湖北陶瓷封装供应

sip封装的优缺点，SIP封装的优缺点如下：优点：结构简单：SIP封装的结构相对简单，制造和组装过程相对容易。成本低：SIP封装的制造成本较低，适合大规模生产。可靠性高：SIP封装具有较好的密封性能，可以免受环境影响，提高产品的可靠性。适应性强：SIP封装适用于对性能要求不高且需要大批量生产的低成本电子产品。缺点：引脚间距限制：SIP封装的引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2至23不等，这限制了其在一些高密度、高性能应用中的使用。不适用于高速传输：由于SIP封装的引脚间距较大，不适合用于高速数据传输。散热性能差：SIP封装的散热性能较差，可能不适用于高功耗的芯片。SIP是从封装的立场出发，对不同芯片进行并排或叠加的封装方式，实现一定功能的单个标准封装件。湖北陶瓷封装供应

SiP系统级封装(SiP)制程关键技术，高密度打件，在高密度打件制程方面，云茂电子已达到约为婴儿发丝直径的40μm。以10x10被动组件数组做比较，大幅缩减超过70%的主板面积，其中的40%乃源自于打件技术的突破。 塑封 由于高密度打件采用微小化元器件与制程，因此元器件与载板之间的连结，吃锡量大幅减少，为提高打件可靠度，避免外界湿度、高温及压力等影响，塑封制程可将完整的元器件密封包覆在载板上。相较于一般委外封测(OSAT)塑封约100颗左右，云茂电子的系统级封装塑封技术，则是可容纳高达900颗组件。 湖北陶瓷封装供应固晶贴片机（Die bonder），是封装过程中的芯片贴装（Die attach）的主要设备。

SiP主流的封装结构形式，SiP主流的封装形式有可为多芯片模块(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封装，2D封装中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封装中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D结构是将芯片与芯片直接堆叠，可采用引线键合、倒装芯片或二者混合的组装工艺，也可采用硅通孔技术进行互连。

SiP芯片成品的制造过程，系统级封装（SiP）技术种类繁多，本文以双面塑封SiP产品为例，简要介绍SiP芯片成品的制造过程。SiP封装通常在一块大的基板上进行，每块基板可以制造几十到几百颗SiP成品。无源器件贴片，倒装芯片封装（Flip Chip）贴片——裸片（Die）通过凸点（Bump）与基板互连，回流焊接（正面）——通过控制加温熔化封装锡膏达到器件与基板间的键合焊线，键合（Wire Bond）——通过细金属线将裸片与基板焊盘连接塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保护裸片及元器件。SIP模组能够减少仓库备料的项目及数量，简化生产的步骤。

3D SIP。3D封装和2.5D封装的主要区别在于：2.5D封装是在Interposer上进行布线和打孔，而3D封装是直接在芯片上打孔和布线，电气连接上下层芯片。3D集成目前在很大程度上特指通过3D TSV的集成。物理结构：所有芯片及无源器件都位于XY平面之上且芯片相互叠合，XY平面之上设有贯穿芯片的TSV，XY平面之下设有基板布线及过孔。电气连接：芯片采用TSV与RDL直接电连接。3D集成多适用于同类型芯片堆叠，将若干同类型芯片竖直叠放，并由贯穿芯片叠放的TSV相互连接而成，见下图。类似的芯片集成多用于存储器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。SiP技术路线表明，越来越多的半导体芯片和封装将彼此堆叠，以实现更深层次的3D封装。湖北陶瓷封装供应

系统级封装（SiP）技术是通过将多个裸片（Die）及无源器件整合在单个封装体内的集成电路封装技术。湖北陶瓷封装供应

SiP具有以下优势：可靠性 – 由于SiP与使用分立元件（如IC或无源器件）的PCB系统非常相似，因此它们至少具有相同的预期故障概率。额外的可靠性来自所涉及的封装，这可以增强系统并为设备提供更长的使用寿命。一个例子是使用模塑来封装系统，从而保护焊点免受物理应力的影响。天线集成 – 在许多无线应用（蓝牙、WiFi）中，都需要天线。在系统级封装解决方案中，天线可以集成到封装中，与RF IC的距离非常短，从而确保无线解决方案的更高性能。湖北陶瓷封装供应