所述多条金属线之中的在方向上顺序地相邻的每三条金属线之间的两个金属节距彼此不同。在所述方法的一些实施例中,所述多条金属线通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成。还在所述方法的一些实施例中,单元线路结构是未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。此外,提供一种设计集成电路的方法,所述方法包括:接收定义集成电路的输入数据;设置包括多个标准单元的标准单元库;基于输入数据和标准单元库执行布局和布线;以及基于布局和布线的结果生成定义集成电路的输出数据,其中,所述集成电路包括:半导体基底,多条栅极线,形成在半导体基底上方的栅极层中,所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸,以及多条金属线,形成在栅极层上方的导电层中,所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些实施例中,所述多条金属线中的6n条金属线和所述多条栅极线中的4n条栅极线形成单元线路结构,n是正整数,并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例,一种集成电路包括:半导体基底、多条栅极线和多条金属线。所述多条栅极线形成在半导体基底上方的栅极层中,其中。电子料回收,请选择上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,欢迎您的来电哦!江西电子芯片回收处理
例如,使用信号dout的电压来训练神经网络32。接下来,在基于训练数据调整了权重之后,mlc42使用神经网络32对包括信号dout的电压的验证数据进行分类。接下来,在预测阶段316中,mlc42基于推理/分类阶段314中的分类结果来执行预测。图6的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于具有图3的机器学习电路42的电路30的迭代流程。参照图6,迭代流程类似于图2的迭代流程,除了例如图6的迭代流程包括在操作500中的一机器学习程序(在图6中标记为进行机器学习)和在操作504中的获取规范之外。在操作500中,mlc42进行学习并产生一不成熟分类。使用者向mlc42提供一参考分类。如果不成熟分类不正确,则mlc42调整一权重。在本公开中,正确的分类指的是不成熟分类与参考分类相同。重复执行前述过程,直到在操作502中判断出在操作504的规范中获取的一校正率能够被满足。校正率指的是正确分类的数量与总分类数量的比率。图7的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于图6的迭代流程的图5的训练阶段312和推理/分类阶段314。参照图7,在训练阶段312中,不执行操作200中的回转率的调整。在操作500中,例如,收集100笔数据,其中80笔数据做为训练数据,并且20笔数据做为验证数据。浙江电子料库存回收中心电子料回收,请选择上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,有需求可以来电咨询!
达到固定散热机构3的目的,之后打开管盖6,并通过导管5向空心导热块31内加注部分纯净水,接着盖上管盖6,在芯片本体1工作散发热量的时候,热量被空心导热块31吸收,同时空心导热块31内部的纯净水受热蒸发,并通过连通管32和第二连接管34进入到空心散热块33和第二散热块35中,利用空心散热块33和第二空心散热块35较大的散热面积快速的把热量导出,然后水蒸汽凝结成水珠,水珠回到空心导热块31中继续吸收热量,该结构能够有效提高芯片的散热效率,同时提高了芯片运行的流畅性,以及避免芯片因高温而损伤,提高了芯片的使用寿命。以上所述,为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
接收关于一参考分类的信息,该参考分类是通过人工比较该预设电压和该实际电压获得的;基于该不成熟分类和该参考分类,将该预设电压更新为一经学习电压;以及基于该经学习电压,产生经配置以调整回转率的预测。本公开还提供一种集成电路元件。该集成电路元件包括一比较器以及一减法器电路。该比较器包括一输入端耦合到一实际电压。该减法器电路包括一输入端耦合到该比较器的一输出端,以及另一输入端耦合到一参考电压,其中因应于该参考电压和该减法器电路的一输出端的一电压之间的一差值的存在,该比较器的该另一输入端从耦合一预设电压改为耦合到一经学习电压。本公开还提供一种电路。该电路包括一驱动器以及一机器学习电路。该驱动器经配置以驱动一信号。该机器学习电路包括一比较器。该比较器包括一输入端,其中该输入端因应于一不成熟分类和一参考分类之间的一差异而耦合到一经学习电压,其中该机器学习电路经配置以基于该经学习电压来调整该信号的一回转率。虽然已详述本公开及其优点,然而应理解可进行各种变化、取代与替代而不脱离权利要求所定义的本公开的精神与范围。例如,可用不同的方法实施上述的许多工艺,并且以其他工艺或其组合替代上述的许多工艺。再者。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司。
公开的写入操作可以在调节mtj器件(例如,图2中的204至206)处于高电阻状态来实施,以在选择和未选择的单元之间提供隔离。如图3a的示意图300所示,写入操作的步骤通过将数据状态写入存储器阵列102的行301中的存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件来实施。通过将非零偏置电压v1(例如,2v)施加至字线wl1和wl2,将第二非零偏置电压v2(例如,6v)施加至字线wl3,将第三非零偏置电压v3(例如,8v)施加至位线bl1和bl3,并且将第四非零偏置电压v4(例如,4v)施加至位线bl2来实施写入操作的步骤。非零偏置电压v1(例如,2v)和第三非零偏置电压v3(例如,8v)之间的差异使得电流i1流过存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的调节mtj器件。电流i1小于切换电流isw,使得存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的调节mtj器件的状态不变。然而,来自调节mtj器件的电流加在一起,使得为电流i1的两倍的电流流过存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件。电流i1的两倍的电流大于切换电流isw,以将数据状态写入存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件。第二存储单元202a,2内的工作mtj器件不受写入操作的步骤的影响,因为非零偏置电压v1(例如。上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收,欢迎您的来电哦!海南电子元件回收联系方式
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本公开主张2018年12月06日申请的美国正式申请案第16/212,012号的优先权及益处,该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种集成电路元件和电路,特别涉及一种具有经配置以大数据(bigdata)应用的机器学习功能的集成电路元件。背景技术:集成电路,例如现场可程序化的门阵列(fieldprogrammablegatearray,fpga),可以包括执行各种数学运算的电路。举例来说,一深度学习神经网络可以在经配置以机器学习应用的一个或多个集成电路元件中实现。集成电路元件可以执行若干操作以输出神经网络的结果。上文的“现有技术”说明是提供背景技术,并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的,不构成本公开的现有技术,且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。技术实现要素:本公开提供一种集成电路元件。该集成电路元件包括一测量电路以及一分类器电路。该测量电路经配置以获取一实际电压。该分类器电路经配置以:通过比较一预设电压和该实际电压来产生关于一不成熟分类的信息;接收关于一参考分类的信息,该参考分类是通过人工比较该预设电压和该实际电压获得的;基于该不成熟分类和该参考分类,将该预设电压更新为一经学习电压。江西电子芯片回收处理
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