文中品牌*供参考）经典实用的电子元器件选型规范1目录2总则目的适用范围电子元器件选型基本原则其他具体选型原则：3各类电子元器件选型原则电阻选型电容选型铝电解电容钽电解电容片状多层陶瓷电容电感选型二极管选型发光二极管：快恢复二极管：整流二极管：肖特基二极管：稳压二极管：瞬态二极管：三极管选型晶体和晶振选型继电器选型电源选型AC/DC电源选型规则隔离DC/DC电源选型规则运放选型A/D和D/A芯片选型处理器选型FLASH选型SRAM选型EEPROM选型开关选型接插件选型选型时考虑的电气参数：选型时考虑的机械参数：欧式连接器选型规则白色端子选型规则其它矩形连接器选型规则电子线缆选型4附则2总则目的为本公司研发电子产品时物料选型提供指导性规范文件。适用范围适用于公司研发部门开发过程中元器件选型使用。电子元器件选型基本原则1)普遍性原则：所选的元器件要是被使用验证过的，尽量少使用冷门、偏门芯片，减少开发风险。2)高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较好的元器件，降低成本。3)采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。4)持续发展原则：尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件,禁止选用停产的器件。上海海谷电子有限公司致力于提供电子元器件回收，欢迎新老客户来电！无锡库存电子元器件回收处理
为了提高电子产品的可靠性，合理的热设计是必不可少的。在合理的热设计中，除散热结构设计外，选用耐热性能良好的电子元器件也是十分关键的。电子元器件的耐热性能包括耐工作温度和耐焊接温度两个方面。①温度对真空元器件的影响。过高的温度对真空元器件玻璃壳和内部结构均有不良的影响。温度过高会使玻璃壳因热应力而损坏，同时也能使管内的气体电离，电离后的离子将轰击阴极，破坏其镀层，导致发射率下降，加速老化，缩短其工作寿命。因此，真空元器件的玻璃壳温度不得超过150～200℃。②温度对功率器件的影响。功率器件的结温是由功率器件的耗散功率、环境温度及散热情况决定的，而功率器件结温对其工作参数及可靠性有很大的影响：●功率器件的电流放大倍数随结温的升高而增大，这将引起工作点的漂移，增益不稳定，可能造成多级放大器自激或振荡器频率不稳定等不良后果。●当功率器件的结温升高时，会使穿透电流和电流放大倍数迅速增加，集电极电流的增大促使结温进一步升高，而结温升高又使电流进一步增大，终导致元器件被“热击穿”。为了防止热击穿，功率器件的结温不宜过高。③温度对电阻的影响。温度的升高会导致电阻的使用功率下降。如RTX型碳膜电阻。黑龙江废弃电子元器件回收价格上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司，有想法可以来我司咨询！
Track/Hold缩写T/H）：原则上直流和变化非常缓慢的信号可不用采样保持，其他情况都应加采样保持。13)满幅度输出(Rail-toRail)新近业界出现的新概念，先应用于运算放大器领域，指输出电压的幅度可达输入电压范围。在D/A中一般是指输出信号范围可达到电源电压范围。14)品牌：优先选择ADI，TI,LT和MAXICM几个大公司的产品。各类元器件选型过程中，除应考虑上述的原则外，还应根据不同类别元器件的参数和特点，进行细致考虑。处理器选型要求：1)归一化原则，尽量采用本公司正在使用或者使用过的型号或者系列。2)应用领域尽量选用工业领域和商业领域常使用的型号，注意该领域的芯片使用温度范围，温度等级。3)自带资源确认芯片自带资源是否满足要求,包括：Ø主频Ø内存：RAM,ROMØ外设资源Ø是否支持在线仿真Ø支持的OS类型4)可扩展资源是否支持扩展RAM，ROM等。5)功耗确认芯片各种工作状态下消耗的电流，为芯片的电源设计提供依据。6)封装PCB面积许可的情况下，优先选择QFP、SOP封装，尽量少用QFN和BGA封装。7)芯片的可延续性及技术的可继承性目前，产品更新换代的速度很快，所以在选型时要考虑芯片的可升级性，推荐大公司的同一系列产品。
例如晶体管、电子管、集成电路。因为它自己能发生电子，对电压、电流有控造、变更感化(放大、开关、整流、检波、振荡和调造等)，所以又称有源器件。按分类尺度，电子器件可分为12个大类，可归纳为实空电子器件和半导体器件两大块。月日起，泽裕纸业，废纸价格下调元。稳压值。检测办法电子元器件的检测是家电维修的一项根本功，安防行业很多工程维护维修技术也实际是来自于家电的维护维修技术，或是借鉴或同量。如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的能否一般，不是一件陈旧见解的事，必需根据差别的元器件接纳差别的办法，从而判断元器件的一般取否。出格对初学者来说，纯熟掌握常用元器件的检测办法和经历很有须要，以下对常用电子元器件的检测经历和办法停止引见供对考。在此基础上，提出未来五年总体发展目标是既大又强世界，成为世界市场的者。电阻器1固定电阻器的检测。A将两表笔(不分正负)别离取电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了进步丈量精度，应根据被测电阻标称值的大小来选择量程由于欧姆挡刻度的非线性关系，它的中间一段分度较为精细，因而应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20%~80%弧度范畴内，以使丈量更准确。上海海谷电子有限公司致力于提供电子元器件回收，有想法的不要错过哦！
正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。电子元器件回收，请选择上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎新老客户来电！杭州库存电子元器件回收行情
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B）测量正、反向电阻来判断其好坏具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R×1k挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为5K～55K，反向电阻为无穷大。7、变容二极管的检测将万用表置于R×10k挡，无论红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测判别的。必要时，可用替换法进行检查判断。8、单色发光二极管的检测在万用表外部附接一节15V干电池，将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给万用表串接上了15V电压，使检测电压增加至3V（发光二极管的开启电压为2V）。检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正极，红表笔所接的为负极。9、红外发光二极管的检测A）判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚，通常长引脚为正极，短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状，所以管壳内的电极清晰可见，内部电极较宽较大的一个为负极。无锡库存电子元器件回收处理
