南通芯片特种封装工艺

SO类型封装，SO类型封装有很多种类，可以分为：SOP（小外形封装）、TOSP（薄小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、VSOP（甚小外形封装）、SOIC（小外形集成电路封装）等类似于QFP形式的封装，只有两边有管脚的芯片封装形式，该类型的封装是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈“L”字形。该类型封装的典型特点就是在封装芯片的周围做出很多引脚，封装操作方便、可靠性比较高、焊接也比较方便，如常见的SOP-8等封装在各种类型的芯片中被大量使用。DIP封装通常有直插式（Through-Hole）和表面贴装式（Surface Mount）两种形式。南通芯片特种封装工艺

2017年以来的企稳回升，封装基板市场在2017年趋于稳定，在2018年和2019年的增长速度明显快于整个PCB市场，预计将在未来五年仍然保持超过平均增长速度6.5%。封装基板市场的好转和持续增长主要是由用于档次高GPU、CPU和高性能计算应用ASIC的先进FCBGA基板需求，以及用于射频(如蜂窝前端模块)和其他(如MEMS/电源)应用的SiP/模块需求驱动的。内存封装需求，尽管它们的影响更具周期性，例如用于DRAM的FCBOC封装和用于Flash的WBCSP，也是封装基板强劲需求的驱动因素。2017年主要增长动力包括:FCCSP中的密码货币挖掘专门使用集成电路FCBGA中的GPU和CPU服务器DRAM和NAND在CSP中的线键合。湖北防震特种封装供应D-PAK 封装由一个塑料外壳和多个引脚组成，外形类似于一个长方形盒。

功率器件模块封装结构演进趋势，IGBT作为重要的电力电子的主要器件，其可靠性是决定整个装置安全运行的较重要因素。由于IGBT采取了叠层封装技术，该技术不但提高了封装密度，同时也缩短了芯片之间导线的互连长度，从而提高了器件的运行速率。按照封装形式和复杂程度，IGBT产品可以分为裸片DIE、IGBT单管、IGBT模块和IPM模块。1、裸片DIE：由一片晶圆切割而成的多颗裸片DIE；2、IGBT单管：由单颗DIE封装而成的IGBT分立器件，电流能力小，适用于家电等领域；3、IGBT模块：由多颗DIE并联封装而成，功率更大、散热能力更强，适用于新能源汽车、高铁、光伏发电等大功率领域；4、IPM模块：在IGBT模块外部增加其他功能的智能功率模块（IPM）。

到了PCB这一层次，电子系统的功能已经比较完备，尺度也已经放大适合人类操控的地步，加上其他的部件，就构成了人们较常用的系统——常系统 (Common System)，例如我们每天接触的手机或电脑。国内IC封装业起步早、发展快，但目前仍以传统封装为主。虽然近年中国本土先进封测四强（长电、通富、华天、晶方科技）通过自主研发和兼并收购，已基本形成先进封装的产业化能力，但从先进封装营收占总营收的比例和高密度集成等先进封装技术发展上来说，中国总体先进封装技术水平与国际先进水平还有一定的差距。TO 封装的优点是体积小、重量轻、高频性能好，缺点是散热性能较差。

IGBT模块的封装技术难度高，高可靠性设计和封装工艺控制是其技术难点。IGBT模块具有使用时间长的特点，汽车级模块的使用时间可达15年。因此在封装过程中，模块对产品的可靠性和质量稳定性要求非常高。高可靠性设计需要考虑材料匹配、高效散热、低寄生参数、高集成度。 封装工艺控制包括低空洞率焊接/烧结、高可靠互连、ESD防护、老化筛选等，生产中一个看似简单的环节往往需要长时间摸索才能熟练掌握，如铝线键合，表面看只需把电路用铝线连接起来，但键合点的选择、键合的力度、时间及键合机的参数设置、键合过程中应用的夹具设计、员工操作方式等等都会影响到产品的质量和成品率。常见的七种 MOS 管封装类型：DIP、TO、PGA、D-PAK、SOT、SOP 和 QFP。河北防震特种封装服务商

球状引脚栅格阵列封装技术（BGA）BGA球状引脚栅格阵列封装技术，高密度表面装配封装技术。南通芯片特种封装工艺

采用BGA芯片使产品的平均线路长度缩短，改善了电路的频率响应和其他电气性能。用再流焊设备焊接时，锡球的高度表面张力导致芯片的自校准效应（也叫“自对中”或“自定位”效应），提高了装配焊接的质量。正因为BGA封装有比较明显的优越性，所以大规模集成电路的BGA品种也在迅速多样化。现在已经出现很多种形式，如陶瓷BGA（CBGA）、塑料BGA及微型BGA（Micro-BGA、µBGA或CSP）等，前两者的主要区分在于封装的基底材料，如CBGA采用陶瓷，PBGA采用BT树脂；而后者是指那些封装尺寸与芯片尺寸比较接近的微型集成电路。目前可以见到的一般BGA芯片，焊球间距有1.5mm、1.27mm和1.0mm三种；而µBGA芯片的焊球间距有0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm和0.3mm多种南通芯片特种封装工艺