实验表明，采用无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的SiC陶瓷具有各异的性能特点。如就烧结密度和抗弯强度来说，热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较多，反应烧结SiC相对较低。另一方面，SiC陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反应烧结SiC陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力，但反应烧结SiC陶瓷对HF等较强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看，当温度低于900℃时，几乎所有SiC陶瓷强度均有所提高；当温度超过1400℃时，反应烧结SiC陶瓷抗弯强度急剧下降。（这是由于烧结体中含有一定量的游离Si，当超过一定温度抗弯强度急剧下降所致）对于无压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷，其耐高温性能主要受添加剂种类的影响。碳化硅陶瓷还可以与其他材料颗粒复合组成碳化硅复合材料等等。山东常压烧结碳化硅陶瓷
碳化硅(SiC) [1] 是共价键很强的化合物，其Si--C键的离子型只12%左右，因此，它也具有优良的力学性能、优良的抗氧化性、高的抗磨损性以及低的摩擦系数等。碳化硅的较大特点是高温强度高，普通陶瓷材料在1200 ~ 1400摄氏度时强度将明显降低，而碳化硅在1400摄氏度时抗弯强度仍保持在500 ~600MPa的较高水平，因此其工作温度可达1600 ~ 1700摄氏度。再加上碳化硅陶瓷的热传导能力也较高，在陶瓷中只次于氧化铍陶瓷，因此碳化硅已经普遍应用于高温轴承、防弹板、喷嘴、高温耐蚀部件以及高温和高频范围的电子设备零部件等领域。山西长方形SiC陶瓷Al2O3是热等静压烧结SiC陶瓷的有效添加剂。
碳化硅主要有两种晶体结构，即立方晶系的β- SiC和六方晶系的- SiC。碳化硅晶体的基本结构单元是相互穿插的SiC和CSi四面体。四面体共边形成平面层，并以顶点与下一叠层四面体相连形成三维结构。由于四面体堆积次序的不同可以形成不同的结构，已发现数百种变体。一般采用字母C(立方)、H(六方)、R(菱方)米表示其晶格类型，并用单位晶胞中所含的层数以示区别，例如nH表示沿c轴有n层重复周期的六方晶系结构，而mR则表示沿c轴有m层重复周期的菱面体结构，因此，玻璃相的特性对烧结所得微观结构影响很大。
先进陶瓷成型方法种类繁多，除了传统的干压成型、注浆成型之外，根据陶瓷粉体的特性和产品的制备要求，发展出多种成型方法。总的来说可以归纳为4类：干法压制成型、塑性成型、浆料成型和固体无模成型，其中每一类成形又可细分为不同成形方法。干法压制成型：干压成型、冷等静压成型；塑性成型：挤压成型、注射成型、热蜡铸成型、扎膜成型；浆料成型：注浆成型、流延成型、凝胶注模成型和原位凝固成型；固体无模成型：熔融沉积成型、三维打印成型、分层实体成型、立体光刻成型和激光选取烧结成型。液相法主要包括以下几种：溶胶—凝胶法、聚合物热分解法和溶剂热法。
碳化硅陶瓷的几个主要应用领域及用途：1、能源环保，将煤气在高温下直接净化，可充分利 Hexolov热交换器用煤气的显热，比之常温净化可较大程度上提高热效率，将高温净化后的煤气直接用于燃气轮机发电，可以较大程度上提高供电效率，减低有害物的排量，节约用水。现代燃煤发电系统中燃气轮机设备的使用与环境保护的标准都要求实现高温燃气直接除尘。2、发热元件，碳化硅重要的导电特性使得其是制造lOOO℃以上加热炉发热元件的较主要材料，碳化硅发热元件是碳化硅材料的较主要产品，具有极大的市场。各种加熟装置，在材料烧结、熔化、热处理，以及玻璃行业，燃气间接加热是一种重要方式。吉林SiC陶瓷公司
碳化硅陶瓷散热片凭借更加轻薄的特性，已经成为不少电子的首要选择。山东常压烧结碳化硅陶瓷
何为反应烧结碳化硅材料怎样制成？接下来做一下简单介绍。在碳化硅中加入金属硅粉和碳（石墨、碳黑等），在1450℃埋碳烧成，使硅粉与碳反应生成低温型β－ SiC ，将原碳化硅颗粒结合起来。另一种方法：由碳与金属硅直接反应生成碳化硅制品，即用碳或碳与碳化硅成型，埋硅烧成。两方法均可制成性能良好的碳化硅制品。由于制品中一般含有游离硅8％～15％及少量游离碳，使其使用温度低于1400℃以下。其导热系数、耐冲击性良好，但强度、硬度、耐腐蚀性差。反应烧结碳化硅制品在烧结前后尺寸几乎不变。山东常压烧结碳化硅陶瓷
