ge)等的半导体或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半导体。在一些示例实施例中，基底110可以具有绝缘体上硅(soi)结构。基底110可以包括导电区域，例如，掺杂杂质的阱或掺杂杂质的结构。标准单元可以包括器件区rx1、第二器件区rx2以及使器件区rx1和第二器件区rx2沿第二方向y分离的有源切口区acr。器件区rx1和第二器件区rx2中的每个可以包括从基底110沿第三方向z突出的多个鳍型有源区ac(参见图12c)。多个有源区ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔离层112可以沿着第二方向y在基底110上位于多个有源区ac之间。多个有源区ac以鳍的形式沿着第三方向z从器件隔离层112突出。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以在与多个有源区ac交叉的第二方向y上延伸。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以覆盖每个有源区ac的上表面和侧壁以及器件隔离层112的上表面。多个金属氧化物半导体(mos)晶体管可以沿着多条栅极线pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶体管可以具有在有源区ac的上表面和两个侧壁中形成沟道的三维结构。图11提供了图例：“pc”表示栅极线，“ca”表示接触件。上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，欢迎您的来电！黑龙江电子元件物料回收服务
本发明涉及不具有驱动晶体管(即，存取晶体管)的存储单元(例如，mram单元)。而且，存储单元包括调节访问装置，该调节访问装置具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中，本发明涉及集成芯片。集成芯片包括连接至位线的工作磁隧道结(mtj)器件，工作mtj器件被配置为存储数据状态；以及连接在工作mtj器件和字线之间的调节访问装置，调节访问装置包括被配置为控制提供给工作mtj器件的电流的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中，一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、介电阻挡层和通过介电阻挡层与固定层分隔开的自由层。在一些实施例中，调节访问装置还包括连接在第二字线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线和第二字线连接至字线解码器。在一些实施例中，调节mtj器件具有比第二调节mtj器件更大的尺寸。在一些实施例中，调节访问装置还包括连接在第二位线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线连接至字线解码器，并且位线和第二位线连接至位线解码器。在一些实施例中，工作mtj器件不位于存取晶体管器件正上方。在一些实施例中，集成芯片还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线。在一些实施例中。黑龙江电子元件物料回收服务上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收。
可以通过执行标准单元sc1至sc12的上述布局和布线来确定集成电路300的布图。可以通过电力轨311至316向标准单元sc1至sc12提供电力。电力轨311至316可以包括用于提供电源电压vdd的高电力轨311、313和315，以及用于提供比电源电压vdd低的第二电源电压vss的低电力轨312、314和316。例如，电源电压vdd可以具有正电压电平，第二电源电压vss可以具有地电平(例如，0v)或负电压电平。高电力轨311、313和315以及低电力轨312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成与由布置在第二方向y上的电力轨311至316定义的区域对应的多个电路行cr1至cr5的边界。根据一些示例实施例，可以通过在第二方向y上延伸的电力网线路321至324将电力分配到电力轨311至316。一些电力网线路322和324可以提供电源电压vdd，并且其他电力网线路321和323可以提供第二电源电压vss。电力网线路321至324可以通过竖直接触件vc(诸如，通孔接触件)连接到电力轨311至316。通常，电路行cr1至cr5中的每个可以连接到位于其边界的两个相邻的电力轨以便被供电。例如，电路行cr1中的标准单元sc1和sc2可以连接到包括高电力轨311和低电力轨312的相邻的且相应的电力轨对。根据示例实施例，如图16中所示。
同样的附图标记始终表示同样的元件。可以省略重复的描述。在下文中，在三维空间中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根据示例实施例的集成电路的结构。方向x可以是行方向，第二方向y可以是列方向，第三方向z可以是竖直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉，例如，可以彼此正交或垂直。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。参照图1，在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线，其中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在栅极层上方的导电层中形成多条金属线，其中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上(s200)。根据示例实施例，可以通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成多条金属线。sadp和saqp是制造技术。此外，根据示例实施例，可以通过单图案化(即，直接图案化)、sadp或saqp形成多条栅极线。单图案化也是制造技术。下面将参照图4a至图4i描述单图案化、sadp和saqp。在一些实施例中，单元线路结构对应于未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。在一些示例实施例中。上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，有需求可以来电咨询！
所述多条金属线之中的在方向上顺序地相邻的每三条金属线之间的两个金属节距彼此不同。在所述方法的一些实施例中，所述多条金属线通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成。还在所述方法的一些实施例中，单元线路结构是未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。此外，提供一种设计集成电路的方法，所述方法包括：接收定义集成电路的输入数据；设置包括多个标准单元的标准单元库；基于输入数据和标准单元库执行布局和布线；以及基于布局和布线的结果生成定义集成电路的输出数据，其中，所述集成电路包括：半导体基底，多条栅极线，形成在半导体基底上方的栅极层中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多条金属线，形成在栅极层上方的导电层中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些实施例中，所述多条金属线中的6n条金属线和所述多条栅极线中的4n条栅极线形成单元线路结构，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例，一种集成电路包括：半导体基底、多条栅极线和多条金属线。所述多条栅极线形成在半导体基底上方的栅极层中，其中。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司，有想法的可以来电咨询！海南电子料回收量大从优
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每个单元线路结构的八条栅极线通过自对准双倍图案化(sadp)形成，并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成交替地具有栅极节距和第二栅极节距。在又一实施例中，每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线，每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。在这个实施例中，每个单元线路结构的八条栅极线通过saqp形成，并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成顺序地且重复地具有栅极节距、第二栅极节距、栅极节距和第三栅极节距。还提供一种制造集成电路的方法。所述方法包括：在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在栅极层上方的导电层中形成多条金属线，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得包括在所述多条金属线中的6n条金属线和包括在所述多条栅极线中的4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。在所述方法的一些实施例中。黑龙江电子元件物料回收服务
