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电容基本参数
  • 品牌
  • 红宝石,黑金刚,华宏,立隆
  • 型号
  • 16V47UF
  • 电压类型
  • 直流
  • 用途
  • 电源滤波
  • 调节方式
  • 固定
  • 引线方式
  • 同向
  • 外形
  • 圆柱形
  • 极性
  • 有极性
  • 结构
  • 固定电容器
  • 功率特性
  • 中,小
  • 频率特性
  • 高频,低频
  • 标称电容量
  • 4700
  • 额定电压
  • 16
  • 耐压值
  • 20
  • 允许误差
  • 20
  • 温度系数
  • -40+105
  • 产地
  • 国产
  • 颜色
  • 黑色,绿色
  • 直插铝电解电容
  • 6.3V-400V
  • 贴片铝电解电容
  • 6.3V-400V
电容企业商机

电容(或称电容量)是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲,它是一种静态电荷存储介质,可能电荷会如存在,这是它的特征,它的用途较广,它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。电容是指容纳电场的能力。任何静电场都是由许多个电容组成,有静电场就有电容,电容是用静电场描述的。电容也常常在高速电路中扮演重要角色。电容的耦合又称“电场耦合” 耦合是指信号由是一级向是二级传递的过程,一般不加注明时往往是指交流耦合。kxy电容是就选凯轩业电子原装品质有限公司。甘肃电容

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电容的种类可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上可以分为:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等[3]。无极性可变电容制作工艺:可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜,定片为镀有金属膜的陶瓷底;动片为同轴金属片,定片为有机薄膜片作介质优点:容易生产,技术含量低。缺点:体积大,容量小用途:改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路[3]无极性无感CBB电容制作工艺:2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。优点:无感,高频特性好,体积较小缺点:不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差。用途:耦合/震荡,音响,模拟/数字电路,高频电源滤波/退耦[3]无极性CBB电容制作工艺:2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。优点:有感,高频特性好,体积较小缺点:不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差。用途:耦合/震荡,模拟/数字电路,电源滤波/退耦甘肃电容电容厂家直销,认准深圳市凯轩业,型号齐全,价格优势,品质有保证!

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电容的作用——滤波滤波是电容的作用中很重要的一部分。几乎所有的电源电路中都会用到。从理论上(即假设电容为纯电容)说,电容越大,阻抗越小,通过的频率也越高。但实际上超过1uF的电容大多为电解电容,有很大的电感成份,所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容,这时大电容通低频,小电容通高频。电容的作用就是通高频阻低频。电容越大低频越容易通过,电容越小高频越容易通过。具体用在滤波中,大容量电容滤低频,小容量电容滤去高频。kxy

去藕电容:去耦电容,是把输出信号的干扰作为滤除对象,去耦电容相当于电池,利用其充放电,使得放大后的信号不会因电流的突变而受干扰。它的容量根据信号的频率、抑制波纹程度而定,去藕电容就是起到一个“电池”的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。电容也常常在高速电路中扮演重要角色。电容的耦合又称“电场耦合” 耦合是指信号由是一级向是二级传递的过程,一般不加注明时往往是指交流耦合。厂家直销,原装品质,电容是就选凯轩业科技。

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电容(或称电容量)是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲,它是一种静态电荷存储介质,可能电荷会如存在,这是它的特征,它的用途较广,它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。电容是指容纳电场的能力。任何静电场都是由许多个电容组成,有静电场就有电容,电容是用静电场描述的。电容也常常在高速电路中扮演重要角色。电容的耦合又称“电场耦合” 耦合是指信号由是一级向是二级传递的过程,一般不加注明时往往是指交流耦合。用户的信赖之选,圳市凯轩业科技是一家专业电容方案设计公司,期待您的光临!甘肃电容

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用数字万用表检测电容器,可按以下方法进行。

一、用电容档直接检测某些数字万用表具有测量电容的功能,其量程分为2000p、20n、200n、2μ和20μ五档。测量时可将已放电的电容两引脚直接插入表板上的Cx插孔,选取适当的量程后就可读取显示数据。2000p档,宜于测量小于2000pF的电容;20n档,宜于测量2000pF至20nF之间的电容;200n档,宜于测量20nF至200nF之间的电容;2μ档,宜于测量200nF至2μF之间的电容;20μ档,宜于测量2μF至20μF之间的电容。经验证明,有些型号的数字万用表(例如DT890B+)在测量50pF以下的小容量电容器时误差较大,测量20pF以下电容几乎没有参考价值。此时可采用并联法测量小值电容。方法是:先找一只220pF左右的电容,用数字万用表测出其实际容量C1,然后把待测小电容与之并联测出其总容量C2,则两者之差(C1-C2)即是待测小电容的容量。用此法测量1~20pF的小容量电容很准确。 甘肃电容

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