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WNM2016A：N沟道增强型MOSFET场效应晶体管

产品描述：

WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元

· 设计出色的ON电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器

· 电路便携式设备的负载/电源开关      

      WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET，专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能，包括低RDS(ON)和低栅极电荷，从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外，极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择，因为它既能够提供强大的性能，又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路，还是便携式设备的负载/电源开关，WNM2016A都是一个出色的选择，能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD73131CZ-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DWN0603-2L。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56301D04

WD3139：高效38V升压型白色LED驱动器

产品描述

     WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED，电流限制为1.2A，过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制（PWM）信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行，以减少输出纹波、提高转换效率，并允许使用小型外部组件。

   封装与环保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封装，标准产品为无铅和无卤素。

产品特性：

输入电压范围：2.7~5.5V

开路LED保护：38V（典型值）

参考电压：200mV（±5%）

开关频率：1MHz（典型值）

效率：高达92%

主开关电流限制：1.2A（典型值）

PWM调光频率：5KHz至200KHzPWM

调光占空比：0.5%~100%

应用领域：

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

    WD3139是一款专为串联白色LED设计的高效驱动器。提供1.2A电流限制和38V过压保护，确保LED稳定安全。支持PWM调光，1MHz开关频率提升转换效率并减少输出纹波。适用于智能手机、平板等便携设备的LED背光或指示灯。小巧封装且环保，是理想选择。详情请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM4017WL2801E18-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5。

    WS3222是一款具有可调OVLO（过压锁定）阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时，该设备将关闭内部MOSFET，断开输入到输出的连接，以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时，WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整，OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度，以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。

特点：

· 输入电压：29V

· 导通电阻：45mΩ（典型值）

· 超快OVP响应时间：450ns（典型值）

· 可调OVLO

· 阈值电压：4V~15V

应用：

· 手机和平板电脑

· 便携式媒体播放器

· STB、OTT（机顶盒、互联网电视）

· 汽车DVR、汽车媒体系统外设

    WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值，为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用，符合环保标准。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。

    WAS7227Q是一款高性能、双刀双掷（DPDT）CMOS模拟开关，可在+2.5V至+5.5V的单一电源供电下工作。它专为在手持设备和消费电子产品中切换高速USB2.0信号而设计，如手机、数码相机和带有集线器或有限USBI/O控制器的笔记本电脑。WAS7227Q具有低比特间偏斜和高通道间噪声隔离，并与各种标准兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每个开关都是双向的，对高速信号的输出衰减很小。其带宽足以传递高速USB2.0差分信号（480Mbps）并保持信号完整性。

特性：

D+/D-上的特殊电路设计，使设备能够承受VBUS短路到D+或D-，无论USB设备是关闭还是开启。

SEL/OE引脚具有过压保护，允许电压高于VCC，高达7.0V存在于引脚上，而不会损坏或中断部件的操作，无论工作电压如何。

还具有智能电路，用于至小化VCC泄漏电流，即使SEL/OE控制电压低于VCC电源电压也是如此。换句话说，在实际应用中，无需额外设备将SEL/OE电平与VCC电平相同。

应用：

· 手机

· MID（移动设备）

· 路由器

· 其他电子设备

    WAS7227Q是专为高速USB2.0设计的稳定、高效CMOS开关，适用于手持和消费电子产品，确保数据传输顺畅。独特电路和过压保护增强其可靠性，环保封装易集成。是高速数据传输的理想选择。详情请查数据手册或联系我们。 WL2803E25-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。

    WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。

    WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管，专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻（RDS（ON）），从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时，低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号，进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器，其中高效率的电源开关是至关重要的。

    此外，它还可以用于各种充电电路，如电池充电器和太阳能充电器，以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品，WNM2020不仅具有出色的电性能，还符合环保要求，不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之，WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管，非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD56301D05-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1610-2L。中文资料WILLSEMI韦尔WNM4017

ESD54231N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56301D04

      WL2801E是一款优异的低噪声、高PSRR（电源抑制比）以及高速CMOSLDO（低压差线性稳压器）。其高精度与出色的性能，使其在手机、笔记本电脑以及其他便携式设备中表现出色，为用户提供了前所未有的性价比体验。这款设备不仅具有出色的限流折回电路，能够同时作为短路保护和输出电流限制器，而且采用标准的SOT-23-5L封装，确保产品的环保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括宽输入电压范围（2.7V~5.5V）、灵活的输出电压范围（1.2V~3.3V）、以及高达300mA的输出电流能力。其高达75dB的PSRR在217Hz下表现出色，确保了电源噪声的有效抑制。此外，其低dropout电压（170mV@IOUT=200mA）和极低静态电流（70μA）使得它在低功耗应用中表现突出。

     这款产品的应用领域较广，包括MP3/MP4播放器、手机、无线电话、数码相机、蓝牙和无线手持设备以及其他便携式电子设备。无论是对于追求高性能的设计师，还是对于寻求成本效益的生产商，WL2801E都是理想的选择。

     安美斯科技专注于国产电子元器件的代理分销，并可以提供样品。这体现了我们对产品质量的自信和对客户需求的深入理解。选择安美斯科技，您将获得优异的产品和服务。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD56301D04