高压SOI工艺在MEMS芯片中的应用创新：高压SOI（绝缘体上硅）工艺是制备高耐压、低功耗MEMS芯片的**技术，公司在0.18μm节点实现了发射与开关电路的集成创新。通过SOI衬底的埋氧层（厚度1μm）隔离高压器件与低压控制电路，耐压能力达200V以上，漏电流＜1nA，适用于神经电刺激、超声驱动等高压场景。在神经电子芯片中，高压SOI工艺实现了128通道**驱动，每通道输出脉冲宽度1-1000μs可调，幅度0-100V可控，脉冲边沿抖动＜5ns，确保精细的神经信号调制。与传统体硅工艺相比，SOI芯片的寄生电容降低40%，功耗节省30%，芯片面积缩小50%。公司优化了SOI晶圆的键合与减薄工艺，将衬底厚度控制在100μm以下，支持芯片的柔性化封装。该技术突破了高压器件与低压电路的集成瓶颈，推动MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向发展，在植入式医疗设备、工业控制传感器等领域具有广阔应用前景。MEMS的光学超表面是什么？云南什么是MEMS微纳米加工
太赫兹柔性电极的双面结构设计与加工：太赫兹柔性电极以PI为基底，采用双面结构设计，上层实现太赫兹波发射/接收，下层集成信号处理电路，解决了传统刚性太赫兹器件的便携性难题。加工工艺包括：首先在双面抛光的PI基板上，利用电子束光刻制备亚微米级金属天线阵列（如蝴蝶结、螺旋结构），特征尺寸达500nm，周期1-2μm，实现对0.1-1THz频段的高效耦合；背面通过薄膜沉积技术制备氮化硅绝缘层，溅射铜箔形成共面波导传输线，线宽控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。电极整体厚度＜50μm，弯曲状态下信号衰减＜3dB，适用于人体安检、非金属材料检测等场景。在生物医学领域，太赫兹柔性电极可非侵入式检测皮肤水分含量，分辨率达0.1%，检测时间＜1秒，较传统电阻法精度提升5倍。公司开发的纳米压印技术实现了天线阵列的低成本复制，单晶圆（4英寸）产能达1000片以上，良率＞85%，推动太赫兹技术从实验室走向便携式设备，为无损检测与生物传感提供了全新维度的解决方案。内蒙古MEMS微纳米加工联系人MEMS器件制造工艺更偏定制化。
MEMS多重转印工艺与硬质塑料芯片快速成型：针对硬质塑料芯片的快速开发需求，公司**MEMS多重转印工艺。通过紫外光固化胶将硅母模上的微结构（精度±1μm）转印至PMMA、COC等工程塑料，10个工作日内即可完成从设计到成品的全流程交付。以器官芯片为例，该工艺制造的多层PMMA芯片集成血管网络与组织隔室，可模拟肺部的气体交换功能，用于药物毒性测试时，数据重复性较传统方法提升80%。此外，COP材质芯片凭借**蛋白吸附性（<3ng/cm²），成为抗体筛选与蛋白质结晶的**载体。该技术还支持复杂三维结构加工，例如仿生肝小叶芯片中的正弦状微流道，可精细调控细胞剪切力，提升原代肝细胞活性至95%以上。
弧形柱子点阵的微纳加工技术：弧形柱子点阵结构在细胞黏附、流体动力学调控中具有重要应用，公司通过激光直写与反应离子刻蚀（RIE）技术实现该结构的精密加工。首先利用激光直写系统在光刻胶上绘制弧形轨迹，**小曲率半径可达5μm，线条宽度10-50μm；然后通过RIE刻蚀硅片或石英基板，刻蚀速率50-200nm/min，侧壁弧度偏差＜±2°。柱子高度50-500μm，间距20-100μm，阵列密度可达10⁴个/cm²。在细胞培养芯片中，弧形柱子表面通过RGD多肽修饰，促进成纤维细胞沿曲率方向铺展，细胞取向率提升70%，用于肌腱组织工程研究。在微流控芯片中，弧形柱子阵列可降低流体阻力30%，减少气泡滞留，适用于高通量液滴生成系统，液滴尺寸变异系数＜5%。公司开发的弧形结构设计软件，支持参数化建模与加工路径优化，将设计到加工的周期缩短至3个工作日。该技术突破了传统直柱结构的局限性，为仿生微环境构建与流体控制提供了灵活的设计空间，在生物医学工程与微流控器件中具有广泛应用前景。基于 0.35/0.18μm 高压工艺的神经电刺激 SoC 芯片，实现多通道控制与生物相容性优化。
MEMS组合惯性传感器不是一种新的MEMS传感器类型，而是指加速度传感器、陀螺仪、磁传感器等的组合，利用各种惯性传感器的特性，立体运动的检测。组合惯性传感器的一个被广为熟悉的应用领域就是惯性导航，比如飞机/导弹飞行控制、姿态控制、偏航阻尼等控制应用、以及中程导弹制导、惯性GPS导航等制导应用。
惯性传感器分为两大类：一类是角速率陀螺；另一类是线加速度计。角速率陀螺又分为：机械式干式﹑液浮﹑半液浮﹑气浮角速率陀螺；挠性角速率陀螺；MEMS硅﹑石英角速率陀螺（含半球谐振角速率陀螺等）；光纤角速率陀螺；激光角速率陀螺等。线加速度计又分为：机械式线加速度计；挠性线加速度计；MEMS硅﹑石英线加速度计（含压阻﹑压电线加速度计）；石英挠性线加速度计等。 基于MEMS技术的RF射频器件是什么？河南MEMS微纳米加工平台
微纳加工产业化能力覆盖设计、工艺、量产全链条，月产能达 50,000 片并持续技术创新。云南什么是MEMS微纳米加工
神经电子芯片的MEMS微纳加工技术与临床应用：神经电子芯片作为植入式医疗设备的**组件，对微型化、生物相容性及功能集成度提出了极高要求。公司依托0.35/0.18μm高压工艺，成功开发多通道神经电刺激SoC芯片，可实现无线充电与通讯功能，将控制信号转化为精细电刺激脉冲，用于神经感知、调控及阻断。以128像素视网膜假体芯片为例，通过MEMS薄膜沉积技术在硅基基板上制备高密度电极阵列，单个电极尺寸*50μm×50μm，间距100μm，确保对视网膜神经细胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亚胺（PI）与氮化硅复合涂层，经120℃高温固化处理后，涂层厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附与炎症反应，植入体寿命可达5年以上。目前该芯片已批量交付，由母公司中科先见推进至临床前动物实验阶段，针对视网膜退行***变患者，可重建0.1-0.3的视力，为盲人复明提供了突破性解决方案。该技术突破了传统植入设备的体积限制，芯片整体厚度＜200μm，兼容微创植入手术，推动神经调控技术向精细化、长期化发展。云南什么是MEMS微纳米加工
