企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

ESD5301N:低电容单线单向瞬态电压抑制器

产品描述:

      ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过度应力影响。

      包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。

      采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性:

 1、截止电压:5V

 2、根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)

 3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

 4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

 5、低电容:CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏电流:IR<1nAtyp.

 7、低钳位电压:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固态硅技术

应用领域:

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便携式电子产品和笔记本电脑

安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持,请随时联系我们。 WL2815D33-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:XDFN-4-EP(1x1)。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD54105E

代理分销商WILLSEMI韦尔ESD54105E,WILLSEMI韦尔

WS3202E:过压和过流保护IC

产品描述:

WS3202E是一款集过压保护(OVP)和过流保护(OCP)功能于一体的保护设备。当输入电压或输入电流超过阈值时,该设备会关闭内部MOSFET,断开IN到OUT的连接,以保护负载。此外,过温保护(OTP)功能会监控芯片温度,确保设备安全。封装形式:SOT-23-6L

产品特性:

· 高压技术

· 输入电压:25V

· 输出上电时间:8ms(典型值)

· OVP阈值:6.1V(典型值)

· OVP响应时间:<1us

· OCP阈值:2A(最小值)

· 输出放电功能

应用领域:

· GPS设备

· PMP(便携式媒体播放器)

· MID(移动互联网设备)

· PAD(平板电脑)

· 数码相机

· 数字摄像机

     WS3202E是一款功能强大的过压和过流保护IC,为电子设备提供了双重安全保障。其高压技术、快速响应时间和灵活的输出放电功能使其在各种应用场合中表现出色,特别适用于需要高稳定性和可靠性的电子设备,如GPS、PMP、MID、PAD以及数码相机和摄像机等。WS3202E采用SOT-23-6L封装,方便集成到各种电路板中,同时其无铅和无卤素特性也符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM3053WNM2046-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-3L(1x0.6)。

代理分销商WILLSEMI韦尔ESD54105E,WILLSEMI韦尔

WL2805N33-3/TR:高效且可靠的瞬态电压抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中,由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件,电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现,为这些设备提供了可靠的防护。  

      这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性,能够在瞬态事件发生时迅速响应,将电压限制在安全范围内,从而保护电路中的敏感组件免受损坏。

      此外,WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值,确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中,如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用,WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护,确保设备的稳定运行和延长使用寿命。 

      安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商,致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器,并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持,请随时联系我们。

    WS3222是一款具有可调OVLO(过压锁定)阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时,该设备将关闭内部MOSFET,断开输入到输出的连接,以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时,WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整,OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度,以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。

特点:

· 输入电压:29V

· 导通电阻:45mΩ(典型值)

· 超快OVP响应时间:450ns(典型值)

· 可调OVLO

· 阈值电压:4V~15V

应用:

· 手机和平板电脑

· 便携式媒体播放器

· STB、OTT(机顶盒、互联网电视)

· 汽车DVR、汽车媒体系统外设

    WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值,为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用,符合环保标准。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 WAS4768Q-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装:QFN-10(1.8x1.4)。

代理分销商WILLSEMI韦尔ESD54105E,WILLSEMI韦尔

WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。

其主要特性包括:

· 沟槽技术

· 超高密度的单元设计

· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流

· 小型SOT-23-3L封装

应用领域包括:

· 笔记本电脑的电源管理

· 便携式设备

· 电池供电系统

· DC/DC转换器

· 负载开关

      WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESDA6V1W5-5/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOT-353。代理分销商WILLSEMI韦尔SPD84201C

WSB5546N-2/TR 肖特基二极管 封装:DFN1006-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD54105E

ESDA6V8AV6静电放电(ESD)保护的瞬态电压抑制器

产品描述:

    ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器,为可能受到静电放电(ESD)影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态,这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上;对于负瞬态,则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击,超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883(方法3015)中的人体模型(HBM)ESD规格,该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装,工作电压为5伏特。

规格特性:

· 工作峰值反向电压:5V

· 低漏电流:<1uA@3V

· 高ESD保护水平:每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四级ESD保护

· IEC61000-4-4四级EFT保护

· 五种单独的单向配置

机械特性:

· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳

· 耐腐蚀表面,易于焊接


应用领域:

· 手机和配件

· 个人数字助理(PDA)

· 笔记本电脑、台式机和服务器

· 便携式仪器

· 数码相机

· 外设MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器,保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流,能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准,适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD54105E

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