规格书WILLSEMI韦尔WHS3802Q

      WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。

特性：

沟槽技术

超高密度单元设计

优异的ON电阻，适用于更高的直流电流

极低的阈值电压

小型SOT-23封装

应用：

继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器

DC-DC转换器电路

电源开关

负载开关

充电应用

    WPM1483是一款P沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具有低RDS(ON)和低栅极电荷，适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流，极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装，无铅无卤素，环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关，驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 WL2815D30-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。规格书WILLSEMI韦尔WHS3802Q

ESD9B5VL：单线双向瞬态电压抑制器

产品描述

     ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，免受由静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD9B5VL可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并可根据IEC61000-4-5标准承受高达3A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP-02C封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

· 反向截止电压：±5VMax

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路

· 瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：20A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：3A（8/20μs）

· 电容：CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏电流：IR<1nAtyp

· 低箝位电压：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域

· 手机

· 平板电脑

· 笔记本电脑

· 其他便携式设备

· 网络通信设备    

    ESD9B5VL是高效的瞬态电压抑制器，保护电子设备免受静电放电等瞬态事件影响。适用于手机、平板等便携式设备，保护敏感电子组件。高保护能力、低泄漏和低箝位电压，稳定可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WPT2N32WD3168E-6/TR DC-DC电源芯片 封装：SOT-23-6L。

    ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器（TVS），专为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器（MLV），并广泛应用于消费设备，如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。

特性：

· 极低电容：CJ=0.5pFtyp

· 极低漏电流：IR<1nAtyp

· 低箝位电压：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

· 根据IEC61000-4-2标准，每条线提供±20kV（接触和空气放电）的瞬态保护

· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准，可承受4A（8/20μs）的浪涌电流

应用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

     ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护，使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比，ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流，以及更低的箝位电压，从而提供了更好的性能。此外，其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口，ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

RB521C30：肖特基势垒二极管

· 重复峰值反向电压 VRM 30 V

· 直流反向电压 VR 30 V

· 平均整流正向电流 IO 100 mA

产品特性：

     100mA平均整流正向电流：RB521C30具有出色的电流处理能力，能够处理高达100mA的平均整流正向电流，使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。

    低正向电压：肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点，这意味着在正向偏置条件下，它需要的电压较低，从而降低了功耗。

   低漏电流：RB521C30的漏电流非常低，这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。

   小型SOD-923封装：这款二极管采用紧凑的SOD-923封装，使其适合在空间受限的应用中使用，如便携式设备和小型电路板。

应用领域：

     RB521C30肖特基势垒二极管特别适合用于低电流整流应用。在电路中，它能够将交流信号转换为直流信号，这对于许多电子设备来说都是至关重要的。由于其低正向电压和低漏电流的特性，它特别适用于需要高效能和低功耗的场合，如电池供电的设备或需要长时间运行的系统。此外，其紧凑的封装形式也使得它成为空间受限应用的理想选择。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2803E18-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。

     ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供极高水平的保护。它被设计用于替代消费设备中的多层变阻器（MLV），适用于手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等设备。ESD9X5VL结合了一对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受8/20μs脉冲的峰值电流高达4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封装，标准产品为无铅、无卤素。

特性：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）为每条线路提供瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=1.2pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

    ESD9X5VL是保护高速数据接口免受静电放电损害的瞬态电压抑制器。响应迅速，避免噪声和干扰，高可靠且适用于便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 WNM2016A-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23-3。代理分销商WILLSEMI韦尔WD3103C

WS72358M-8/TR 运算放大器 封装：MSOP-8。规格书WILLSEMI韦尔WHS3802Q

    WS4665是一个单通道负载开关，提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作，并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入（ON）控制，该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中，增加了一个230Ω的片上负载电阻，用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。

主要特性：

· 集成单通道负载开关

· 输入电压范围：0.8V至5.5V

· 极低导通电阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 连续开关上限电流为6A

· 低控制输入阈值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑

· 可配置的上升时间

· 快速输出放电（QOD）

· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM

应用领域：

· 超极本TM

· 笔记本电脑/上网本

· 平板电脑

· 消费电子产品

· 机顶盒/住宅网关

· 电信系统

    WS4665适用于多种应用场合，如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格，请查阅相关数据手册或与我们联系。 规格书WILLSEMI韦尔WHS3802Q