WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。
主要特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 优异的开启电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器电路
· 便携式设备的负载/电源切换
WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术,提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备,且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2851E33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。代理分销商WILLSEMI韦尔WS74242
ESD5431Z-2/TR:电子设备的瞬态电压守护神
ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制,确保在数据线和控制线受到过应力时,能够迅速抑制电压波动,保护敏感电子元件免受损坏。
这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力,根据IEC61000-4-2标准,它能承受高达±30kV的接触放电,确保在极端情况下仍能有效保护电路,能够承受高达40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集成更为便捷,同时无铅和不含卤素的标准也符合环保要求。
无论是手机、计算机还是微处理器,它都能为这些设备提供坚实的电压保护,确保它们在各种恶劣环境下都能稳定运行。应用在工业、医疗还是消费电子领域等。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5431Z-2/TR这款ESD,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WMM7035ABFN0-5/TRWL2815D30-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:UDFN-4-EP(1x1)。
ESD5311Z单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述
ESD5311Z是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止因静电放电(ESD)而产生的过应力。ESD5311Z包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD5311Z可用于提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
截止电压:5V
每条线路根据IEC61000-4-2(ESD)标准进行瞬态保护:±20kV(接触放电)
根据IEC61000-4-4(EFT)标准进行瞬态保护:40A(5/50ns)
根据IEC61000-4-5(浪涌)标准进行瞬态保护:4A(8/20μs)
极低电容:CJ=0.25pF(典型值)
极低漏电流:IR<1nA(典型值)
低钳位电压:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)
应用领域
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD5311Z专为高速数据接口设计,极低电容,出色保护,防止静电放电损害。适用于USB、HDMI等接口,保护敏感组件。紧凑封装,适合便携式设备。详情查阅手册或联系我们。
WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。它采用先进的沟槽技术和设计,具有出色的RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色,尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。
WPM2015xx的主要特点包括:
1:稳定的走电电压和出色的导电电阻,这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。
2:适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用,这些应用需要精确控制电流和电压。
3:采用无铅、无卤的环保封装,符合现代电子产品的环保要求。
4:具有超高密度电池设计,适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。
5:极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。
在实际应用中,WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压,WPM2015xx可以实现对电流的精确调节,从而实现对电机等设备的控制。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。 ESD5431N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。
WS4612:60mΩ电流限制型电源分配开关
产品描述
WS4612是一款具有高侧开关和极低导通电阻的P-MOSFET。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。此外,WS4612还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L两种封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
· 输入电压范围:2.5-5.5V
· 主开关RON:60mΩ@VIN=5.0V
· 电流限制精度:±15%
· 调整电流限制范围:0.1A-2.5A(典型值)
· 典型上升时间:600μS
· 静态供电电流:26μA
· 欠压锁定
· 自动放电
· 反向阻断(无“体二极管”)
· 过温保护
应用领域
· USB外设
· USB Dongle
· USB 3G数据卡
· 3.3V或5V电源开关
· 3.3V或5V电源分配
WS4612是功能丰富的电源分配开关,专为现代电子设备电源管理和保护设计。极低导通电阻和集成电流限制功能,应对高电容负载和短路情况。反向保护和自动放电功能增强安全性。适用于USB外设、数据卡和电源分配,确保设备稳定运行。紧凑封装,环保无铅无卤素设计,易集成。详情查阅数据手册或联系我们。 WPM2015-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23-3。中文资料WILLSEMI韦尔WL2848D
WL2801E18-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。代理分销商WILLSEMI韦尔WS74242
WS4665是一个单通道负载开关,提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET,可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作,并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入(ON)控制,该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中,增加了一个230Ω的片上负载电阻,用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。
主要特性:
· 集成单通道负载开关
· 输入电压范围:0.8V至5.5V
· 极低导通电阻(RON)RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)
· 连续开关上限电流为6A
· 低控制输入阈值,支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑
· 可配置的上升时间
· 快速输出放电(QOD)
· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM
应用领域:
· 超极本TM
· 笔记本电脑/上网本
· 平板电脑
· 消费电子产品
· 机顶盒/住宅网关
· 电信系统
WS4665适用于多种应用场合,如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格,请查阅相关数据手册或与我们联系。 代理分销商WILLSEMI韦尔WS74242