MEMS制作工艺ICP深硅刻蚀：在半导体制程中，单晶硅与多晶硅的刻蚀通常包括湿法刻蚀和干法刻蚀两种方法各有优劣，各有特点。湿法刻蚀即利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光刻胶掩膜覆盖的部分，而达到刻蚀的目的。因为湿法刻蚀是利用化学反应来进行薄膜的去除，而化学反应本身不具方向性，因此湿法刻蚀过程为等向性。湿法刻蚀过程可分为三个步骤:1)化学刻蚀液扩散至待刻蚀材料之表面;2)刻蚀液与待刻蚀材料发生化学反应;3)反应后之产物从刻蚀材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出。
湿法刻蚀之所以在微电子制作过程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高产能及优越的刻蚀选择比等优点。但相对于干法刻蚀，除了无法定义较细的线宽外，湿法刻蚀仍有以下的缺点:1) 需花费较高成本的反应溶液及去离子水:2) 化学药品处理时人员所遭遇的安全问题:3) 光刻胶掩膜附着性问题;4) 气泡形成及化学腐蚀液无法完全与晶片表面接触所造成的不完全及不均匀的刻蚀 EBL设备制备纳米级超透镜器件的原理是什么？吉林特殊MEMS微纳米加工
MEMS制作工艺深硅刻蚀即ICP刻蚀工艺：硅等离子体刻蚀工艺的基本原理干法刻蚀是利用射频电源使反应气体生成反应活性高的离子和电子，对硅片进行物理轰击及化学反应，以选择性的去除我们需要去除的区域。被刻蚀的物质变成挥发性的气体，经抽气系统抽离，然后按照设计图形要求刻蚀出我们需要实现的深度。干法刻蚀可以实现各向异性，垂直方向的刻蚀速率远大于侧向的。其原理如图所示，生成CF基的聚合物以进行侧壁掩护，以实现各向异性刻蚀刻蚀过程一般来说包含物理溅射性刻蚀和化学反应性刻蚀。对于物理溅射性刻蚀就是利用辉光放电，将气体解离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，溅击在被蚀刻物的表面，而将被蚀刻物质原子击出(各向异性)。对于化学反应性刻蚀则是产生化学活性极强的原(分)子团，此原(分)子团扩散至待刻蚀物质的表面，并与待刻蚀物质反应产生挥发性的反应生成物(各向同性)，并被真空设备抽离反应腔吉林MEMS微纳米加工服务热线MEMS常见的产品-声学传感器。
MEMS四种刻蚀工艺的不同需求：
3.绝缘层上的硅蚀刻即SOI器件刻蚀：先进的微机电组件包含精细的可移动性零组件，例如应用于加速计、陀螺仪、偏斜透镜(tilting mirrors).共振器(resonators)、阀门、泵、及涡轮叶片等组件的悬臂梁。这些许多的零组件，是以深硅蚀刻方法在晶圆的正面制造，接着藉由横方向的等向性底部蚀刻的方法从基材脱离，此方法正是典型的表面细微加工技术。而此技术有一项特点是以掩埋的一层材料氧化硅作为针对非等向性蚀刻的蚀刻终止层，达成以等向性蚀刻实现组件与基材间脱离的结构(如悬臂梁)。由于二氧化硅在硅蚀刻工艺中，具有高蚀刻选择比且在各种尺寸的绝缘层上硅晶材料可轻易生成的特性，通常被采用作为掩埋的蚀刻终止层材料。
MEMS制作工艺-太赫兹传感器：
太赫兹（THz）波凭借其可以穿透大多数不透光材料的特点，在对材料中隐藏物体和缺陷的无损探测方面具有明显的优势。然而，由于受到成像速度和分辨率的束缚，现有的太赫兹探测系统面临着成像通量和精度的限制。此外，使用大阵列像素计数成像的基于机器视觉的系统由于其数据存储、传输和处理要求而遭遇瓶颈。
这项研究提出了一种衍射传感器，该传感器可利用单像素太赫兹探测器快速探测3D样品中的隐藏物体和缺陷，从而避免了样品扫描或图像形成及处理步骤。利用深度学习优化的衍射层，该衍射传感器可以通过输出光谱全光探测样品的3D结构信息，直接指示是否存在隐藏结构或缺陷。研究人员使用单像素太赫兹时域光谱（THz-TDS）装置和3D打印衍射层，对所提出的架构进行了实验验证，并成功探测了硅样品中的未知隐藏缺陷。该技术在安全筛查、生物医学传感和工业质量控制等方面具有重要的应用价值。 MEMS被认为是21世纪很有前途的技术之一。
主要由传感器、作动器（执行器）和微能源三大部分组成，但现在其主要都是传感器比较多。
特点：1.和半导体电路相同，使用刻蚀，光刻等微纳米MEMS制造工艺，不需要组装，调整；2.进一步的将机械可动部，电子线路，传感器等集成到一片硅板上；3.它很少占用地方，可以在一般的机器人到不了的狭窄场所或条件恶劣的地方使用4.由于工作部件的质量小，高速动作可能；5.由于它的尺寸很小，热膨胀等的影响小；6.它产生的力和积蓄的能量很小，本质上比较安全。 超透镜的电子束直写和刻蚀工艺其实并不复杂。湖北MEMS微纳米加工设计
MEMS的研究内容与方向是什么？吉林特殊MEMS微纳米加工
MEMS制作工艺-声表面波器件的特点：
1.声表面波具有极低的传播速度和极短的波长，它们各自比相应的电磁波的传播速度的波长小十万倍。在VHF和UHF波段内，电磁波器件的尺寸是与波长相比拟的。同理，作为电磁器件的声学模拟声表面波器件SAW，它的尺寸也是和信号的声波波长相比拟的。因此，在同一频段上，声表面波器件的尺寸比相应电磁波器件的尺寸减小了很多，重量也随之大为减轻。
2.由于声表面波系沿固体表面传播，加上传播速度极慢，这使得时变信号在给定瞬时可以完全呈现在晶体基片表面上。于是当信号在器件的输入和输出端之间行进时，就容易对信号进行取样和变换。这就给声表面波器件以极大的灵活性，使它能以非常简单的方式去。完成其它技术难以完成或完成起来过于繁重的各种功能。
3.采用MEMS工艺，以铌酸锂LNO和钽酸锂LTO为例子的衬底，通过光刻（含EBL光刻）、镀膜等微纳米加工技术，实现的SAW器件，在声表面器件的滤波、波束整形等方面提供了极大的工艺和性能支撑。 吉林特殊MEMS微纳米加工
