福建WLCSP封装供应

至于较初对SiP的需求，我们只需要看微处理器。微处理器的开发和生产要求与模拟电路、电源管理设备或存储设备的要求大不相同。这导致系统层面的集成度明显提高。尽管SiP一词相对较新，但在实践中SiP长期以来一直是半导体行业的一部分。在1970年代，它以自由布线、多芯片模块（MCM）和混合集成电路（HIC） 的形式出现。在 1990 年代，它被用作英特尔奔腾 Pro3 集成处理器和缓存的解决方案。如今，SiP已经变成了一种解决方案，用于将多个芯片集成到单个封装中，以减少空间和成本。SiP封装通常在一块大的基板上进行，每块基板可以制造几十到几百颗SiP成品。福建WLCSP封装供应

PoP封装技术有以下几个有点：1）存储器件和逻辑器件可以单独地进行测试或替换，保障了良品率；2）双层POP封装节省了基板面积, 更大的纵向空间允许更多层的封装；3）可以沿PCB的纵向将Dram,DdramSram,Flash,和 微处理器进行混合装联；4）对于不同厂家的芯片, 提供了设计灵活性,可以简单地混合装联在一起以满足客户的需求，降低了设计的复杂性和成本；5）目前该技术可以取得在垂直方向进行层芯片外部叠加装联；6）顶底层器件叠层组装的电器连接，实现了更快的数据传输速率，可以应对逻辑器件和存储器件之间的高速互联。河南MEMS封装技术先进封装对于精度的要求非常高，因为封装中的芯片和其他器件的尺寸越来越小，而封装密度却越来越大。

SiP 封装种类，SiP涉及许多类型的封装技术，如超精密表面贴装技术（SMT）、封装堆叠技术，封装嵌入式技术、超薄晶圆键合技术、硅通孔（TSV）技术以及芯片倒装（Flip Chip）技术等。 封装结构复杂形式多样。SiP几种分类形式，从上面也可以看到SiP是先进的封装技术和表面组装技术的融合。SiP并没有一定的结构形态，芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。由于2D封装无法满足系统的复杂性，必须充分利用垂直方向来进一步扩展系统集成度，故3D成为实现小尺寸高集成度封装的主流技术。

SiP可以说是先进的封装技术、表面安装技术、机械装配技术的融合。根据ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors）的定义：系统级封装是多个具有不同功能的有源电子元件的组合，组装在一个单元中，提供与系统或子系统相关的多种功能。一个SiP可以选择性地包含无源器件、MEMS、光学元件以及其他封装和设备。SiP 封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装，若就排列方式区分可大体分为平面式2D封装和3D封装的结构。采用堆叠的3D技术可以增加使用晶圆或模块的数量，从而在垂直方向上增加可放置晶圆的层数，进一步增强SiP技术的功能整合能力；而其内部接合技术可以是单纯的线键合（Wire Bonding），也可使用倒装键合（Flip chip），也可二者混用。SiP封装方法的应用领域逐渐扩展到工业控制、智能汽车、云计算、医疗电子等许多新兴领域。

合封电子的功能，性能提升，合封电子：通过将多个芯片或模块封装在一起，云茂电子可以明显提高数据处理速度和效率。由于芯片之间的连接更紧密，数据传输速度更快，从而提高了整体性能。稳定性增强，合封电子：由于多个芯片共享一些共同的功能模块，以及更紧密的集成方式，云茂电子可以减少故障率。功耗降低、开发简单，合封电子：由于多个芯片共享一些共同的功能模块，以及更紧密的集成方式，云茂电子可以降低整个系统的功耗。此外，通过优化内部连接和布局，可以进一步降低功耗。防抄袭，多个芯片和元器件模块等合封在一起，就算被采购，也无法模仿抄袭。SIP是从封装的立场出发，对不同芯片进行并排或叠加的封装方式，实现一定功能的单个标准封装件。辽宁IPM封装

SiP技术路线表明，越来越多的半导体芯片和封装将彼此堆叠，以实现更深层次的3D封装。福建WLCSP封装供应

3D SIP。3D封装和2.5D封装的主要区别在于：2.5D封装是在Interposer上进行布线和打孔，而3D封装是直接在芯片上打孔和布线，电气连接上下层芯片。3D集成目前在很大程度上特指通过3D TSV的集成。物理结构：所有芯片及无源器件都位于XY平面之上且芯片相互叠合，XY平面之上设有贯穿芯片的TSV，XY平面之下设有基板布线及过孔。电气连接：芯片采用TSV与RDL直接电连接。3D集成多适用于同类型芯片堆叠，将若干同类型芯片竖直叠放，并由贯穿芯片叠放的TSV相互连接而成，见下图。类似的芯片集成多用于存储器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。福建WLCSP封装供应