WS4665是一个单通道负载开关,提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET,可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作,并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入(ON)控制,该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中,增加了一个230Ω的片上负载电阻,用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。
主要特性:
· 集成单通道负载开关
· 输入电压范围:0.8V至5.5V
· 极低导通电阻(RON)RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)
· 连续开关上限电流为6A
· 低控制输入阈值,支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑
· 可配置的上升时间
· 快速输出放电(QOD)
· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM
应用领域:
· 超极本TM
· 笔记本电脑/上网本
· 平板电脑
· 消费电子产品
· 机顶盒/住宅网关
· 电信系统
WS4665适用于多种应用场合,如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格,请查阅相关数据手册或与我们联系。 WD1033E-5/TR DC-DC电源芯片 封装:SOT-23-5L。中文资料WILLSEMI韦尔SPD82582B
ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性:
· 截止电压:±3.3VMax
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.2pFtyp
· 低漏电流低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域:
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WS72141WH251E-3/TR 霍尔传感器 封装:TSOT-23-3L。
SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS(瞬态电压抑制器)阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。
主要特性:
· 截止电压:5V
· 每条线路均符合IEC61000-4-2(ESD)标准的瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· 符合IEC61000-4-4(EFT)标准的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 符合IEC61000-4-5(浪涌)标准的瞬态保护:4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=20V@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害,确保信号完整性,承受力强。适合紧凑设备,环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。
WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET
产品描述:
WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 适用于更高的直流电流
· 极低的阈值电压
应用领域:
· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器
· DC-DC转换电路
· 电源开关
· 负载开关
· 充电应用
WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时,其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品,还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2803E30-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。
WAS7227Q是一款高性能、双刀双掷(DPDT)CMOS模拟开关,可在+2.5V至+5.5V的单一电源供电下工作。它专为在手持设备和消费电子产品中切换高速USB2.0信号而设计,如手机、数码相机和带有集线器或有限USBI/O控制器的笔记本电脑。WAS7227Q具有低比特间偏斜和高通道间噪声隔离,并与各种标准兼容,如高速USB2.0(480Mbps)。每个开关都是双向的,对高速信号的输出衰减很小。其带宽足以传递高速USB2.0差分信号(480Mbps)并保持信号完整性。
特性:
D+/D-上的特殊电路设计,使设备能够承受VBUS短路到D+或D-,无论USB设备是关闭还是开启。
SEL/OE引脚具有过压保护,允许电压高于VCC,高达7.0V存在于引脚上,而不会损坏或中断部件的操作,无论工作电压如何。
还具有智能电路,用于至小化VCC泄漏电流,即使SEL/OE控制电压低于VCC电源电压也是如此。换句话说,在实际应用中,无需额外设备将SEL/OE电平与VCC电平相同。
应用:
· 手机
· MID(移动设备)
· 路由器
· 其他电子设备
WAS7227Q是专为高速USB2.0设计的稳定、高效CMOS开关,适用于手持和消费电子产品,确保数据传输顺畅。独特电路和过压保护增强其可靠性,环保封装易集成。是高速数据传输的理想选择。详情请查数据手册或联系我们。 WD1042E-5/TR DC-DC电源芯片 封装:SOT-23-5L。规格书WILLSEMI韦尔SPD9112W
WS742905M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。中文资料WILLSEMI韦尔SPD82582B
WNM2021:单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET
产品描述
WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器电路
· 便携式设备的负载/电源切换
WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外,WNM2021作为无铅产品,符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔SPD82582B