该减法器电路包括一输入端耦合到该比较器的一输出端，以及另一输入端耦合到一参考电压，其中因应于该参考电压和该减法器电路的一输出端的一电压之间的一差值的存在，该比较器的该另一输入端从耦合一预设电压改为耦合到一经学习电压。在一些实施例中，该参考电压反映一参考分类，该参考分类通过人工比较该预设电压和该实际电压来获取。在一些实施例中，该集成电路元件还包括一分压器以及一加法器电路。该分压器经配置以接收该减法器电路的该输出端的该电压。该加法器电路包括一输入端耦合到该分压器的一输出端，以及另一输入端耦合到一预设权重。在一些实施例中，该集成电路元件还包括一反相器以及一乘法器电路。该反相器包括一输入端耦合到该加法器电路的一输出端。该乘法器电路包括一输入端耦合到该反相器的该输出端，以及另一输入端耦合到该预设电压。本公开还提供一种电路。该电路包括一驱动器以及一机器学习电路。该驱动器经配置以驱动一信号。该机器学习电路包括一比较器。该比较器包括一输入端，其中该输入端因应于一不成熟分类和一参考分类之间的一差异而耦合到一经学习电压，其中该机器学习电路经配置以基于该经学习电压来调整该信号的一回转率。在一些实施例中。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，欢迎新老客户来电！天津三极管回收
位线解码器116被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr1选择性地向一条或多条位线bl1至bl2提供信号(例如，电压)。而字线解码器118被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr2选择性地向一条或多条字线wl1至wl2提供信号(例如，电压)。调节访问装置108被配置为调节电流(提供给相关的工作mtj器件106的信号)，并且由此选择性地对相关的工作mtj器件106提供访问。例如，在写入操作期间，存储器阵列102内的调节访问装置108可以对选择的存储单元内的工作mtj器件提供大于或等于小切换电流(即，足以使存储单元的数据状态改变的电流)电流，而对未选择的存储单元内的工作mtj器件提供小于小切换电流的电流。使用调节访问装置108来选择性地对工作mtj器件106提供访问提供了没有驱动晶体管的存储单元。没有驱动晶体管的存储单元允许存储器阵列102的尺寸减小，从而改进存储器电路100的性能并且减小成本。图2示出了具有调节访问装置的存储器电路200的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节mtj器件。存储器电路200包括存储器阵列102，存储器阵列102具有以行和列布置的多个存储单元202a,1至202c,3(例如，mram单元)。多个存储单元202a。湖南电子元件回收平台上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，有想法的可以来电咨询！
所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的示例实施例。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。图2是根据示例实施例的集成电路的截面图。图3是根据示例实施例的集成电路的图。图4a至图4i是用于描述根据示例实施例的用于制造集成电路的图案化工艺的示图。图5至图10是根据示例实施例的应用于集成电路的单元线路结构的示例实施例的示图。图11是示出示例标准单元的布图的示图。图12a、图12b和图12c是图11的标准单元的截面图。图13是示出根据示例实施例的设计集成电路的方法的示图。图14是示出根据示例实施例的集成电路的设计系统的框图。图15是示出图14的设计系统的示例操作的流程图。图16是示出根据示例实施例的集成电路的布图的示图。图17是示出根据示例实施例的移动装置的框图。具体实施方式在下文中将参照示出一些示例实施例的附图更地描述各种示例实施例。在附图中。
图4a示出了对应于图2的存储器阵列102的集成芯片400的一些实施例的截面图。集成芯片400包括布置在衬底402上方的介电结构404。介电结构404围绕存储单元202a,1和第二存储单元202b,1，第二存储单元202b,1邻近于存储单元202a,1横向定位。介电结构404还围绕多个导电互连层406a至406c。在一些实施例中，介电结构404可以包括多个堆叠的ild层。在各个实施例中，多个堆叠的ild层可以包括氧化硅、氟掺杂的氧化硅、碳掺杂的氧化硅等的一种或多种。在各个实施例中，多个导电互连层406a至406c可以包括铜、铝、钨、碳纳米管等。存储单元202a,1和第二存储单元202b,1分别包括调节访问装置108和工作mtj器件106。调节访问装置108连接至限定多条字线wl1至wl4的互连层406a。多条字线wl1至wl4中的两个连接至图2的存储器阵列102的一行内的相应存储单元。例如，字线wl1至wl2可以连接至行中的存储单元202a,1，并且字线wl3至wl4可以连接至第二行中的第二存储单元202b,1。在一些实施例中，多条字线wl1至wl4可以与衬底402分隔开非零距离d。第二互连层406b布置在调节访问装置108和工作mtj器件106之间。工作mtj器件106进一步连接至限定位线bl1的第三互连层406c。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，欢迎您的来电哦！
2v)和第四非零偏置电压v4(例如，4v)之间的差异使得第二电流i2流过第二存储单元202a,2内的调节mtj器件。然而，第二电流i2的两倍小于切换电流isw，因此没有将数据状态写入至第二存储单元202a,2内的工作mtj器件。类似地，连接至字线wl3和wl4的工作mtj器件也不受写入操作的步骤的影响。如图3b的示意图302所示，通过将第二数据状态写入存储器阵列102的行301中的第二存储单元202a,2内的工作mtj器件来实施写入操作的第二步骤。通过将非零偏置电压v1(例如，6v)施加至字线wl1和wl2，将第二非零偏置电压v2(例如，2v)施加至位线bl1和bl3并且将第三偏置电压v3(例如，0v)施加至位线bl2来实施写入操作的第二步骤。非零偏置电压v1(例如，6v)和第三偏置电压v3(例如，0v)之间的差异使得电流i1流过第二存储单元202a,2内的调节mtj器件。电流i1小于切换电流isw，使得第二存储单元202a,2内的调节mtj器件的状态不变。然而，电流i1(其流过第二存储单元202a,2内的工作mtj器件)的两倍大于切换电流isw，以将第二数据状态写入第二存储单元202a,2内的工作mtj器件。存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件不受写入操作的第二步骤的影响，因为非零偏置电压v1(例如，6v)和第二非零偏置电压v2。上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，有需要可以联系我司哦！浙江集成电路回收中心
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减法器604经配置以通过从第二电压v2减去电压v1来提供实际电压vout。因此，实际电压vout与电压v1和第二电压v2相关联。图11是根据本公开的一些实施例的图9的分类器电路80的电路图。参考图11，分类器电路80包括一比较器800、一减法器电路802、一分压器804、一加法器电路806、一反相器810、一暂存器812、一乘法器814和一暂存器816。在图11中，符号(i)表示当前的特性；符号(i+1)表示下一次的特性。比较器800具有耦合到实际电压vout(i)的一输入端、耦合到式子(w(i)*vt)表示的电压的另一输入端，以及耦合到一节点n0的一输出端，其中在式子中的w(i)表示神经网络32的权重，以及vt表示预设电压。权重w(i)初是1，并且被称为一预设权重。因此，比较器800的另一输入端初耦合到预设电压vt。比较器800经配置以通过将预设电压vt与实际电压vout进行比较来产生关于不成熟分类的信息。减法器电路802具有耦合到比较器800的一输出端的一输入端和耦合到一参考电压vc(i)的另一输入端，从而从电压v1(i)中减去参考电压vc(i)。因此，减法器电路802向分压器804提供一电压(v1(i)-vc(i))。因此，分压器804提供电压η(v1-vc)，其中η表示学习速率，以及η的范围从大约0到大约1。天津三极管回收
