NPN型硅三极管.我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic.这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向.三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百).如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射 极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化.如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化.我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了.三极管的放大倍数可以很大，可达到几百倍。浙江电子三极管原理
制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给。深圳原装三极管厂家直销晶体三极管的原理是基于PN结的电子输运和控制。
三极管有90×&TImes;系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则，电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。符号的一部分“3”表示三极管。符号的二部分表示器件的材料和结构：A——PNP型锗材料；B——NPN型锗材料；C——PNP型硅材料；D——NPN型硅材料。符号的三部分表示功能：U——光电管；K——开关管；X——低频小功率管；G——高频小功率管；D——低频大功率管；A——高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。
三极管的温度对其工作性能有以下影响：饱和电流（ICsat）：随着温度的升高，饱和电流会增加，导致三极管的放大能力下降。基极电压（VBE）：随着温度的升高，基极电压会下降，导致三极管的放大能力下降。漏极电流（ICBO）：随着温度的升高，漏极电流会增加，导致三极管的静态工作点偏移。为了解决温度效应带来的问题，可以采取以下措施：温度补偿电路：通过在电路中加入温度补偿电路，可以校正温度对三极管工作的影响。例如，可以使用温度补偿二极管来抵消基极电压的温度变化。散热设计：通过合理的散热设计，可以降低三极管的工作温度，减少温度效应对其性能的影响。例如，可以使用散热片、风扇等散热装置来提高散热效果。选择合适的工作点：在设计电路时，可以选择合适的工作点，使得三极管在正常工作温度范围内能够保持稳定的工作性能。选择温度稳定性较好的器件：在选用三极管时，可以选择具有较好温度稳定性的器件，以减小温度效应对其工作性能的影响。 三极管可以控制电流的开关，实现电路的开关功能。
三极管的输入特性是指输入电流与输入电压之间的关系，通常用输入特性曲线来描述。输入特性曲线是以输入电压为横坐标，输入电流为纵坐标的曲线，可以分为基极电流-基极电压特性曲线和集电极电流-基极电压特性曲线。基极电流-基极电压特性曲线描述了三极管的输入电流与基极电压之间的关系。当基极电压小于某个阈值时，输入电流非常小，基本上可以忽略不计；当基极电压超过阈值时，输入电流迅速增加。这个阈值称为饱和电压，通常用Vbe(sat)表示。锗三极管已经逐渐被硅三极管所取代。东莞贴片三极管多少钱
与其他电子元件组合起来，三极管还可以构成振荡器，产生高频信号。在射频通信领域，振荡器是非常重要元件。浙江电子三极管原理
三极管的运用：
（1）NPN型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V，即发射结正偏（VBE为正），NPN型三极管即可开始导通。基极用高电平驱动NPN型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND；优点是：①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的低电平。
（2）PNP型三极管，适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压（此处为VCC）0.7V，即发射结反偏（VBE为负），PNP型三极管即可开始导通。基极用低电平驱动PNP型三极管导通（高电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC。
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