江西BGA封装定制

不同类别芯片进行3D集成时，通常会把两个不同芯片竖直叠放起来，通过TSV进行电气连接，与下面基板相互连接，有时还需在其表面做RDL，实现上下TSV连接。4D SIP，4D集成定义主要是关于多块基板的方位和相互连接方式，因此在4D集成也会包含2D，2.5D，3D的集成方式。物理结构：多块基板采用非平行的方式进行安装，且每一块基板上均设有元器件，元器件的安装方式具有多样性。电气连接：基板间采用柔性电路或焊接的方式相连，基板中芯片的电气连接多样化。SiP模组是一个功能齐全的子系统，它将一个或多个IC芯片及被动元件整合在一个封装中。江西BGA封装定制

3D封装结构的主要优点是使数据传输率更高。对于具有 GHz 级信号传输的高性能应用，导体损耗和介电损耗会引起信号衰减，并导致低压差分信号中的眼图不清晰。信号走线设计的足够宽以抵消GHz传输的集肤效应，但走线的物理尺寸，包括横截面尺寸和介电层厚度都要精确制作，以更好的与spice模型模拟相互匹配。另一方面，晶圆工艺的进步伴随着主要电压较低的器件，这导致噪声容限更小，较终导致对噪声的敏感性增加。散布在芯片上的倒装凸块可作为具有稳定参考电压电平的先进芯片的稳定电源传输系统。河南COB封装市场价格SiP系统级封装为设备提供了更高的性能和更低的能耗，使电子产品在紧凑设计的同时仍能实现突出的功能。

SIP工艺解析，引线键合封装工艺工序介绍：圆片减薄，为保持一定的可操持性，Foundry出来的圆厚度一般在700um左右。封测厂必须将其研磨减薄，才适用于切割、组装，一般需要研磨到200um左右，一些叠die结构的memory封装则需研磨到50um以下。圆片切割，圆片减薄后，可以进行划片，划片前需要将晶元粘贴在蓝膜上，通过sawwing工序，将wafer切成一个 一个 单独的Dice。目前主要有两种方式：刀片切割和激光切割。芯片粘结，贴装的方式可以是用软焊料(指Pb-Sn合金，尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封装中较常用的方法是使用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。

SiP 可以将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，诸如 MEMS 或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。这么看来，SiP 和 SoC 极为相似，两者的区别是什么？能较大限度地优化系统性能、避免重复封装、缩短开发周期、降低成本、提高集成度。对比 SoC，SiP 具有灵活度高、集成度高、设计周期短、开发成本低、容易进入等特点。而 SoC 发展至今，除了面临诸如技术瓶颈高、CMOS、DRAM、GaAs、SiGe 等不同制程整合不易、生产良率低等技术挑战尚待克服外，现阶段 SoC 生产成本高，以及其所需研发时间过长等因素，都造成 SoC 的发展面临瓶颈，也造就 SiP 的发展方向再次受到普遍的讨论与看好。SiP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装。

PiP (Package In Package)， 一般称堆叠封装又称封装内的封装，还称器件内置器件，是在同一个封装腔体内堆叠多个芯片形成3D 封装的一种技术方案。封装内芯片通过金线键合堆叠到基板上，同样的堆叠，通过金线再将两个堆叠之间的基板键合，然后整个封装成一个元件便是PiP（器件内置器件）。PiP封装技术较初是由KINGMAX公司研发的一种电子产品封装技术，该技术整合了PCB基板组装及半导体封装制作流程，可以将小型存储卡所需 要的零部件（控制器、闪存集成电路、基础材质、无源计算组件）直接封装，制成功能完整的Flash存储卡产 品。PiP一体化封装技术具有下列技术优势：超大容量、高读写速度、坚固耐用、强防水、防静电、耐高温等， 因此常运用于SD卡、XD卡、MM卡等系列数码存储卡上。不同的芯片排列方式，与不同的内部接合技术搭配，使 SiP 的封装形态产生多样化的组合。江西BGA封装定制

SiP封装为芯片提供支撑，散热和保护，同时提供芯片与基板之间的供电和机械链接。江西BGA封装定制

随着物联网时代越来越深入人心，不断的开发和研究有助于使SiP更接近SoC，降低成本，减少批量要求和初始投资，并在系统简化方面呈现积极趋势。此外，制造越来越大的单片SoC的推动力开始在设计验证和可制造性方面遇到障碍，因为拥有更大的芯片会导致更大的故障概率，从而造成更大的硅晶圆损失。从IP方面来看，SiP是SoC的未来替代品，因为它们可以集成较新的标准和协议，而无需重新设计。此外，SiP方法允许更快、更节能的通信和电力输送，这是在考虑Si应用的长期前景时另一个令人鼓舞的因素。江西BGA封装定制