企业商机
SIP封装基本参数
  • 品牌
  • 云茂
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • B***GA,CSP,QFP/PFP,MCM,SDIP,SOP/SOIC,PLCC,TSOP,TQFP,PQFP,SMD,DIP
SIP封装企业商机

硅中介层具有TSV集成方式为2.5D集成技术中较为普遍的方式,芯片一般用MicroBump与中介层连接,硅基板做中介层使用Bump与基板连接,硅基板的表面采用RDL接线,TSV是硅基板上、下表面的电连接通道,该2.5D集成方式适用于芯片尺寸相对较大的场合,当引脚密度较大时,通常采用Flip Chip方式将Die键合到硅基板中。硅中介层无TSV的2.5D集成结构一般如下图所示,有一颗面积较大的裸芯片直接安装在基板上,该芯片和基板的连接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip两种方式。大芯片上方由于面积较大,可以安装多个较小的裸芯片,但是小芯片无法直接连接到基板,所以需要插入一块中介层,若干裸芯片安装于中介层之上,中介层具有RDL布线可以从中介层边缘引出芯片信号,再经Bond Wire 与基板相连。这种中介层一般无需TSV,只需在interposer的上层布线来实现电气互连,interposer采用Bond Wire和封装基板连接。构成SiP技术的要素是封装载体与组装工艺。四川系统级封装流程

四川系统级封装流程,SIP封装

SiP是使用成熟的组装和互连技术,把各种集成电路器件(IC、MOS等)以及各类无源元件如电阻、电容等集成到一个封装体内,实现整机系统的功能。由于SiP电子产品向高密度集成、功能多样化、小尺寸等方向发展,传统的失效分析方法已不能完全适应当前技术发展的需要。为了满足SiP产品的失效分析,实现内部互连结构和芯片内部结构中失效点的定位,分析技术必须向高空间分辨率、高电热测试灵敏度以及高频率的方向发展。典型的SiP延用COB工艺,将电路板的主要器件塑封(COB),再把COB器件以元器件贴片到FPC软板上。湖南SIP封装工艺SiP是使用成熟的组装和互连技术,把各种集成电路器件集成到一个封装体内,实现整机系统的功能。

四川系统级封装流程,SIP封装

基板的分类:封装基板的分类有很多种,目前业界比较认可的是从增强材料和结构两方面进行分类。结构分类:刚性基板材料和柔性基板材料。增强材料分类:有有机系(树脂系)、无机系(陶瓷系、金属系)和复合系;基板的处理,基板表面处理方式主要有:热风整平、有机可焊性保护涂层、化学镍金、电镀金。化学镍金:化学镍金是采用金盐及催化剂在80~100℃的温度下通过化学反应析出金层的方法进行涂覆的,成本比电镀低,但是难以控制沉淀的金属厚度,表面硬并且平整度差,不适合作为采用引线键合工艺封装基板的表面处理方式。

sip封装的优缺点,SIP封装的优缺点如下:优点:结构简单:SIP封装的结构相对简单,制造和组装过程相对容易。成本低:SIP封装的制造成本较低,适合大规模生产。可靠性高:SIP封装具有较好的密封性能,可以免受环境影响,提高产品的可靠性。适应性强:SIP封装适用于对性能要求不高且需要大批量生产的低成本电子产品。缺点:引脚间距限制:SIP封装的引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从2至23不等,这限制了其在一些高密度、高性能应用中的使用。不适用于高速传输:由于SIP封装的引脚间距较大,不适合用于高速数据传输。散热性能差:SIP封装的散热性能较差,可能不适用于高功耗的芯片。先进封装的制造过程中,任何一个环节的失误都可能导致整个封装的失败。

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SiP具有以下优势:降低成本 – 通常伴随着小型化,降低成本是一个受欢迎的副作用,尽管在某些情况下SiP是有限的。当对大批量组件应用规模经济时,成本节约开始显现,但只限于此。其他可能影响成本的因素包括装配成本、PCB设计成本和离散 BOM(物料清单)开销,这些因素都会受到很大影响,具体取决于系统。良率和可制造性 – 作为一个不断发展的概念,如果有效地利用SiP专业知识,从模塑料选择,基板选择和热机械建模,可制造性和产量可以较大程度上提高。SiP封装为芯片提供支撑,散热和保护,同时提供芯片与基板之间的供电和机械链接。四川系统级封装流程

消费电子目前SiP在电子产品里应用越来越多,尤其是 TWS 耳机、智能手表、UWB 等消费电子领域。四川系统级封装流程

晶圆级封装(WLP):1、定义,在晶圆原有状态下重新布线,然后用树脂密封,再植入锡球引脚,然后划片将其切割成芯片,从而制造出真实芯片大小的封装。注:重新布线是指在后段制程中,在芯片表面形成新的布线层。2、优势,传统封装中,将芯片装进封装中的时候,封装的尺寸都要大于芯片尺寸。WLP技术的优势是能够实现几乎与芯片尺寸一样大小的封装。不只芯片是批量化制造,而且封装也是批量化制造,可以较大程度上降低成本。WLP技术使用倒装焊技术(FCB),所以被称为FBGA(Flip Chip类型的BGA),芯片被称为晶圆级CSP(Chip Size Package)。工艺流程,晶圆级封装工艺流程:① 再布线工程(形成重新布线层的层间绝缘膜[中间介质层]);② 形成通孔和重新布线层(用来连接芯片和外部端子);③ 形成铜柱,并在铜柱上面生成凸点;④ 用树脂密封,再形成焊球并用划片机切割成所需的芯片。四川系统级封装流程

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PoP封装技术有以下几个有点:1)存储器件和逻辑器件可以单独地进行测试或替换,保障了良品率;2)双层POP封装节省了基板面积, 更大的纵向空间允许更多层的封装;3)可以沿PCB的纵向将Dram,DdramSram,Flash,和 微处理器进行混合装联;4)对于不同厂家的芯片, 提供了设计灵活性,可以简单地混合装联在一起以满足客户的需求,降低了设计的复杂性和成本;5)目前该技术可以取得在垂直方向进行层芯片外部叠加装联;6)顶底层器件叠层组装的电器连接,实现了更快的数据传输速率,可以应对逻辑器件和存储器件之间的高速互联。系统级封装(SiP)技术是通过将多个裸片(Die)及无源器件整合在单个封装体内...

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