在使用电源管理IC时,还需要注意以下几点:选择适合的电源管理IC:不同的电子设备对电源管理IC的需求不同,因此在选择电源管理IC时需要考虑设备的功耗、电压要求和其他特殊需求。确保选择适合的电源管理IC可以提高设备的性能和可靠性。正确连接和布局:电源管理IC通常需要与其他电子元件连接,因此在连接时需要确保正确的引脚连接和电路布局。不正确的连接和布局可能导致电源管理IC无法正常工作或引起其他问题。
通过合理使用电源管理IC,可以提高设备的性能和可靠性,延长设备的使用寿命。 半桥电路功率管上管驱动。XB5128A电源管理IC两串两节保护
型号:XA3106关键字:同步升降压IC同时升压降压功能升压转换器印字:HXN-AA功能概述:XA3106是一款高效、固定频率的降压-升压DC/DC转换器,能在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下操作。从而成为输出电压处于电池电压范围内的单节锂离子电池、多节碱性电池或NiMH电池应用的理想选择。可利用一个外部电阻对高至1.5MHz的开关频率进行设置,并能使振荡器与外部时钟同步。静态电流300uA,因而大限度的延长了便携式应用中的电池使用寿命。该转换器的其他特点还包括电流1uA的停机模式、软起动控制、热停机和电流限值。XA3106采用热特性增强型10引脚MSOP封装。应用数码相机/无线电话XBR5355A电源管理IC磷酸铁锂充电管理高压降压电源芯片用于便携式设备、移动设备、车载设备的电源变换。
DS2730 集成了 2 路高效 DC-DC 电压变换器和 CV/CC 补偿电路。结合外置的 NMOS 功率管,实现 2 路分离的 DC-DC 降压变换功能,支持 100%占空比输出和直通模式,并根据设备的插入/移除状态,控制放电通路的自动导通或关闭。在放电过程中,实时监测放电通路的输出电压、负载电流和系统温度。当有异常发生时,启动执行相应的保护机制。 内置的同步降压变换器,允许 5V~30V 的输入电压和 3.3V~20V 的输出电压,上限输出效率可达 98%(VIN=20V,VBUS=20V@5A)。
一个是防止充电器的浪涌,与10uF电容一起做RC滤波,保护充电管理. 对充电器频繁热插拔的高压浪涌、对目前市场上的各种参差不齐的手机充电器,加这个电阻对产品的可靠性增加,从某种程度上说有一点系统TVS的效果。 所以这个电阻的功率稍微留点点余量。 二个是可以起到分压的作用,因为是线性充电,如果电池电压3.3V,这时充电处于快充阶段(设定450mA),如果输入5V,芯片自身将产生(5-3.3)*0.45=765mW的热量,芯片太烫,充电电流就会变得小些。而如果加0.5ohm电阻,该电阻将产生0.225V的压降,将能降低一些芯片的功耗,进而降低芯片温度,使得芯片可以保证以设定的450mA持续快速充电。但这个电阻不能大,因为如果大,上面产生的压差大,会影响电池电压4V以上时的快速充电,也会影响充电器输入电压偏低时仍然能以较大电流快速充电。高耐压带OVP线性充电管理。
DS3056B 集成 LED 显示功能。GPIO10、GPIO11 管脚可以直接驱动 LED1,LED2,用于显示 IC 的工作状态、电池的充电状态等信息。集成 i2C 功能,外部芯片可直接读取当前芯片的工作状态。内置 16-bit 的高精度 ADC 和 12-bit 的高速 ADC。高精度 ADC 用于检测充电电流,高速 ADC 用于检测电压信号,并配置了窗口比较功能,可以根据检测结果做出快速反应。DS3056B的测温管脚TS集成了电流源,结合外部的温敏电阻(NTC),用于监测电池的温度。温度高于高温保护门限或低于低温保护门限、且持续预定时间后,关闭充放电路径。温度从高温降至高温保护解除门限之下或从低温升至低温保护解除门限之上时,恢复充电或放电。PVDD部分的供电:2串可通过电池直接给内部PVDD供电,3串可通过外部LDO给PVDD供电,4-6串可通过外部DC给PVDD供电。LDO 输出,通过10μF 电容连接至参考地。XB5608AJ电源管理IC拓微电子
充电电流降至停充电流时,停止充电。XB5128A电源管理IC两串两节保护
上面的“二芯合一”方案及单芯片正极保护方案虽然在方案面积及成本上给用户带来了一定的优势,但优势仍不明显。这些方案同时又带来了一些弊端,因此在与成熟的传统方案竞争客户的过程中,还是只能以降低毛利空间来打价格战。由于这些方案的真正原始成本并没有明显的优势,所以随着传统方案的控制IC及开关管芯片的降价,这些“二芯合一”的方案或正极保护方案并没有能够撼动传统方案的市场统治地位。 BP5301 BP6501;近年来市面上出现了众多新创的开关管芯片厂商,为了降低成本,封装时原本打金线改成打铜线,开关管也不带ESD保护。这些产品虽然在性能上与品牌开关管相比有一定的差异,但因为成本优势很快抢占了二级市场,也为传统方案在与“二芯合一”及正极保护方案在市场竞争中的胜出作出了巨大贡献。XB5128A电源管理IC两串两节保护
ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气...