。此外，其SEL引脚具有过压保护功能，允许引脚上的电压超过VCC，至高可达7.0V，而不会损坏部件或影响其操作，无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路，以至小化VCC泄漏电流，即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之，在实际应用中，无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装，标准产品为无铅和无卤素。

特性：

· 电源电压：1.5~5.5V

· 导通电阻：在VCC=4.5V时为5.5Ω-3dB

· 带宽：在CL=5pF时为400MHz

· 断开隔离度：在10MHz时为-69dB

· 低静态电流：<1uA

· 先断后合功能ESD保护：HBM为±8000V，MM为±600V

应用领域：

· 手机

· MID（移动互联网设备）

· 其他便携式设备

    WAS3157B是一款功能强大且易于集成的模拟开关解决方案，适用于需要高效、可靠的切换功能的各种便携式设备。其优异的性能和多种保护功能使其成为现代电子设备中的理想选择。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述：

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性：

· 截止电压：±3.3VMax

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏电流低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。 ESDA6V8AV6-6/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOT-563。

WPM3401：单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。

其主要特性包括：

· 沟槽技术

· 超高密度的单元设计

· 优异的导通电阻，适用于更高的直流电流

· 小型SOT-23-3L封装

应用领域包括：

· 笔记本电脑的电源管理

· 便携式设备

· 电池供电系统

· DC/DC转换器

· 负载开关

      WPM3401是一种高性能的功率MOSFET，专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPM2341-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。中文资料WILLSEMI韦尔WMM7035DBHN0-5/TR

ESD5Z5VL-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-523。中文资料WILLSEMI韦尔WPT2N46

    ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电（ESD）引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管，旨在提供优异的ESD保护。

特性：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护：±20kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护：4A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.4pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

    ESD5304D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护接口免受静电放电和其他瞬态事件损害。利用先进固态硅技术，结合极低电容转向二极管和TVS二极管，提供优异保护。能承受±20kV接触放电和其他瞬态事件。极低电容和漏电流不影响数据传输。适用于USB、HDMI、SATA等接口，是电子设备中的关键保护组件。小巧封装且环保，易于集成。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WPT2N46