企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

    WS4665是一个单通道负载开关,提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET,可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作,并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入(ON)控制,该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中,增加了一个230Ω的片上负载电阻,用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。

主要特性:

· 集成单通道负载开关

· 输入电压范围:0.8V至5.5V

· 极低导通电阻(RON)RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 连续开关上限电流为6A

· 低控制输入阈值,支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑

· 可配置的上升时间

· 快速输出放电(QOD)

· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM


应用领域:

· 超极本TM

· 笔记本电脑/上网本

· 平板电脑

· 消费电子产品

· 机顶盒/住宅网关

· 电信系统

    WS4665适用于多种应用场合,如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格,请查阅相关数据手册或与我们联系。 ESD5641D12-3/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN-3L(2x2)。代理分销商WILLSEMI韦尔WH2503D

代理分销商WILLSEMI韦尔WH2503D,WILLSEMI韦尔

RB521C30:肖特基势垒二极管

· 重复峰值反向电压 VRM 30 V

· 直流反向电压 VR 30 V

· 平均整流正向电流 IO 100 mA


产品特性:

     100mA平均整流正向电流:RB521C30具有出色的电流处理能力,能够处理高达100mA的平均整流正向电流,使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。

    低正向电压:肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点,这意味着在正向偏置条件下,它需要的电压较低,从而降低了功耗。

   低漏电流:RB521C30的漏电流非常低,这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。

   小型SOD-923封装:这款二极管采用紧凑的SOD-923封装,使其适合在空间受限的应用中使用,如便携式设备和小型电路板。

应用领域:

     RB521C30肖特基势垒二极管特别适合用于低电流整流应用。在电路中,它能够将交流信号转换为直流信号,这对于许多电子设备来说都是至关重要的。由于其低正向电压和低漏电流的特性,它特别适用于需要高效能和低功耗的场合,如电池供电的设备或需要长时间运行的系统。此外,其紧凑的封装形式也使得它成为空间受限应用的理想选择。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56151W05WS4612EDA-5/TR 功率电子开关 封装:SOT-23-5L。

代理分销商WILLSEMI韦尔WH2503D,WILLSEMI韦尔

    WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器,具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)等特点。在500mA的负载电流下,其压降只有130mV(典型值)。这使得它在需要高输出电流的消费者和网络应用中极具吸引力。

特性:

· 输入电压范围:2.5V至5.5V

· 输出电压范围:1.2V至3.3V,步长为0.1V

· 输出电流:500mAPSRR(电源抑制比):在1KHz时为65dB

· 压降电压:在IOUT=0.5A时为130mV

· 输出噪声:100uV

· 静态电流:典型值为150μA

此外,WL2803E系列还具备热关断(OTP)和电流限制功能,以确保在异常条件下芯片和电源系统的稳定性。同时,采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。

应用:

· LCD电视

· 机顶盒(STB)

· 计算机、图形卡

· 网络通信设备

· 其他便携式电子设备

    WL2803E系列CMOSLDO为现代电子设备提供稳定电源,具有极

低压降、低静态电流和高电源抑制比,有效减少电源噪声干扰。宽输出电压范围和微调技术满足各种应用需求,适用于LCD电视、机顶盒和计算机通信设备。紧凑封装和环保设计使其易于集成。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。

WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述:

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域:

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时,其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品,还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5431Z-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN0603-2L。

代理分销商WILLSEMI韦尔WH2503D,WILLSEMI韦尔

    WS3222是一款具有可调OVLO(过压锁定)阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时,该设备将关闭内部MOSFET,断开输入到输出的连接,以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时,WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整,OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度,以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。

特点:

· 输入电压:29V

· 导通电阻:45mΩ(典型值)

· 超快OVP响应时间:450ns(典型值)

· 可调OVLO

· 阈值电压:4V~15V

应用:

· 手机和平板电脑

· 便携式媒体播放器

· STB、OTT(机顶盒、互联网电视)

· 汽车DVR、汽车媒体系统外设

    WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值,为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用,符合环保标准。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 WS4612EAA-5/TR 模拟开关/多路复用器 封装:SOT-23-5L。中文资料WILLSEMI韦尔WPM2019

WL2801E13-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。代理分销商WILLSEMI韦尔WH2503D

ESD5341N:单线、单向、低电容瞬态电压抑制器

     ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。

其主要特性包括:

· 截止电压:5V

· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)

· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)

· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)

· 低电容:CJ=1.0pF(典型值)

· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位电压:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域包括:

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护,特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。 代理分销商WILLSEMI韦尔WH2503D

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