WD3139:高效38V升压型白色LED驱动器
产品描述
WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED,电流限制为1.2A,过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制(PWM)信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行,以减少输出纹波、提高转换效率,并允许使用小型外部组件。
封装与环保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封装,标准产品为无铅和无卤素。
产品特性:
输入电压范围:2.7~5.5V
开路LED保护:38V(典型值)
参考电压:200mV(±5%)
开关频率:1MHz(典型值)
效率:高达92%
主开关电流限制:1.2A(典型值)
PWM调光频率:5KHz至200KHzPWM
调光占空比:0.5%~100%
应用领域:
智能手机
平板电脑
便携式游戏机
WD3139是一款专为串联白色LED设计的高效驱动器。提供1.2A电流限制和38V过压保护,确保LED稳定安全。支持PWM调光,1MHz开关频率提升转换效率并减少输出纹波。适用于智能手机、平板等便携设备的LED背光或指示灯。小巧封装且环保,是理想选择。详情请查阅数据手册或联系我们。 WS72358M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。中文资料WILLSEMI韦尔WS4672D
ESD73011N:单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器
ESD73011N是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD73011N包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。
其主要特性包括:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.40pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=9.5V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域包括:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73011N为需要高速数据传输和严格ESD防护的应用提供了出色的保护。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。 中文资料WILLSEMI韦尔WMM7018ABENA0-3/TRESD56051N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。
ESDA6V8AV6静电放电(ESD)保护的瞬态电压抑制器
产品描述:
ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器,为可能受到静电放电(ESD)影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态,这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上;对于负瞬态,则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击,超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883(方法3015)中的人体模型(HBM)ESD规格,该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装,工作电压为5伏特。
规格特性:
· 工作峰值反向电压:5V
· 低漏电流:<1uA@3V
· 高ESD保护水平:每HBM>20kV
· IEC61000-4-2四级ESD保护
· IEC61000-4-4四级EFT保护
· 五种单独的单向配置
机械特性:
· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳
· 耐腐蚀表面,易于焊接
应用领域:
· 手机和配件
· 个人数字助理(PDA)
· 笔记本电脑、台式机和服务器
· 便携式仪器
· 数码相机
· 外设MP3播放器
ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器,保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流,能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准,适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。
RB521C30:肖特基势垒二极管
· 重复峰值反向电压 VRM 30 V
· 直流反向电压 VR 30 V
· 平均整流正向电流 IO 100 mA
产品特性:
100mA平均整流正向电流:RB521C30具有出色的电流处理能力,能够处理高达100mA的平均整流正向电流,使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。
低正向电压:肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点,这意味着在正向偏置条件下,它需要的电压较低,从而降低了功耗。
低漏电流:RB521C30的漏电流非常低,这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。
小型SOD-923封装:这款二极管采用紧凑的SOD-923封装,使其适合在空间受限的应用中使用,如便携式设备和小型电路板。
应用领域:
RB521C30肖特基势垒二极管特别适合用于低电流整流应用。在电路中,它能够将交流信号转换为直流信号,这对于许多电子设备来说都是至关重要的。由于其低正向电压和低漏电流的特性,它特别适用于需要高效能和低功耗的场合,如电池供电的设备或需要长时间运行的系统。此外,其紧凑的封装形式也使得它成为空间受限应用的理想选择。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD9B5VDA-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-923。
ESD5431Z-2/TR:电子设备的瞬态电压守护神
ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制,确保在数据线和控制线受到过应力时,能够迅速抑制电压波动,保护敏感电子元件免受损坏。
这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力,根据IEC61000-4-2标准,它能承受高达±30kV的接触放电,确保在极端情况下仍能有效保护电路,能够承受高达40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集成更为便捷,同时无铅和不含卤素的标准也符合环保要求。
无论是手机、计算机还是微处理器,它都能为这些设备提供坚实的电压保护,确保它们在各种恶劣环境下都能稳定运行。应用在工业、医疗还是消费电子领域等。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5431Z-2/TR这款ESD,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。 WAS4768Q-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装:QFN-10(1.8x1.4)。代理分销商WILLSEMI韦尔WS72042
WAS7227Q-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装:WQFN-10(1.4x1.8)。中文资料WILLSEMI韦尔WS4672D
ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD5311X可提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准,能承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装,为标准无铅且无卤素产品。
主要特性:
截止电压:5V
根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)
根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)
极低电容:CJ=0.25pF(典型值)
极低漏电流:IR<1nA(典型值)
低钳位电压:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域:
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD5311X是一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,可承受高达±20kV的静电放电和4A的峰值脉冲电流,保护电子组件免受损害。适用于USB、HDMI、SATA等接口,确保数据传输的稳定性。紧凑、环保,广泛应用于便携式设备和笔记本电脑。如需更多信息,请查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WS4672D