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光刻基本参数
  • 产地
  • 广东
  • 品牌
  • 科学院
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
光刻企业商机

在匀胶工艺中,转速的快慢和控制精度直接关系到旋涂层的厚度控制和膜层均匀性。匀胶机的转速精度是一项重要的指标。用来吸片的真空泵一般选择无油泵,上配有压力表,同时现在很多匀胶机有互锁,未检测的真空将不会启动。有时会出现胶液进入真空管道的现象,有的匀胶机厂商会在某一段管路加一段"U型"管路,降低异物进入真空管道的影响。光刻胶主要应用于半导体、显示面板与印制电路板等三大领域。其中,半导体光刻胶技术难度高,主要被美日企业垄断。据相关研究机构数据显示,全球光刻胶市场中,LCD光刻胶、PCB光刻胶、半导体光刻胶产品占比较为平均。相比之下,中国光刻胶生产能力主要集中PCB光刻胶,占比高达约94%;半导体光刻胶由于技术壁垒较高占约2%。此外,光刻胶是生产28nm、14nm乃至10nm以下制程的关键,被国外巨头垄断,国产化任重道远。光掩膜版的制作则是通过无掩膜光刻技术得到。中山真空镀膜

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目前,国内光刻胶原材料市场基本被国外厂商垄断,尤其是树脂和感光剂高度依赖于进口,国产化率很低,由此增加了国内光刻胶生产成本以及供应链风险。国内企业基于危机意识在上游原材料领域已展开相关布局。从上市公司在光刻胶原材料的布局情况来看,溶剂方面有百川股份、怡达股份等,单体有华懋科技(投资徐州博康)、联瑞新材等,树脂有彤程新材、圣泉集团、强力新材等,光引发剂有强力新材等。在这之中,徐州博康作为光刻胶全产业链选手,在国内光刻胶这条赛道上,已经实现了从单体到树脂、光酸、配套溶剂到光刻胶产品的全产业链生产能力。微纳光刻加工平台在曝光这一步中,将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。

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二氧化硅的湿法刻蚀通常使用HF。因为1∶1的HF(H2O中49%的HF)在室温下刻蚀氧化物速度过快,所以很难用1∶1的HF控制氧化物的刻蚀。一般用水或缓冲溶剂如氟化铵(NH4F)进一步稀释HF降低氧化物的刻蚀速率,以便控制刻蚀速率和均匀性。氧化物湿法刻蚀中所使用的溶液通常是6∶1稀释的HF缓冲溶液,或10∶1和100∶1的比例稀释后的HF水溶液。的半导体制造中,每天仍进行6∶1的缓冲二氧化硅刻蚀(BOE)和100∶1的HF刻蚀。如果监测CVD氧化层的质量,可以通过比较CVD二氧化硅的湿法刻蚀速率和热氧化法生成的二氧化硅湿法刻蚀速率,这就是所谓的湿法刻蚀速率比。热氧化之前,HF可用于预先剥除硅晶圆表面上的原生氧化层。

光刻机经历了5代产品发展,每次改进和创新都明显提升了光刻机所能实现的工艺节点。为接触式光刻机。曝光方式为掩模版与半导体基片之间靠控制真空度实现紧密接触,使用光源分别为g线和i线。接触式光刻机由于掩模与光刻胶直接接触,所以易受污染,掩模版和基片容易受到损伤,掩模版寿命短。第二代为接近式光刻机。曝光方式为掩模版与半导体基片之间有微米级别的间隙,掩模版不容易受到损伤,掩模版寿命长,但掩模版与基片之间的间隙也导致成像质量受到影响,分辨率下降。图形反转胶的显影过程。

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掩膜对准光刻及步进投影式光刻机中常用汞灯作为曝光光源,其发射光谱包括g-(波长435nm)、h-(波长405nm)和i-线(波长365nm)。一个配有350wHg灯的6英寸掩模对准器通常能获得大约光输出。15–30mw/cm2,i-线强度通常大约占全部三条线总光强的40%。LED作为近年来比较常见的UV光源在掩膜对准式光刻系统中比较常见,其相比于汞灯光源其优点是冷光源,不会对光刻胶产生辐照加热,避免光刻胶受热变形。除了Hg灯,具有合适波长的激光器也是光刻胶曝光的合适光源。由于光引发剂的光谱吸收带不会在某一特定波长突然终止,相应的适应剂量也会暴露在比数据表中所示范围高约10nm的波长处,但这延长了需要直写的时间。另外,在干涉光刻中也常常用的例如He-Cd(328nm)作为光源,其同样能对大部分i-线胶进行曝光。光源波长的选择直接影响光刻的分辨率。上海激光器光刻

速度和加速度是决定匀胶获得薄膜厚度的关键因素。中山真空镀膜

光刻工艺就是将光学掩膜版的图形转移至光刻胶中。掩膜版按基板材料分为树脂和玻璃基板,其中玻璃基板又包含石英玻璃,硅硼玻璃,苏打玻璃等,石英玻璃硬度高,热膨胀系数低但价格较高等主要用于高精度领域;按光学掩膜版的遮光材料可分为乳胶遮光模和硬质遮光膜,硬质遮光膜又细分为铬,硅,硅化钼,氧化铁等。在半导体领域,铬-石英版因其性能稳定,耐用性,精度高等在该领域被广泛应用。我国的光学掩膜版制作始于20世纪60年代,当时基板主要进口日本“樱花”玻璃及美国柯达玻璃。1978年,我国大连玻璃厂当时实现制版玻璃的产业化,成品率10%左右。80年代后期,基板主要采用平拉玻璃。到90年代,浮法玻璃技术技术较为成熟,开始使用浮法玻璃作为基板,2005年使用超白浮法玻璃作为基板。2010年以后,光掩模基板石英玻璃开始投产,其质量能基本满足IC产业光掩模版基板的高精度需求。随着市场对大直径硅片的需求,大尺寸玻璃基板也同时趋向于大型化,对光掩模石英玻璃基板也提出了更高的要求。中山真空镀膜

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