在半导体制程的光刻工艺中，集成电路线宽的特征尺寸可以由瑞利公式确定：CD= k1*λ/NA。CD (Critical Dimension)表示集成电路制程中的特征尺寸；k1是瑞利常数，是光刻系统中工艺和材料的一个相关系数；λ是曝光波长，而NA(Numerical Aperture)则表示了光刻机的孔径数值。因此，光刻机需要通过降低瑞利常数和曝光波长，增大孔径尺寸来制造具有更小特征尺寸的集成电路。其中降低曝光波长与光刻机使用的光源以及光刻胶材料高度相关。历史上光刻机所使用的光源波长呈现出与集成电路关键尺寸同步缩小的趋势。关键尺寸控片用于光刻区关键尺寸稳定性的监控；PECVD真空镀膜加工平台
随着光刻胶技术的进步，*需要一次涂胶，两次光刻和一次刻蚀的双重光刻工艺也成为可能。浸没光刻和双重光刻技术在不改变 193nm波长ArF光刻光源的前提下，将加工分辨率推向10nm的数量级。与此同时，这两项技术对光刻胶也提出了新的要求。在浸没工艺中；光刻胶首先不能与浸没液体发生化学反应或浸出扩散，损伤光刻胶自身和光刻镜头；其次，光刻胶的折射率必须大于透镜，液体和顶部涂层。因此光刻胶中主体树脂的折射率一般要求达到1.9以上；接着，光刻胶不能在浸没液体的浸泡下和后续的烘烤过程中发生形变，影响加工精度；较后，当浸没工艺目标分辨率接近10nm时，将对于光刻胶多个性能指标的权衡都提出了更加苛刻的挑战。浸没 ArF 光刻胶制备难度大于干性 ArF 光刻胶，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的关键之一。硅片光刻加工厂电子束曝光的波长取决于电子能量，电子能量越高，曝光的波长越短。
光刻胶要有极好的稳定性和一致性，如果质量稍微出点问题，损失将会是巨大的。去年2月，某半导体代工企业因为光刻胶的原因导致晶圆污染，报废十万片晶圆，直接导致5.5亿美元的账面损失。除了以上原因外，另一个重要原因是，经过几十年的发展，光刻胶已经是一个相当成熟且固化的产业。2010年光刻胶的**出现井喷，2013年之后，相关专利的申请已经开始锐减。市场较小，技术壁垒又高，这意味着对于企业来说，发展光刻胶性价比不高，即便研发成功一款光刻胶，也要面临较长的认证周期，需要与下游企业建立合作关系。
光刻胶的技术壁垒包括配方技术，质量控制技术和原材料技术。配方技术是光刻胶实现功能的中心，质量控制技术能够保证光刻胶性能的稳定性而***的原材料则是光刻胶性能的基础。配方技术：由于光刻胶的下游用户是IC芯片和FPD面板制造商，不同的客户会有不同的应用需求，同一个客户也有不同的光刻应用需求。一般一块半导体芯片在制造过程中需要进行10-50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。针对以上不同的应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。早在80年代，极紫外光刻技术就已经开始理论的研究和初步的实验。
由于**带动全球在线办公医疗等相关领域的拉升，持续推升了电源管理芯片、CIS影像传感芯片、面板驱动芯片等需求热络。再加上12寸逻辑IC、存储器相关需求稳定，晶圆代工需求旺盛，各大企业相继出现了产能满载的现象，甚至晶圆代工的交期被拉长。国内光刻胶企业较近动作频出的原因，一方面是市场需求上升，另一方面也是自身需求所致。从日本的光刻胶发家史不难发现，日本的光刻胶是伴随着本国的半导体制造产业一起崛起的，所以光刻胶必须要有配套产业的出现才能一步步做起来。光刻的光源是波长为11～14nm的极端远紫外光。北京硅材料刻蚀
在更低的22nm节点甚至16nm节点技术中，浸没式光刻技术也具有相当大的优势。PECVD真空镀膜加工平台
电子束光刻技术起源于扫描电镜，较早由德意志联邦杜平根大学的G．Mollenstedt等人在20世纪60年代提出。电子束曝光的波长取决于电子能量，电子能量越高，曝光的波长越短，大 体在10－6nm量级上，因而电子束光刻不受衍射极限的影响，所以电子束光刻可获得接近于原子尺寸的分辨率。但是，由于电子束入射到抗蚀剂及基片上时，电子会与固体材料的原子发生“碰撞”产生电子散射现象，包括前散射和背散射电子，这些散射电子同样也参与“曝光”，前散射电子波及范围可在几十纳米，从基片上返回抗蚀剂中背散射电子可波及到几十微米之远。PECVD真空镀膜加工平台
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