WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。
特性:
沟槽技术
超高密度单元设计
优异的ON电阻,适用于更高的直流电流
极低的阈值电压
小型SOT-23封装
应用:
继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电应用
WPM1483是一款P沟道功率MOSFET,采用先进沟槽技术,具有低RDS(ON)和低栅极电荷,适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流,极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装,无铅无卤素,环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关,驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 SPD8811B-2/TR 半导体放电管(TSS) 封装:SMB。规格书WILLSEMI韦尔WL2862K
ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD5311X可提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准,能承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装,为标准无铅且无卤素产品。
主要特性:
截止电压:5V
根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)
根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)
极低电容:CJ=0.25pF(典型值)
极低漏电流:IR<1nA(典型值)
低钳位电压:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域:
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD5311X是一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,可承受高达±20kV的静电放电和4A的峰值脉冲电流,保护电子组件免受损害。适用于USB、HDMI、SATA等接口,确保数据传输的稳定性。紧凑、环保,广泛应用于便携式设备和笔记本电脑。如需更多信息,请查阅手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WSB5568NWS72358M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。
ESD5305F:四通道单向低电容瞬态电压抑制器
产品描述:ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5305F结合了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管,以提供各方面的瞬态保护。封装与环保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封装,满足无铅和无卤素环保要求。
产品特性:
反向截止电压:5V
根据IEC61000-4-2标准,每条线路提供±30kV(接触放电)的ESD保护
根据IEC61000-4-5标准,可承受高达6A(8/20μs)的峰值脉冲电流
低电容:CI/O-GND=0.65pF(典型值,Vcc=浮动状态);CI/O-GND=0.35pF(典型值,Vcc=5V)
极低泄漏电流:IR<1nA(典型值)
低钳位电压:VCL=16.5V@IPP=16A(TLP)
采用固态硅技术
应用领域:
USB2.0
HDMI1.3
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子产品
笔记本电脑
关于ESD5305F 如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。
WL2801E系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器,具有优异的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了经济高效的新一代性能。其电流限制器的折回电路不止作为短路保护,还在输出引脚处作为输出电流限制器。
产品特点:
· 输入电压范围:2.7V至5.5V
· 输出电压范围:1.2V至3.3V
· 输出电流:在输出电压小于2V时,典型值为200mA;在输出电压大于2V时,典型值为300mA。
· 电源抑制比(PSRR):在217Hz时达到75dB
· 压差电压:在输出电流为200mA时,压差为170mV
· 静态电流:典型值为70μA
· 关断电流:小于0.1μA
· 推荐电容器:1uF
应用领域:
· MP3/MP4播放器
· 手机和无线电话
· 数码相机
· 蓝牙和无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2801E系列以其高精度、低噪声和高效能的特点,为现代便携式设备提供了理想的电源管理解决方案。无论是手机、笔记本电脑还是MP3播放器,它都能确保设备在长时间使用中保持出色的性能和稳定的电力供应。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WD1502F-6/TR DC-DC电源芯片 封装:TSOT-23-6L。
SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS(瞬态电压抑制器)阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。
主要特性:
· 截止电压:5V
· 每条线路均符合IEC61000-4-2(ESD)标准的瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· 符合IEC61000-4-4(EFT)标准的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 符合IEC61000-4-5(浪涌)标准的瞬态保护:4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=20V@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害,确保信号完整性,承受力强。适合紧凑设备,环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。 ESD56151W05-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-323。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56091N
WL2836D12-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:UDFN-4-EP(1x1)。规格书WILLSEMI韦尔WL2862K
WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管,利用先进的沟槽和电荷控制设计,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。
主要特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 适用于高直流电流的优异导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动
· DC-DC转换器电路
· 电源开关
· 负载开关
· 充电电路
WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性能、高效能的半导体器件,专为现代电子设备中的电源管理和开关应用而设计。其采用先进的沟槽技术和电荷控制设计,确保了出色的RDS(ON)和低栅极电荷,从而提供了高效的电流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度单元设计使其在高直流电流下仍能保持优异的导通电阻,确保了高效的能量转换和散热。同时,极低的阈值电压保证了快速的开关响应和稳定的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WL2862K