晶闸管移相调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
晶闸管移相调压模块企业商机

    大家知道,晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕,相当于一个二极管,G为正极、K为负极,所以,按照测试二极管的方法,找出三个极中的两个极,测它的正、反向电阻,电阻小时,万用表黑表笔接的是控制极G,红表笔接的是阴极K,剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏,可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S,按一下按钮开关SB,灯泡发光就是好的,不发光就是坏的。四、晶闸管在电路中的主要用途是什么?普通晶闸管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管,就可以构成可控整流电路。现在我画一个简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只有在U2处于正半周,在控制极外加触发脉冲Ug时,晶闸管被触发导通。现在,画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕,可以看到,只有在触发脉冲Ug到来时,负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早,晶闸管导通的时间就早;Ug到来得晚,晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间,就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中。淄博正高电气智造产品,制造品质是我们服务环境的决心。滨州恒压晶闸管移相调压模块批发

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    晶闸管集成智能模块使用简介1、晶闸管智能模块的应用领域该智能模块广泛应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合,如工业、通讯、**等各类电气控制、电源等,根据还可通过模块的控制端口与多功能控制板连接,实现稳流、稳压、软启动等功能,并可实现过流、过压、过温、缺相等保护功能。2、晶闸管智能模块的控制方式通过输入模块控制接口一个可调的电压或者电流信号,通过调整该信号的大小即可对模块的输出电压大小进行平滑调节,实现模块输出电压从0V至任一点或全部导通的过程。电压或电流信号可取自各种控制仪表、计算机D/A输出,电位器直接从直流电源分压等各种方法;控制信号采用0~5V,0~10V,4~20mA三种比较常用的控制形式。3、模块的控制端口与控制线模块控制端接口有5脚、9脚和15脚三种形式,分别对应于5芯、9芯、15芯的控制线。采用电压信号的产品只用**脚端口,其余为空脚,采用电流信号的9脚为信号输入,控制线的屏蔽层铜线应焊接到直流电源地线上,连接时注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能烧坏模块。模块控制端口插座和控制线插座上都有编号,请一一对应。济宁双向晶闸管移相调压模块品牌淄博正高电气品质好、服务好、客户满意度高。

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    可控硅模块属于一种使用模块封装形式,拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,这种可控硅模块的体积非常的小,结构也十分的紧凑,对于维修与安装都有很大的作用,可控硅模块的类型非常的多,比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等,很多人不是很清楚两者之间的差异,下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲,焊接式模块可以做到160A电流,同时压接式模块的电流就能够达到1200A,这就是讲低于160A的模块,不只是有焊接式的,同时也有压接式的。②从外形方面来讲,焊接式的模块远远没有压接式的外形比较好,压接式的属于一体成型,技术十分的标准,焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹,但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知,压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的,有不少的公司都会使用压接式可控硅模块,这其中的原因可能使由于其外形十分的美观,除此之外从价格方面来讲,焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。

    可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化。2,触发导通在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。一、可控硅的概念和结构?晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管,等等。大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。淄博正高电气设备的引进更加丰富了公司的设备品种,为用户提供了更多的选择空间。

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    可控硅损坏原因判别哪种参数坏了?当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,损坏的面积小,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,损坏的面积大,其位置在远离控制极上。3电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。4、边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。5、G-K电压击穿。晶闸管G-K间因不能承受反向电压()12V)而损坏,其芯片G-K间有烧焦的通路(短路痕迹)。淄博正高电气以顾客为本,诚信服务为经营理念。福建三相晶闸管移相调压模块组件

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