真空镀膜技术与湿式镀膜技术相比较，具有下列优点：薄膜和基体选材普遍，薄膜厚度可进行控制，以制备具有各种不同功能的功能性薄膜。在真空条件下制备薄膜，环境清洁，薄膜不易受到污染，因此可获得致密性好、纯度高和涂层均匀的薄膜。薄膜与基体结合强度好，薄膜牢固。干式镀膜既不产生废液，也无环境污染。真空镀膜技术主要有真空蒸发镀、真空溅射镀、真空离子镀、真空束流沉积、化学气相沉积等多种方法。除化学气相沉积法外，其他几种方法均具有以下的共同特点：各种镀膜技术都需要一个特定的真空环境，以保证制膜材料在加热蒸发或溅射过程中所形成蒸气分子的运动，不致受到大气中大量气体分子的碰撞、阻挡和干扰，并消除大气中杂质的不良影响。真空镀膜镀的薄膜纯度高。重庆真空镀膜设备
磁控溅射还可用于不同金属合金的共溅射，同时使用多个靶电源和不同靶材，例如TiW合金，通过单独调整Ti、W的溅射速率，同时开始溅射2种材料，则在衬底上可以形成Ti/W合计，对不同材料的速率进行调节，即能满足不同组分的要求.磁控溅射由于其内部电场的存在，还可在衬底端引入一个负偏压，使溅射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控溅射常用来沉积TSV结构的阻挡层和种子层，通过对相关参数的调整和引入负偏压，可以实现高深宽比的薄膜溅射，且深孔内壁薄膜连续和良好的均匀性茂名真空镀膜观察窗的玻璃较好用铅玻璃，观察时应戴上铅玻璃眼镜，以防X射线侵害人体。
真空镀膜：各种镀膜技术都需要有一个蒸发源或靶子，以便把蒸发制膜的材料转化成气体。由于源或靶的不断改进，扩大了制膜材料的选用范围，无论是金属、金属合金、金属间化合物、陶瓷或有机物质，都可以蒸镀各种金属膜和介质膜，而且还可以同时蒸镀不同材料而得到多层膜。蒸发或溅射出来的制膜材料，在与待镀的工件生成薄膜的过程中，对其膜厚可进行比较精确的测量和控制，从而保证膜厚的均匀性。每种薄膜都可以通过微调阀精确地控制镀膜室中残余气体的成分和质量分数，从而防止蒸镀材料的氧化，把氧的质量分数降低到较小的程度，还可以充入惰性气体等，这对于湿式镀膜而言是无法实现的。由于镀膜设备的不断改进，镀膜过程可以实现连续化，从而地提高产品的产量，而且在生产过程中对环境无污染。由于在真空条件下制膜，所以薄膜的纯度高、密实性好、表面光亮不需要再加工，这就使得薄膜的力学性能和化学性能比电镀膜和化学膜好。
原子层沉积技术凭借其独特的表面化学生长原理、亚纳米膜厚的精确控制性以及适合复杂三维高深宽比表面沉积，自截止生长等特点，特别适合薄层薄膜材料的制备。例如：S.F. Bent等人利用十八烷基磷酸盐（ODPA）对Cu的选择性吸附，在预先吸附有ODPA分子的衬底表面进行ALD沉积Al2O3，有效避免了Al2O3在Cu表面沉积，从而得到被高k绝缘材料Al2O3所间隔的空间选择性暴露表面Cu的薄膜材料。此外，电镜照片表明该沉积方法的区域选择性得到了有效保证。多弧离子真空镀膜机镀膜膜层不易脱落。
磁控溅射是物理沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率，可以在样品表面蒸镀致密的薄膜。真空镀膜镀的薄膜涂层均匀。茂名真空镀膜
真空镀膜是真空应用领域的一个重要方面。重庆真空镀膜设备
针对PVD制备薄膜应力的解决办法主要有：1.提高衬底温度，有利于薄膜和衬底间原子扩散，并加速反应过程，有利于形成扩散附着，降低内应力；2.热退火处理，薄膜中存在的各种缺陷是产生本征应力的主要原因，这些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的倾向，但需要外界给予活化能。对薄膜进行热处理，非平衡缺陷大量消失，薄膜内应力降低；3.添加亚层控制多层薄膜应力，利用应变相消原理，在薄膜层之间再沉积一层薄膜，控制工艺使其呈现与结构薄膜相反的应力状态，缓解应力带来的破坏作用，整体上抵消内部应力 重庆真空镀膜设备
