分类器电路80接收反映关于参考分类的信息的一参考电压vc。通过人工比较一预设电压vt和实际电压vout来获取参考分类。预设电压vt的微分决定信号dout于规范中规定的预设回转率。随后，分类器电路80通过比较预设电压vt和实际电压vout来产生反映关于不成熟分类的信息的电压vl。在训练阶段312中，分类器电路80基于不成熟分类和参考分类将预设电压vt更新为一经学习电压。经学习电压包括神经网络32的经加权值。mlc42基于经学习电压调整信号dout的回转率。在推理/分类阶段314中，分类器电路80基于经学习电压产生经配置以调整信号dout的回转率的预测。图10是根据本公开的一些实施例的图9的测量电路60的电路图。参照图10，测量电路60包括取样保持(s/h)电路600和602，以及一减法器604。s/h电路600经配置以对信号dout的一电压v1进行取样。在一些实施例中，s/h电路600包括一开关、一电容器和一以操作放大器为基底所组成的放大器。在一些实施例中，s/h电路600包括任何已知的s/h电路。s/h电路602经配置以对信号dout的一第二电压v2进行取样。在一些实施例中，s/h电路602包括一开关、一电容器和一以操作放大器为基底所组成的放大器。在一些实施例中，s/h电路602包括任何已知的s/h电路。上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件，电子物料回收，期待为您服务！天津电子料高价回收处理
字线解码器118和偏置电路606可以包括相同的电路元件(即，字线解码器118可以将信号施加至偏置电压线bvly)。在操作期间，为了访问工作mtj器件106，偏置电路606和字线解码器118可以将电压施加至偏置电压线bvly和字线wlx，以设置存储器阵列102的行内的调节mtj器件604的值。随后，位线解码器116可以施加位线电压，该位线电压允许访问多个存储单元602a,1至602c,3中的选择的存储单元，而不访问多个存储单元602a,1至602c,3中的未选择的存储单元。例如，为了将数据写入存储单元602a,1内的工作mtj器件106，可以将组偏置电压施加至字线wl1和偏置电压线bvl1。组偏置电压赋予行内的调节访问装置108低电阻。可以将第二组偏置电压施加至其它行中的偏置电压线bvl2和字线wl1，以赋予其它行内的调节访问装置108高电阻。然后将位线电压施加至位线bl1。存储单元602a,1内的调节访问装置的低电阻使得大电流(例如，大于切换电流)流过存储单元602a,1内的工作mtj器件，同时第二存储单元602a,2内的调节访问装置的高电阻使得小电流(例如，小于切换电流)流过第二存储单元602a,2内的工作mtj器件。图6b示出了对应于图6a的存储器电路600的集成电路的一些实施例的截面图608。电感元件回收公司电子元器件，电子物料回收，请选择上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选。
以及基于该经学习电压，产生经配置以调整回转率的预测。在一些实施例中，该实际电压的微分决定一信号的实际回转率，并且该预设电压的微分决定该信号的预设回转率。在一些实施例中，该经学习电压包括一神经网络的一经加权值。在一些实施例中，该测量电路包括一取样保持电路以及一第二取样保持电路。该取样保持电路经配置以取样一信号的一电压。该第二取样保持电路经配置以取样该信号的一第二电压，其中该实际电压与该电压和该第二电压相关。在一些实施例中，该测量电路还包括一减法器电路。该减法器电路经配置以通过从该第二电压中减去该电压来提供该实际电压。在一些实施例中，该不成熟分类与该参考分类之间的一区别与一神经网络的一权重相关联，并且该经学习电压包括该神经网络的一经加权值。在一些实施例中，该分类器电路还包括一乘法器。该乘法器经配置以通过将该预设电压乘以一经更新权重来产生该经学习电压，其中该经更新权重与一预设权重相关联。在一些实施例中，该经更新权重与该区别和该预设权重之间的代数关系相关联。本公开还提供一种集成电路元件。该集成电路元件包括一比较器以及一减法器电路。该比较器包括一输入端耦合到一实际电压。
所述方法包括：提供两个印刷电路装配件，每个所述印刷电路装配件包括：系统板，在所述系统板上的多个印刷电路板插座，多个液体冷却管，每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板，连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块，和多个散热器，每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联；以及将所述印刷电路装配件彼此相对地布置，使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错，并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。附图说明参考下列附图，根据一个或多个不同实施例详细描述了本公开。附图出于说明的目的提供，并且描绘典型或示例的实施例。图1是系统的关系图，在该系统中可以实施不同实施例。图2a和图2b示出了根据一个实施例的双列直插式存储模块(dimm)组件。图3示出了图2a和图2b的双列直插式存储模块组件的一侧的视图。图4a示出了根据一个实施例的两个相同的印刷电路装配件。图4b示出了图4a的两个印刷电路装配件，所述两个印刷电路装配件相对地放置在一起。上海海谷电子有限公司致力于提供电子元器件，电子物料回收，欢迎您的来电！
集成电路还包括连接在第二位线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线连接至字线解码器并且第二位线连接至位线解码器。在一些实施例中，集成电路还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线，偏置电压线连接至偏置电路，偏置电路被配置为选择性地将偏置电压施加至偏置电压线。在又一些其它实施例中，本发明涉及一种形成集成电路的方法。该方法包括在衬底上方形成互连层；在互连层正上方形成多个mtj器件，多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件，调节mtj器件被配置为选择性地控制流至工作mtj器件的电流；以及在多个mtj器件上方形成第二互连层，互连层和第二互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。在一些实施例中，一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、自由层和设置在固定层和自由层之间的介电阻挡层。在一些实施例中，该方法还包括同时形成工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。上面概述了若干实施例的特征，使得本领域人员可以更好地理解本发明的方面。本领域人员应该理解，它们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其它工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到。电子元器件，电子物料回收，请选择上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎您的来电哦！甘肃电子料高价回收处理
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离散的互连结构限定连接至图2的存储器阵列102的列内的相应存储单元的两条字线wl1至wl2以及连接至图2的存储器阵列102的行内的相应存储单元的位线bl1。在一些实施例中，存储单元202a,1的工作mtj器件106、调节mtj器件204和第二调节mtj器件206可以通过第二多个通孔412b连接至第三互连层406c。在一些实施例中，一个或多个附加存储单元可以布置在存储单元202a,1上方。在这样的实施例中，第四互连层406d在第二存储单元202b,1的工作mtj器件106、调节mtj器件204和第二调节mtj器件206正下方延伸为连续结构。第四互连层406d通过第五互连层406e和第三多个通孔412c连接至第二存储单元202b,1的工作mtj器件106、调节mtj器件204和第二调节mtj器件206。第六互连层406f限定连接至图2的存储器阵列102的列内的相应存储单元的两条字线wl3至wl4以及连接至图2的存储器阵列102的行内的相应存储单元的位线bl2。在一些实施例中，第二存储单元202a,2的工作mtj器件106、调节mtj器件204和第二调节mtj器件206可以通过第四多个通孔412d连接至第六互连层406f。在其它实施例(未示出)中，一个或多个附加存储单元可以横向地布置为邻近存储单元202a,1。在一些这样的实施例中。天津电子料高价回收处理
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