图8的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于图6的迭代流程的图5的一预测阶段。图9是根据本公开的一些实施例的图3的机器学习电路的电路图。图10是根据本公开的一些实施例的图9的测量电路的电路图。图11是根据本公开的一些实施例的图9的分类器电路的电路图。图12的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9的分类器电路在图5的训练阶段的示例性操作。图13是根据本公开的一些实施例的信号的回转率的调整方法的流程图。符号说明10集成电路元件12使用者应用端30电路32神经网络34输入36经加权值38结果值40集成电路元件42机器学习电路44使用者界面46互连电路60测量电路70数据库80分类器电路90调整方法92操作94操作96操作98操作102驱动器电路104回转率控制电路120示波器122电压波形124使用者界面200操作202操作204操作206操作208操作310程序312训练阶段314推理/分类阶段316预测阶段500操作502操作504操作600取样保持电路602取样保持电路604减法器800比较器802减法器电路804分压器806加法器电路810反相器812暂存器814乘法器816暂存器din信号dout信号vout实际电压clk时钟信号vl电压v1电压n0节点具体实施方式以下详细讨论本公开的实施方案。然而，应该理解的是。上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，欢迎您的来电！中国台湾库存电子料回收联系方式
可以在多个mtj器件106、204和206上方沉积第二ild层1102，并且然后选择性地图案化第二ild层1102以限定顶电极通孔开口。然后通过沉积工艺在顶电极通孔开口内形成多个顶电极通孔410。在各个实施例中，第二ild层1102可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在各个实施例中，多个顶电极通孔410可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个mtj器件106、204和206上方的第三ild层1104内形成第二互连层406b。在一些实施例中，第二互连层406b包括限定存储单元202a,1的位线bl1和一条或多条字线wl1至wl2的多个互连结构。在一些实施例中，第三ild层1104可以包括通过一个或多个沉积工艺(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的电介质(例如，氧化物、低k电介质或k电介质)。可以通过选择性地蚀刻第三ild层1104以在第三ild层1104内形成开口来形成第二互连层406b。然后在开口内沉积导电材料(例如，铜和/或铝)，以及随后的平坦化工艺(例如，化学机械平坦化工艺)以形成第二互连层406b。如图12的截面图1200所示，可以在存储单元202a,1上方形成第二存储单元202b,1。第二存储单元202b。四川电容电阻回收平台上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，欢迎您的来电！
根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构uws1至uws6来提高集成电路的设计效率和性能。在下文中，参照可以支持根据示例实施例的集成电路的布图的理解的图11、图12a、图12b和图12c描述标准单元的示例结构。图11实质上是示意的，图11中未示出上述实施例的所有特征。图2示出在一些实施例中金属线“ml”相对于栅极线“gl”以6比4的比率出现。图5和图7示出单个单元线路结构(uws)中存在六条金属线和四条栅极线的实施例。图8示出在具有八条栅极线(“gl”)的单个单元线路结构(uws)中存在十二条金属线(“ml”)的实施例。图11是示出示例标准单元的布图的示图，图12a、12b和12c是图11的标准单元的截面图。图12a、12b和12c示出包括鳍式场效应晶体管(finfet)的标准单元scl的一部分。图12a是图11的标准单元scl沿线a-a'的截面图。图12b是图11的标准单元scl沿b-b'线的截面图。图12c是图11的标准单元scl沿线c-c'的截面图。参照图11、图12a、图12b和图12c，标准单元可以形成在具有上表面110a的基底110上，该上表面110a在水平方向(例如，方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例实施例中，基底110可以包括例如硅(si)、锗。
多个mtj器件106、204和206分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层112与自由层114分隔开的固定层110。在一些实施例中，固定层110可以形成为接触底电极通孔408。在其它实施例中，自由层114可以形成为接触底电极通孔408。多个mtj器件106、204和206中的一个包括被配置为存储数据状态的工作mtj器件106。多个mtj器件106、204和206中的一个或多个包括设置在调节访问装置108内的调节mtj器件204和206，调节访问装置108被配置为控制(即，调节)提供给相关的工作mtj器件106的电流。在一些实施例中，可以同时形成多个mtj器件106、204和206。例如，在一些实施例中，可以通过在介电层1002和多个底电极通孔408上方沉积磁固定膜，在磁固定膜上方形成介电阻挡膜，并且在介电阻挡膜上方形成磁自由膜来形成多个mtj器件106、204和206。可以对磁固定膜、介电阻挡层和磁自由膜实施一个或多个图案化工艺以限定多个mtj器件106、204和206。在其它实施例中，可以在不同时间形成多个mtj器件106、204和206。如图11的截面图1100所示，在多个mtj器件106、204和206上方形成多个顶电极通孔410。多个顶电极通孔410由第二ild层1102围绕。在一些实施例中。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司，有需求可以来电咨询！
每个单元线路结构的八条栅极线通过自对准双倍图案化(sadp)形成，并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成交替地具有栅极节距和第二栅极节距。在又一实施例中，每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线，每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。在这个实施例中，每个单元线路结构的八条栅极线通过saqp形成，并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成顺序地且重复地具有栅极节距、第二栅极节距、栅极节距和第三栅极节距。还提供一种制造集成电路的方法。所述方法包括：在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在栅极层上方的导电层中形成多条金属线，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得包括在所述多条金属线中的6n条金属线和包括在所述多条栅极线中的4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。在所述方法的一些实施例中。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司，有想法可以来我司咨询！中国台湾库存电子料回收量大从优
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所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸。所述多条金属线形成在栅极层上方的导电层中，其中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸。6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例，一种制造集成电路的方法，所述方法包括：在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在栅极层上方的导电层中形成多条金属线，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例，一种设计集成电路的方法包括：接收定义集成电路的输入数据；设置包括多个标准单元的标准单元库；基于输入数据和标准单元库执行布局和布线；以及基于布局和布线的结果生成定义集成电路的输出数据。所述集成电路包括：半导体基底，多条栅极线，形成在半导体基底上方的栅极层中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多条金属线，形成在栅极层上方的导电层中。中国台湾库存电子料回收联系方式
