WNM2016A:N沟道增强型MOSFET场效应晶体管
产品描述:
WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元
· 设计出色的ON电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器
· 电路便携式设备的负载/电源开关
WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET,专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能,包括低RDS(ON)和低栅极电荷,从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外,极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择,因为它既能够提供强大的性能,又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路,还是便携式设备的负载/电源开关,WNM2016A都是一个出色的选择,能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2810D33-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:XDFN-4-EP(1x1)。代理分销商WILLSEMI韦尔WMM7040DTFN0-8/TR
ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计,采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。
技术特性:
· 反向截止电压:7.5V~15V
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs
· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs
· 低钳位电压
· 固态硅技术
应用领域:
· 电源保护
· 电源管理
ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压,为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护,其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WPM3005RB521C30-2/TR 肖特基二极管 封装:SOD-923。
ESD56151Wxx:电源保护新选择
ESD56151Wxx双向瞬态电压抑制器,是为现代电子设备中的电源接口设计。它的反向截止电压范围是4.5V至5V,有效保护电路免受过高电压的损害。这款抑制器符合IEC61000-4-5标准,为电路提供强大的浪涌保护,同时遵循IEC61000-4-2标准,提供±30kV的ESD保护。
ESD56151Wxx的特点在于其低钳位电压设计,能迅速将电压限制在安全范围内,减少对敏感电子元件的损害。其采用的固态硅技术确保了出色的稳定性和可靠性,确保在长期使用中仍能保持优异的性能。
这款ESD适用于各种需要电源保护和管理的应用场景,如便携式电子设备、通信设备、医疗设备以及工业控制系统等。它能从各方面保护电源接口,提高设备稳定性和可靠性,延长使用寿命,降低维修和更换成本。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD56151Wxx这款ESD,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持,请随时联系我们。
WAS4729QB:低导通电阻(0.8Ω)双SPDT模拟开关,具有负摆幅音频功能
产品描述:
WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷(SPDT)模拟开关,具有负摆幅音频功能,其典型导通电阻Ron为0.8Ω(在3.6VVCC下)。该开关在2.3V至5.5V的宽VCC范围内工作,并设计为先断后通的操作模式。选择输入与TTL电平兼容。WAS4729QB还配备了智能电路,即使在控制电压低于VCC电源电压时,也能至小化VCC泄漏电流。这一特性非常适合移动手机应用,因为它允许直接与基带处理器的通用I/O接口,同时极大限度地减少电池消耗。换句话说,在实际应用中,无需额外的设备来将控制电平调整到与VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
供电电压:2.3V~5.5V
极低导通电阻:0.8Ω(在3.6V下)
高关断隔离度:-81dB@1KHz
串扰抑制:-83dB@1KHz-3dB带宽:80MHz
轨到轨信号范围
先断后通开关
HBM JEDEC:JESD22-A114IO至GND:±8KV
电源至GND:±5KV
应用领域
手机、PDA、数码相机和笔记本电脑
LCD显示器、电视和机顶盒
音频和视频信号路由
WAS4729QB是高性能模拟开关,专为移动设备设计,适合音频和视频信号路由,性能优越可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 ESD5471X-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:FBP-02C。
WS4603E:可调电流限制、电源分配开关
描述
WS4603E是一款具有高侧开关和低导通电阻P-MOSFET的开关。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。此外,WS4603E还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4603E采用SOT-23-5L封装。标准产品无铅且不含卤素。
特性
1、输入电压范围:2.5~5.5V
2、主开关RON:80mΩ@VIN=5V
3、调整电流限制范围:0.4~2A(典型值)
4、电流限制精度:±20%
5、自动放电
6、反向阻断(无“体二极管”)
7、过温保护
应用
· USB外设
· USB Dongle
· USB 3G数据卡
· 3.3V或5V电源开关
· 3.3V或5V电源分配
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,可以提供样品供您测试。如有关于WS4603E的进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 WS742905M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56201D15
WNM6001-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。代理分销商WILLSEMI韦尔WMM7040DTFN0-8/TR
WL2805N33-3/TR:高效且可靠的瞬态电压抑制器
WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中,由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件,电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现,为这些设备提供了可靠的防护。
这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性,能够在瞬态事件发生时迅速响应,将电压限制在安全范围内,从而保护电路中的敏感组件免受损坏。
此外,WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值,确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中,如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用,WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护,确保设备的稳定运行和延长使用寿命。
安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商,致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器,并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持,请随时联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WMM7040DTFN0-8/TR