北京COB封装

电镀镍金：电镀是指借助外界直流电的作用，在溶液中进行电解反应，是导电体（例如金属）的表面趁机金属或合金层。电镀分为电镀硬金和软金工艺，镀硬金与软金的工艺基本相同，槽液组成也基本相同，区别是硬金槽内添加了一些微量金属镍或钴或铁等元素，由于电镀工艺中镀层金属的厚度和成分容易控制，并且平整度优良，所以在采用键合工艺的封装基板进行表面处理时，一般采用电镀镍金工艺，铝线的键合一般采用硬金，金线的键合一般都用软金。随着SIP封装元件数量和种类增多，在尺寸受限或不变的前提下，要求单位面积内元件密集程度必须增加。北京COB封装

系统集成封装（System in Package）可将多个集成电路 (IC) 和元器件组合到单个系统或模块化系统中，以实现更高的性能，功能和处理速度，同时大幅降低电子器件内部的空间要求。SiP的基本定义，SiP封装（System In Package系统级封装）是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能，与SOC（System On Chip系统级芯片）相对应。不同的是SiP是采用不同功能的芯片在基板上进行并排或叠构后组成功能系统后进行封装。而SOC则是将所需的组件高度集成在一块芯片上进行封装。北京COB封装SIP（System In Package，系统级封装）为一种封装的概念。

SiP 与其他封装形式又有何区别？SiP 与 3D、Chiplet 的区别Chiplet 可以使用更可靠和更便宜的技术制造，也不需要采用同样的工艺，同时较小的硅片本身也不太容易产生制造缺陷。不同工艺制造的 Chiplet 可以通过先进封装技术集成在一起。Chiplet 可以看成是一种硬核形式的 IP，但它是以芯片的形式提供的。3D 封装就是将一颗原来需要一次性流片的大芯片，改为若干颗小面积的芯片，然后通过先进的封装工艺，即硅片层面的封装，将这些小面积的芯片组装成一颗大芯片，从而实现大芯片的功能和性能，其中采用的小面积芯片就是 Chiplet。 因此，Chiplet 可以说是封装中的单元，先进封装是由 Chiplet /Chip 组成的，3D 是先进封装的工艺手段，SiP 则指代的是完成的封装整体。通过 3D 技术，SiP 可以实现更高的系统集成度，在更小的面积内封装更多的芯片。不过，是否采用了先进封装工艺，并不是 SiP 的关注重点，SiP 关注系统在封装内的实现。

无引线缝合（Wireless Bonding）：1、定义，不使用金线连接芯片电极和封装基板的方法。2、分类；3、TAB，① 工艺流程，使用热棒工具，将划片后的芯片Al焊盘（通过电镀工艺形成Au凸点）与TAB引脚（在聚酰亚胺胶带开头处放置的Cu引脚上镀金而成）进行热黏合，使其键合到一起。② 特色，TAB引线有规则地排列在聚酰亚胺带上，以卷轴的形式存放。4、FCB，FCB工艺流程：① 在芯片电极上形成金球凸点；② 将芯片翻转朝下，与高性能LSI专门使用的多层布线封装基板的电极对齐，然后加热连接；③ 注入树脂以填满芯片与封装基板之间的间隙（底部填充）；④ 在芯片背面贴上散热片，在封装基板外部引脚挂上锡球。随着SiP模块成本的降低，且制造工艺效率和成熟度的提高。

3D主要有三种类型：埋置型、有源基板型、叠层型。其中叠层型是 当前普遍采用的封装形式。叠层型是在2D基础上，把多个裸芯片、封装芯片、多芯片组件甚至圆片进行垂直互连，构成立体叠层封装。可以通过三种方法实现：叠层裸芯片封装、封装堆叠直连和嵌入式3D封装。业界认定3D封装是扩展SiP应用的较佳方案，其中叠层裸芯片、封装堆叠、硅通孔互连等都是当前和将来3D封装的主流技术。并排放置（平面封装）的 SiP 是一种传统的多芯片模块封装形式，其中使用了引线键合或倒装芯片键合技术。微晶片的减薄化是SiP增长面对的重要技术挑战。北京COB封装

SiP 在应用终端产品领域（智能手表、TWS、手机、穿戴式产品、智能汽车）的爆发点也将愈来愈近。北京COB封装

SiP系统级封装需求主要包括以下几个方面：1、精度：先进封装对于精度的要求非常高，因为封装中的芯片和其他器件的尺寸越来越小，而封装密度却越来越大。因此，固晶设备需要具备高精度的定位和控制能力，以确保每个芯片都能准确地放置在预定的位置上。2、速度：先进封装的生产效率对于封装成本和产品竞争力有着重要影响。因此，固晶设备需要具备高速度的生产能力，以提高生产效率并降低成本。3、良品率：先进封装的制造过程中，任何一个环节的失误都可能导致整个封装的失败。因此，固晶设备需要具备高良品率的生产能力，以确保封装的质量和可靠性。北京COB封装