在平板显示行业；主要使用的光刻胶有彩色及黑色光刻胶、LCD触摸屏用光刻胶、TFT-LCD正性光刻胶等。在光刻和蚀刻生产环节中，光刻胶涂覆于晶体薄膜表面，经曝光、显影和蚀刻等工序将光罩（掩膜版）上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版对应的几何图形。在PCB行业；主要使用的光刻胶有干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜贴在处理后的敷铜板上，进行曝光显影；湿膜和光成像阻焊油墨则是涂布在敷铜板上，待其干燥后进行曝光显影。电子束曝光技术在微电子、微光学和微机械等微系统微细加工领域有着普遍的应用前景。山西真空镀膜工艺
当KrF光刻胶可以被大规模商用时，市场却发生了极大的变化。在这十年间，全球分工发生了重大的变化，一方面，美国的制造业开始出局，尤其是1986年半导体市场大滑坡，使美国光刻机三巨头遭受重创，新产品研发停滞。对于如今的日本光刻胶企业来说，没有了外敌，更多的是内部斗争，相互抢占市场，抢占下一次先机。从较近各家的动向来看，国产光刻胶项目频繁上马，日本的巨头也在扩大产能，像是大战拉开序幕的前戏，实则有本质的差别。外国的建厂，本质上是要满足全球代工企业与面板产业的需求。佛山微纳加工厂关键尺寸控片用于光刻区关键尺寸稳定性的监控；
显影液：正性光刻胶的显影液。正胶的显影液位碱性水溶液。KOH和NaOH因为会带来可动离子污染（MIC，Movable Ion Contamination），所以在IC制造中一般不用。较普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵（TMAH）（标准当量浓度为0.26，温度15～25C）。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸，TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液，而未曝光的光刻胶没有影响；在化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）中包含的酚醛树脂以PHS形式存在。CAR中的PAG产生的酸会去除PHS中的保护基团（t-BOC），从而使PHS快速溶解于TMAH显影液中。
所有实际电子束曝光、显影后图形的边缘要往外扩展，这就是所谓的“电子束邻近效应。同时，半导体基片上如果有绝缘的介质膜，电子通过它时也会产生一定量的电荷积累，这些积累的电荷同样会排斥后续曝光的电子，产生偏移，而不导电的绝缘体（如玻璃片）肯定不能采用电子束曝光。还有空间交变磁场、实验室温度变化等都会引起电子束曝光产生“漂移”现象。因此，即使拥有2nm电子束斑的曝 光 系统，要曝光出50nm以下的图形结构也不容易。麻省理工学院（MIT）已经采用的电子束光刻技术分辨率将推进到9nm。电子束直写光刻可以不需要制造掩模版，比较灵活。光刻原理主要是利用曝光光源极短的波长达到提高光刻技术分辨率的目的。
坚膜，以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力；进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性；进一步减少驻波效应（Standing Wave Effect）。常见问题：a、烘烤不足（Underbake）。减弱光刻胶的强度（抗刻蚀能力和离子注入中的阻挡能力）；降低小孔填充能力（Gapfill Capability for the needle hole）；降低与基底的黏附能力。b、烘烤过度（Overbake）。引起光刻胶的流动，使图形精度降低，分辨率变差。另外还可以用深紫外线（DUV，Deep Ultra-Violet）坚膜。使正性光刻胶树脂发生交联形成一层薄的表面硬壳，增加光刻胶的热稳定性。在后面的等离子刻蚀和离子注入（125～200C）工艺中减少因光刻胶高温流动而引起分辨率的降低。影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；天津光刻工艺
世界三大光刻机生产商浸没式光刻机样机都是在原有193nm干式光刻机的基础上改进研制而成。山西真空镀膜工艺
光刻胶所属的微电子化学品是电子行业与化工行业交叉的领域，是典型的技术密集行业。从事微电子化学品业务需要具备与电子产业前沿发展相匹配的关键生产技术，如混配技术、分离技术、纯化技术以及与生产过程相配套的分析检验技术、环境处理与监测技术等。同时，下游电子产业多样化的使用场景要求微电子化学品生产企业有较强的配套能力，以及时研发和改进产品工艺来满足客户的个性化需求。光刻胶的生产工艺主要过程是将感光材料、树脂、溶剂等主要原料在恒温恒湿 1000 级的黄光区洁净房进行混合，在氮气气体保护下充分搅拌，使其充分混合形成均相液体，经过多次过滤，并通过中间过程控制和检验，使其达到工艺技术和质量要求，较后做产品检验，合格后在氮气气体保护下包装、打标、入库。山西真空镀膜工艺
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