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SMT制程在SIP工艺流程中的三部分都有应用：1st SMT PCB贴片 + 3rd SMT FPC贴镍片 + 4th SMT FPC+COB。SiP失效模式和失效机理，主要失效模式：(1) 焊接异常：IC引脚锡渣、精密电阻连锡。Ø 原因分析：底部UF (Underfill底部填充）胶填充不佳，导致锡进入IC引脚或器件焊盘间空洞造成短路。(2) 机械应力损伤：MOS芯片、电容裂纹。Ø 原因分析：(1) SiP注塑后固化过程产生的应力;（2）设备/治具产生的应力。(3) 过电应力损伤：MOS、电容等器件EOS损伤。Ø 原因分析：PCM SiP上的器件受电应力损伤（ESD、测试设备浪涌等）。SiP可以说是先进的封装技术、表面安装技术、机械装配技术的融合。深圳SIP封装服务商

SiP 与先进封装也有区别：SiP 的关注点在于系统在封装内的实现，所以系统是其重点关注的对象，和 SiP 系统级封装对应的为单芯片封装；先进封装的关注点在于：封装技术和工艺的先进性，所以先进性的是其重点关注的对象，和先进封装对应的是传统封装。SiP 封装并无一定形态，就芯片的排列方式而言，SiP 可为多芯片模块（Multi-chipModule；MCM）的平面式 2D 封装，也可再利用 3D 封装的结构，以有效缩减封装面积；而其内部接合技术可以是单纯地打线接合（WireBonding)，亦可使用覆晶接合（FlipChip)，但也可二者混用。河北IPM封装厂商SiP 封装采用超薄的芯片堆叠与TSV技术使得多层芯片的堆叠封装体积减小。

对于堆叠结构，可以区分如下几种：芯片堆叠、PoP、PiP、TSV。堆叠芯片，是一种两个或更多芯片堆叠并粘合在一个封装中的组装技术。这较初是作为一种将两个内存芯片放在一个封装中以使内存密度翻倍的方法而开发的。 无论第二个芯片是在头一个芯片的顶部还是在它旁边，都经常使用术语“堆叠芯片”。技术已经进步，可以堆叠许多芯片，但总数量受到封装厚度的限制。芯片堆叠技术已被证明可以多达 24 个芯片堆叠。然而，大多数使用9 芯片高度的堆叠芯片封装技术的来解决复杂的测试、良率和运输挑战。芯片堆叠也普遍应用在传统的基于引线框架的封装中，包括QFP、MLF 和 SOP 封装形式。如下图2.21的堆叠芯片封装形式。

SMT生产工艺挑战：元件小型化，Chip元件逐步淘汰，随着产品集成化程度越来越高，产品小型化趋势不可避免，因此0201元件在芯片级制造领域受到微型化发展趋势，将被逐步淘汰。Chip元件普及，随着苹果i-watch的面世，SIP的空间设计受到挑战，伴随苹果，三星等移动设备的高标要求，01005 chip元件开始普遍应用在芯片级制造领域。Chip元件开始推广，SIP工艺的发展，要求元件板身必须小型化，随着集成的功能越来越多，PCB承载的功能将逐步转移到SIP芯片上，这就要求SIP在满足功能的前提下，还能降尺寸控制在合理范围，由此催生出0201元件的推广与应用。SIP发展趋势，多样化，复杂化，密集化。

PoP封装技术有以下几个有点：1）存储器件和逻辑器件可以单独地进行测试或替换，保障了良品率；2）双层POP封装节省了基板面积, 更大的纵向空间允许更多层的封装；3）可以沿PCB的纵向将Dram,DdramSram,Flash,和 微处理器进行混合装联；4）对于不同厂家的芯片, 提供了设计灵活性,可以简单地混合装联在一起以满足客户的需求，降低了设计的复杂性和成本；5）目前该技术可以取得在垂直方向进行层芯片外部叠加装联；6）顶底层器件叠层组装的电器连接，实现了更快的数据传输速率，可以应对逻辑器件和存储器件之间的高速互联。SiP 封装所有元件在一个封装壳体内，缩短了电路连接，见笑了阻抗、射频、热等损耗影响。河南芯片封装流程

SiP整体制程囊括了着晶、打线、主/被动组件SMT及塑封技术。深圳SIP封装服务商

SiP失效机理：失效机理是指引起电子产品失效的物理、化学过程。导致电子产品失效的机理主要包括疲劳、腐蚀、电迁移、老化和过应力等物理化学作用。失效机理对应的失效模式通常是不一致的，不同的产品在相同的失效机理作用下会表现为不一样的失效模式。SiP产品引入了各类新材料和新工艺，特别是越来越复杂与多样化的界面和互连方式，这也必然引入新的失效机理与失效模式。SiP的基本组成包括芯片、组件和互连结构。不同功能的芯片通过粘接等方式安装在基板上，电学连接是通过键合丝键合、倒装焊、粘接、硅通孔等方式实现的。深圳SIP封装服务商