晶闸管调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
晶闸管调压模块企业商机

    正高谈智能晶闸管模块在电气控制中的应用晶闸管模块,出现在1957年,而后随着半导体技术及其应用技术的不断发展,使晶闸管模块在电气控制领域中发挥了很大的作用,但是,过去人们只能以分立器件的形式把晶闸管用在各种电气控制装置中,由分立器件组成的电路复杂、体积大,安装调试麻烦,可靠性也较差。但是淄博正高电气生产的智能晶闸管模块从根本上解决了上述问题,下面一起来看看。智能晶闸管模块就是将晶闸管模块主电路与移相触发电路以及具有控制功能的电路封装在同一外壳内的新型模块。智能晶闸管模块的移相触发电路为全数字电路,功能电路由单片机完成,并且内置有多路电流、电压、温度传感器,通过模块上的接插件可将各种控制线引到键盘,进行各种功能和电气参数设定,并可进行LED或LCD显示。模块的每支芯片的电流已达1000A,电压达1600~2200V,智能晶闸管模块实际上已是一个准电力电子装置,不论在体积、容量、功能、智能化程度以及可靠性等方面与传统装置相比都有很大优势,且安装、使用特别方便。毫无疑问,有了这种模块,今后将会使配电系统内的各种电气控制发生重大变化。智能晶闸管模块一般由电力晶闸管,移相触发器,软件控制的单片机。淄博正高电气公司将以质量的产品,完善的服务与尊敬的用户携手并进!河北恒压晶闸管调压模块供应商

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    它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。合上电源开关S后,电源UBB经电位器RP向电容器C充电,电容器上的电压UC按指数规律上升。当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时,单结晶体管突然导通,基区电阻RB1急剧减小,电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电,使R1两端电压Ug发生一个正跳变,形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。随着电容器C的放电,UE按指数规律下降,直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。这样,在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。此时,电源UBB又开始给电容器C充电,进入第二个充放电过程。这样周而复始,电路中进行着周期性的振荡。调节RP可以改变振荡周期。九、在可控整流电路的波形图中,发现晶闸管模块承受正向电压的每半个周期内,发出个触发脉冲的时刻都相同,也就是控制角和导通角都相等,那么,单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?为了实现整流电路输出电压“可控”,必须使晶闸管模块承受正向电压的每半个周期内,触发电路发出个触发脉冲的时刻都相同,这种相互配合的工作方式,称为触发脉冲与电源同步。十、怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(图1)。请注意。河北恒压晶闸管调压模块供应商淄博正高电气迎接挑战,推陈出新,与广大客户携手并进,共创辉煌!

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    如温度控制、灯米调节及直流电极调速和换向电路等。3、逆导的。主要用于直流供电国辆(如无轨电车)的调速。4、可关断的。这是一种新型产品,它利用正的控制极脉冲可触发导通,而用负的控制极脉冲可以关断阳极电流,恢复阻断状态。利用这种特性可以做成无触点开关或用直流调压、电视机中行扫描电路及高压脉冲发生器电路等。在性能上,可控硅模块不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件,更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损耗增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。它的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。可以从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。以上就是正高的小编为大家带去的关于可控硅模块的了解,希望会对大家带去一定的帮助!

    正高讲晶闸管模块驱动电路的工作情况,晶闸管模块的应用十分广,而且分类也特别多,比如单向晶闸管、双向晶闸管、快速晶闸管等等,那么快速晶闸管模块驱动电路的工作情况是什么你知道吗?下面正高来讲一讲。(1)快速晶闸管模块承受反向阳极电压时,不论门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。(2)快速晶闸管模块承受正向阳极电压时,*在门极承受正向电压的情况下快速晶闸管才导通。(3)快速晶闸管模块在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,快速晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。(4)快速晶闸管模块在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,快速晶闸管关断。选用的是快速晶闸管是TYN1025,它的耐压是600到1000V,电流大达到25A。它所需要的门级驱动电压是10到20V,驱动电流是4到40mA。而它的维持电流是50mA,擎住电流是90mA。无论是DSP还是CPLD所发出的触发信号的幅值只有5V。首先,先把只有5V的幅值转换成24V,然后通过一个2:1的隔离变压器把24V的触发信号转换成12V的触发信号,同时实现了高低压隔离的功能。淄博正高电气技术力量雄厚,工装设备和检测仪器齐备,检验与实验手段完善。

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    可控硅模块已经众所周知了,跟多人都见过,但是您对于它了解多少呢,比如说挑选方法、应用领域、操作方法等等,现在正高就来详细说说这几项。1、可控硅模块标准的挑选办法考虑到可控硅模块商品一般都对错正弦电流,存在导通角的疑问而且负载电流有必定的波动性和不稳定要素,且可控硅芯片抗电流冲击才华较差,在挑选模块电流标准时有必要留出必定余量。推荐挑选办法可依照以下公式核算:I>K×I负载×U较大∕U实习K:安全系数,阻性负载K=,理性负载K=2;I负载:负载流过的较大电流;U实习:负载上的较小电压;U较大:模块能输出的较大电压;(三相整流模块为输入电压的,单相整流模块为输入电压的,其他标准均为);I:需求挑选模块的较小电流,模块标称的电流有必要大于该值。模块散热条件的好坏直接关系到商品的运用寿数和短时过载才华,温度越低模块的输出电流越大,所以在运用中有必要装备散热器和风机,主张选用带有过热维护功用的商品,有水冷散热条件的优先挑选水冷散热。咱们经过严肃测算,断定了不一样类型的商品所大概装备的散热器类型,推荐选用厂家配套的散热器和风机,用户自备时按以下准则挑选:1、轴流风机的风速应大于6m/s。淄博正高电气以创百年企业、树百年品牌为使命,倾力为客户创造更大利益!天津大功率晶闸管调压模块厂家

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    怎么区分可控硅模块的损坏缘由当可控硅模块损坏后需求查看剖析其缘由时,可把管芯从冷却套中取出,翻开芯盒再取出芯片,调查其损坏后的痕迹,以判别是何缘由。下面介绍几种常见表象剖析。电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其方位在远离操控极上。电压击穿。可控硅因不能接受电压而损坏,其芯片中有一个光亮的小孔,有时需用扩展镜才干看见。其缘由可能是管子自身耐压降低或被电路断开时发生的高电压击穿。电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏一样,而其方位在操控极邻近或就在操控极上。边际损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细微光亮小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制作厂家装置不小心所形成的。它致使电压击穿。河北恒压晶闸管调压模块供应商

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