型号:XA3106关键字:同步升降压IC同时升压降压功能升压转换器印字:HXN-AA功能概述:XA3106是一款高效、固定频率的降压-升压DC/DC转换器,能在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下操作。从而成为输出电压处于电池电压范围内的单节锂离子电池、多节碱性电池或NiMH电池应用的理想选择。可利用一个外部电阻对高至1.5MHz的开关频率进行设置,并能使振荡器与外部时钟同步。静态电流300uA,因而大限度的延长了便携式应用中的电池使用寿命。该转换器的其他特点还包括电流1uA的停机模式、软起动控制、热停机和电流限值。XA3106采用热特性增强型10引脚MSOP封装。应用数码相机/无线电话当涓流充电使得电池电压>涓流截止电压时,进入恒流充电。XB6061I2电源管理IC上海芯龙
拓微集成是一家专业化从事集成电路设计与销售的公司,成立于2003年5月8日,座落软件园区基地. 公司3位骨干是代CMOS电源芯片设计者、拥有多年的集成电路设计经验,尤其在低功耗电源管理类集成电路、微控制器芯片,CMOS图象传感器芯片等数模混合电路方面在国内处于地位。公司以发展我国的微电子事业为己任、致力于集成电路的设计、开发和销售。以雄厚的实力、合理的价格、优良的服务与多家企业建立了长期的合作关系。 拓微集成的产品包括:电源管理IC包含DC-DC升压IC、电压检测复位IC、锂电池充电IC、负电压翻转IC7660、负电压翻转IC7661、霍尔开关IC、DC-DC降压IC。XB4709J2S电源管理ICLED线性驱动芯片手电筒驱动XF5131是赛芯推出的一款集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片。
解决方案概要 标称电压2.2~2.4V的锂二次电池和全固态电池具有以下特点,也适合于工业设备的备份用途、可穿戴设备及Smartcard等。 可使用LDO进行恒压充电可能。(无需的高价CV/CC充电IC) 耐过放电,可用于简单的放电检测 因为是电池,所以能长时间维持恒定电压 比起电压直线下降的Supercap,能更简单、有效地提取能量 也有70℃、105℃等高温对应产品 也有回流对应 / 热层压加工对应品 关于充电用LDO 因二次电池的大容量成为负载,所以低消耗稳压器适合于LDO。 充电时 可在充电状态下使用。 充电后,电池电压短期内上升到LDO的输出电压之后,会逐渐充电。 无需满充电检测,在满充电后,一般无需关闭稳压器。 使用时 可在充电状态下使用。 VIN没有电压时,为了不白白消耗储存在二次电池中的能量,需要防止回流到VIN及使LDO处于待机状态。 在本电路框中,在用SBD防止回流的同时,通过连接到SBD阳极侧的下拉电阻,成为LDO的CE=“L”,稳压器将处于待机状态。 由此,可从二次电池将消耗电流抑制为稳压器VOUT引脚的微小电流。(称为“VOUT SINK电流”)
一个是防止充电器的浪涌,与10uF电容一起做RC滤波,保护充电管理. 对充电器频繁热插拔的高压浪涌、对目前市场上的各种参差不齐的手机充电器,加这个电阻对产品的可靠性增加,从某种程度上说有一点系统TVS的效果。 所以这个电阻的功率稍微留点点余量。 二个是可以起到分压的作用,因为是线性充电,如果电池电压3.3V,这时充电处于快充阶段(设定450mA),如果输入5V,芯片自身将产生(5-3.3)*0.45=765mW的热量,芯片太烫,充电电流就会变得小些。而如果加0.5ohm电阻,该电阻将产生0.225V的压降,将能降低一些芯片的功耗,进而降低芯片温度,使得芯片可以保证以设定的450mA持续快速充电。但这个电阻不能大,因为如果大,上面产生的压差大,会影响电池电压4V以上时的快速充电,也会影响充电器输入电压偏低时仍然能以较大电流快速充电。芯纳科技、锂电池充电管理XA4246。
主要参数:针对磷酸铁锂电芯,充电电压3.6V,充电电流可达900mA,耐压30V,OVP=6.8V,采用ESOP8封装。 概述 XC3098VYP是一款完整的恒流恒压线性充电芯片。 r f 或单节锂离子电池。其 ESOP 8 封装和低外部元件数量使 XC3098VYP 非常适合便携式应用。此外,XC3098VYP 专门设计用于在 USB 电源规格范围内工作。需要一个外部检测电阻,并且由于内部 MOSFET 架构而无需阻塞二极管。充电电压固定为 3.6V,充电电流可通过单个电阻器进行外部编程。当达到浮动电压后充电电流降至编程值的 1/10 时,XC3098VYP 自动终止充电周期。当输入电源(墙上适配器或 USB 电源)被移除时,XC3098VYP 系列自动进入低电流状态,将电池漏电流降至 2uA 以下。电流采样,连接 USB-C口采样电阻的正端。XB8783G电源管理ICNTC充电管理
高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片,具有功能全、集成度高,外部电路简单,调节方便。XB6061I2电源管理IC上海芯龙
保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,磷酸铁锂电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极,IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。XB6061I2电源管理IC上海芯龙
ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气...