PDMS金属流道芯片的复合加工工艺：
PDMS金属流道芯片通过在柔性PDMS流道内集成金属镀层，实现流体控制与电信号检测的一体化设计。加工流程包括：首先利用软光刻技术在硅模上制备50-200μm宽度的流道结构，浇筑PDMS预聚体并固化成型；然后通过氧等离子体处理流道表面，使其亲水化以促进金属前驱体吸附；采用磁控溅射技术沉积50-200nm厚度的金/铂金属层，经化学镀增厚至1-5μm，形成连续导电流道；与PET基板通过等离子体键合密封，确保流体无泄漏。金属流道的表面粗糙度＜50nm，电阻＜10Ω/cm，适用于电化学检测、电渗泵驱动等场景。典型应用如微流控电化学传感器，在10μL/min流速下，对葡萄糖的检测灵敏度达50μA・mM⁻¹・cm⁻²，线性范围0.1-20mM，检测下限＜50μM。公司开发的自动化生产线可实现流道尺寸的精细控制（误差＜±2%），并支持金属层图案化设计，如叉指电极、螺旋流道等，满足不同传感器的定制需求，为生物检测与环境监测领域提供了柔性化、集成化的解决方案。 MEMS被认为是21世纪很有前途的技术之一。福建MEMS微纳米加工工程测量
高精度姿态/轨道测量新方法并研制了MEMS磁敏感器、MIMU惯性微系统、MEMS太阳敏感器、纳\皮型星敏感器等空间微系统，相关成果填补了多项国内空白，已在探月工程、高分专项等国家重大工程以及国内外百余颗型号卫星中得到应用推广，并实现了出口欧、美、日等国。在我国率先开展了微纳航天器的技术创新与工程实践，将三轴稳定方式用于25kg以下的微小卫星，成功研制并运行了国内纳型卫星NS-1卫星，也是当时世界上在轨飞行的“轮控三轴稳定卫星”（2004年）。2015年研制并发射了NS-2（10公斤量级）MEMS技术试验卫星，成功开展了基于MEMS的空间微型化器组件试验研究。NS-2卫星的有效载荷包括纳型星敏感器、低功耗MEMS太阳敏感器、硅基MEMS陀螺、MEMS石英音叉陀螺、MEMS磁强计、北斗-II/GPS接收机等自主研发的MEMS器件及微系统。同时还成功研制并发射皮型ZJ-1（100克量级）MEMS技术试验卫星，采用单板集成的综合电子系统，搭载试验商用微型CMOS相机，MEMS磁强计、新型商用电子元器件。新疆MEMS微纳米加工之超表面制作弧形柱子点阵加工技术通过激光直写与刻蚀实现仿生结构，优化细胞黏附与流体动力学特性。
MEMS制作工艺柔性电子：柔性电子（FlexibleElectronics）是一种技术的通称，是将有机/无机材料电子器件制作在柔性/可延性基板上的新兴电子技术。相对于传统电子，柔性电子具有更大的灵活性，能够在一定程度上适应不同的工作环境，满足设备的形变要求。但是相应的技术要求同样制约了柔性电子的发展。首先，柔性电子在不损坏本身电子性能的基础上的伸展性和弯曲性，对电路的制作材料提出了新的挑战和要求；其次，柔性电子的制备条件以及组成电路的各种电子器件的性能相对于传统的电子器件来说仍然不足，也是其发展的一大难题。
硅基金属电极加工工艺与生物相容性优化：在硅片、LN（铌酸锂）、LT（钽酸锂）、蓝宝石、石英等基板上加工金属电极，需兼顾电学性能与生物相容性。公司采用溅射沉积与剥离工艺，首先在基板表面沉积50-200nm的钛/金种子层，增强金属与基板的附着力；然后旋涂光刻胶并曝光显影，形成电极图案；再溅射1-5μm厚度的金/铂金属层，***通过**剥离得到完整电极结构。电极线条宽度可控制在10-500μm，边缘粗糙度＜5μm，接触电阻＜1Ω・cm²。针对植入式医疗器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂层处理，通过硅烷偶联剂共价键合，涂层厚度5-10nm，可将蛋白吸附量降低90%以上，炎症反应发生率下降60%。该技术应用于神经电极时，16通道电极阵列的信号噪声比＞20dB，可稳定记录单个神经元放电信号达3个月以上。在传感器领域，硅基金电极对葡萄糖的检测灵敏度达100μA・mM⁻¹・cm⁻²，线性范围0.01-10mM，适用于血糖监测芯片。公司支持多种金属材料（如钛、铂、铱）与基板的组合加工，满足不同应用场景对电极导电性、耐腐蚀性的需求。磁传感器和MEMS磁传感器有什么区别？
MEMS制作工艺柔性电子的常用材料：碳纳米管（CNT）由于其高的本征载流子迁移率，导电性和机械灵活性而成为用于柔性电子学的有前途的材料，既作为场效应晶体管（FET）中的沟道材料又作为透明电极。管状碳基纳米结构可以被设想成石墨烯卷成一个无缝的圆柱体，它们独特的性质使其成为理想的候选材料。因为它们具有高的固有载流子迁移率和电导率，机械灵活性以及低成本生产的潜力。另一方面，薄膜基碳纳米管设备为实现商业化提供了一条实用途径。太赫兹柔性电极以 PI 为基底构建双面结构，适用于非侵入式生物检测与材料无损探测。上海MEMS微纳米加工性价比
MEMS微纳米加工的未来发展是什么？福建MEMS微纳米加工工程测量
国内政策大力推动MEMS产业发展：国家政策大力支持传感器发展，国内MEMS企业拥有好的发展环境。我国高度重视MEMS和传感器技术发展，在2017年工信部出台的《智能传感器产业三年行动指南（2017-2019）》中，明确指出要着力突破硅基MEMS加工技术、MEMS与互补金属氧化物半导体（CMOS）集成、非硅模块化集成等工艺技术，推动发展器件级、晶圆级MEMS封装和系统级测试技术。国家政策高度支持MEMS制造企业研发创新，政策驱动下，国内MEMS制造企业获得发展良机。福建MEMS微纳米加工工程测量
