LPCVD设备的发展历史可以追溯到20世纪50年代，当时美国贝尔实验室的科学家们使用LPCVD方法在硅片上沉积多晶硅薄膜，并用于制造双极型晶体管。随后，LPCVD方法被广泛应用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、动态随机存储器（DRAM）、太阳能电池等器件。20世纪70年代，LPCVD方法开始用于沉积氮化硅和氧化硅等绝缘薄膜，用于制造互连层、保护层、栅介质层等结构。20世纪80年代，LPCVD方法开始用于沉积碳化硅等宽禁带半导体薄膜，用于制造高温、高功率、高频率等特殊应用的器件PECVD法具有灵活性高、沉积温度低、重复性好等特点，广泛应用在集成电路制造领域中介质材料的沉积。杭州真空镀膜工艺
蒸发物质的分子被电子撞击后沉积在固体表面称为离子镀。蒸发源接阳极，工件接阴极，当通以三至五千伏高压直流电以后，蒸发源与工件之间产生辉光放电。由于真空罩内充有惰性氩气，在放电电场作用下部分氩气被电离，从而在阴极工件周围形成一等离子暗区。带正电荷的氩离子受阴极负高压的吸引，猛烈地轰击工件表面，致使工件表层粒子和脏物被轰溅抛出，从而使工件待镀表面得到了充分的离子轰击清洗。随后，接通蒸发源交流电源，蒸发料粒子熔化蒸发，进入辉光放电区并被电离。带正电荷的蒸发料离子，在阴极吸引下，随同氩离子一同冲向工件，当抛镀于工件表面上的蒸发料离子超过溅失离子的数量时，则逐渐堆积形成一层牢固粘附于工件表面的镀层。重庆真空镀膜设备镀膜层能有效提升产品的化学稳定性。
LPCVD技术在光电子领域也有着广泛的应用，主要用于沉积硅基光波导、光谐振器、光调制器等器件所需的高折射率和低损耗的材料。由于光电子器件对薄膜质量和性能的要求非常高，LPCVD技术具有很大的优势，例如可以实现高纯度、低缺陷密度、低氢含量和低应力等特点。未来，LPCVD技术将继续在光电子领域发挥重要作用，为实现硅基光电集成提供可靠的技术支持。LPCVD技术在MEMS领域也有着重要的应用，主要用于沉积多晶硅、氮化硅等材料，作为MEMS器件的结构层。由于MEMS器件具有微纳米尺度的特点，对薄膜厚度和均匀性的控制非常严格，而LPCVD技术可以实现高精度和高均匀性的沉积。此外，LPCVD技术还可以通过掺杂或应力调节来改变薄膜的导电性或机械性能。因此，LPCVD技术在MEMS领域有着广阔的发展空间，为实现各种功能和应用的MEMS器件提供多样化的选择。
LPCVD设备的设备构造主要包括以下几个部分：真空系统、气体输送系统、反应室、加热系统、温度控制系统、压力控制系统、流量控制系统等。LPCVD设备的发展趋势主要有以下几点：（1）为了降低衬底材料的热损伤和热预算，提高沉积速率和产能，开发新型的低温LPCVD方法，如等离子体增强LPCVD（PE-LPCVD）、激光辅助LPCVD（LA-LPCVD）、热辐射辅助LPCVD（RA-LPCVD）等；（2）为了提高薄膜材料的质量和性能，开发新型的高纯度和高结晶度的LPCVD方法，如超高真空LPCVD（UHV-LPCVD）、分子束外延LPCVD（MBE-LPCVD）、原子层沉积LPCVD（ALD-LPCVD）等；（3）为了拓展薄膜材料的种类和功能，开发新型的复合和异质的LPCVD方法，如多元化合物LPCVD、纳米结构LPCVD、量子点LPCVD等。真空镀膜在航空航天领域有重要应用。
对于典型的半导体应用，基板被放置在两个平行电极之间的沉积室中一个接地电极，通常是一个射频通电电极.前体气体如硅烷(SiH4)和氨(NH3)通常与惰性气体如氩气(Ar)或氮气(N2)混合以控制过程。这些气体通过基板上方的喷头固定装置引入腔室，有助于将气体更均匀地分布到基板上。等离子体由电极之间的放电(100–300eV)点燃，在基板周围发生启辉，有助于产生驱动化学反应的热能。前体气体分子与高能电子碰撞，然后通过气流传播到基板，在那里它们发生反应并被吸收在基板表面上以生长薄膜。然后将化学副产品抽走，完成沉积过程。真空镀膜在太阳能领域有普遍应用。江苏真空镀膜服务价格
真空镀膜过程中需严格控制镀膜时间。杭州真空镀膜工艺
电子束真空镀膜的物理过程：物理的气相沉积技术的基本原理可分为三个工艺步骤：（1）电子束激发镀膜材料金属颗粒的气化：即镀膜材料的蒸发、升华从而形成气化源，（2）镀膜材料粒子（（原子、分子或离子）的迁移：由气化源供出原子、分子或离子（原子团、分子团或离子团）经过碰撞，产生多种反应。（3）镀膜材料粒子在基片表面的沉积。LPCVD反应的能量源是热能，通常其温度在500℃-1000℃之间，压力在0.1Torr-2Torr以内，影响其沉积反应的主要参数是温度、压力和气体流量，它的主要特征是因为在低压环境下，反应气体的平均自由程及扩散系数变大，膜厚均匀性好、台阶覆盖性好。目前采用LPCVD工艺制作的主要材料有：多晶硅、单晶硅、非晶硅、氮化硅等。杭州真空镀膜工艺
