山东WLCSP封装方式

PiP (Package In Package)， 一般称堆叠封装又称封装内的封装，还称器件内置器件，是在同一个封装腔体内堆叠多个芯片形成3D 封装的一种技术方案。封装内芯片通过金线键合堆叠到基板上，同样的堆叠，通过金线再将两个堆叠之间的基板键合，然后整个封装成一个元件便是PiP（器件内置器件）。PiP封装技术较初是由KINGMAX公司研发的一种电子产品封装技术，该技术整合了PCB基板组装及半导体封装制作流程，可以将小型存储卡所需 要的零部件（控制器、闪存集成电路、基础材质、无源计算组件）直接封装，制成功能完整的Flash存储卡产 品。PiP一体化封装技术具有下列技术优势：超大容量、高读写速度、坚固耐用、强防水、防静电、耐高温等， 因此常运用于SD卡、XD卡、MM卡等系列数码存储卡上。先进封装对于精度的要求非常高，因为封装中的芯片和其他器件的尺寸越来越小，而封装密度却越来越大。山东WLCSP封装方式

SiP 与其他封装形式又有何区别？SiP 与 3D、Chiplet 的区别Chiplet 可以使用更可靠和更便宜的技术制造，也不需要采用同样的工艺，同时较小的硅片本身也不太容易产生制造缺陷。不同工艺制造的 Chiplet 可以通过先进封装技术集成在一起。Chiplet 可以看成是一种硬核形式的 IP，但它是以芯片的形式提供的。3D 封装就是将一颗原来需要一次性流片的大芯片，改为若干颗小面积的芯片，然后通过先进的封装工艺，即硅片层面的封装，将这些小面积的芯片组装成一颗大芯片，从而实现大芯片的功能和性能，其中采用的小面积芯片就是 Chiplet。 因此，Chiplet 可以说是封装中的单元，先进封装是由 Chiplet /Chip 组成的，3D 是先进封装的工艺手段，SiP 则指代的是完成的封装整体。通过 3D 技术，SiP 可以实现更高的系统集成度，在更小的面积内封装更多的芯片。不过，是否采用了先进封装工艺，并不是 SiP 的关注重点，SiP 关注系统在封装内的实现。山东WLCSP封装方式不同的芯片排列方式，与不同的内部接合技术搭配，使 SiP 的封装形态产生多样化的组合。

SiP 封装种类，SiP涉及许多类型的封装技术，如超精密表面贴装技术（SMT）、封装堆叠技术，封装嵌入式技术、超薄晶圆键合技术、硅通孔（TSV）技术以及芯片倒装（Flip Chip）技术等。 封装结构复杂形式多样。SiP几种分类形式，从上面也可以看到SiP是先进的封装技术和表面组装技术的融合。SiP并没有一定的结构形态，芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。由于2D封装无法满足系统的复杂性，必须充分利用垂直方向来进一步扩展系统集成度，故3D成为实现小尺寸高集成度封装的主流技术。

较终的SiP是什么样子的呢？理论上，它应该是一个与外部没有任何连接的单独组件。它是一个定制组件，非常适合它想要做的工作，同时不需要外部物理连接进行通信或供电。它应该能够产生或获取自己的电力，自主工作，并与信息系统进行无线通信。此外，它应该相对便宜且耐用，使其能够在大多数天气条件下运行，并在发生故障时廉价更换。随着对越来越简化和系统级集成的需求，这里的组件将成为明天的SiP就绪组件，而这里的SiP将成为子系统级封装（SSiP）。SiP就绪组件和SSiP将被集成到更大的SiP中，因为系统集成使SiP技术越来越接近较终目标：较终SiP。SiP 在应用终端产品领域（智能手表、TWS、手机、穿戴式产品、智能汽车）的爆发点也将愈来愈近。

SiP的未来趋势和事例，人们可以将SiP总结为由一个衬底组成，在该衬底上将多个芯片与无源元件组合以创建一个完整的功能单独封装，只需从外部连接到该封装即可创建所需的产品。由于由此产生的尺寸减小和紧密集成，SiP在MP3播放器和智能手机等空间受限的设备中非常受欢迎。另一方面，如果只要有一个组件有缺陷，整个系统就会变得无法正常工作，从而导致制造良率下降。尽管如此，推动SiP更多开发和生产的主要驱动力是早期的可穿戴设备，移动设备和物联网设备市场。在当前的SiP限制下，需求仍然是可控的，其数量低于成熟的企业和消费类SoC市场。SiP 可将不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多种材料进行组合进行一体化封装。山东WLCSP封装方式

SiP系统级封装以其更小、薄、轻和更多功能的竞争力，为芯片和器件整合提供了新的可能性。山东WLCSP封装方式

PiP封装的优点：1）外形高度较低；2）可以采用标准的SMT电路板装配工艺；3）单个器件的装配成本较低。PiP封装的局限性：（1）由于在封装之前单个芯片不可以单独测试，所以总成本会高（封装良率问题）；（2）事先需要确定存储器结构，器件只能有设计服务公司决定，没有终端使用者选择的自由。TSV，W2W的堆叠是将完成扩散的晶圆研磨成薄片，逐层堆叠而成。层与层之间通过直径在10µm以下的细微通孔而实现连接。此种技术称为TSV（Through silicon via）。与常见IC封装的引线键合或凸点键合技术不同，TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度更大、外形尺寸更小，并且较大程度上改善芯片速度和降低功耗，成为3D芯片新的发展方向。山东WLCSP封装方式