碳化硅陶瓷的用途：化工、冶金，碳化硅材料对铁水、熔渣和碱金属的侵蚀有高的抗力及高导热和耐磨损的特性，70年代至90年代初期，全世界已有65%以上的大型高炉采用了氮化硅结台碳化硅材料作为炉身材料，使高炉寿命延长了20%—40%。在冶炼金属铝、铜和锌时，也大量的采用了各种碳化硅材料作为炉衬或坩埚。在化工、冶金工业中，为了充分利用各种热炉废气中的热量，经常使用陶瓷热交换器预热各种气体或液体。同时由于48碳化硅部件优异的抗熟冲击性能，烧成升温速度可以加快。一般人们所见的碳化硅多为黑色，像是碳化硅各种喷嘴等。上海SiC陶瓷结构
进入21世纪，功能陶瓷的研究也得到了国家和各科研院所的高度重视。从1995—2015年我国先进陶瓷产值及预测（图1）可以看出，我国先进陶瓷产业进入了快速发展期，预计到2015年产值可达到450亿元。精密小尺寸产品、大尺寸陶瓷器件的成型、烧结技术、低成本规模化制备技术，陶瓷加工系统等领域不断打破国外垄断和技术封锁。例如凝胶注模工艺生产的大尺寸熔融石英陶瓷方坩埚打破了美国赛瑞丹、日本东芝和法国维苏威3大公司的技术垄断，在2007年率先实现国产化，通过近5年的不断发展，已经形成110～1100mm系列产品，产能居于全球第1位。吉林耐磨SiC陶瓷根据烧结机理的不同，无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。
高温碳化硅陶瓷基复合材料在官方工业中的应用航工业集团于2009年与西北工业大学合作建设航陶瓷基复合材料工程技术公司，这意味着历时十年自主研发的高温复合材料即将进入产业化阶段。这是新型航空材料国大飞机项目的关键技术之一。 这种新型复合材料将用于制造飞机发动机的关键部件，并有望“武装”C919国产大飞机。航空材料和发动机、机载设备并称为大飞机项目三大关键性技术。我国自主研发的高温复合材料技术获得突破，使我国一跃成为继法国和美国之后，整体掌握碳化硅陶瓷基复合材料技术的第三个国家。
随着现代高新技术的发展，先进陶瓷已逐步成为新材料的重要组成部分，成为许多高技术领域发展的重要关键材料，备受各工业发达国家的极大关注，其发展在很大程度上也影响着其他工业的发展和进步。由于先进陶瓷特定的精细结构和其强度、高硬、耐磨、耐腐蚀、耐高温、导电、绝缘、磁性、透光、半导体以及压电、铁电、声光、超导、生物相容等一系列优良性能，被普遍应用于**、化工、冶金、电子、机械、航空、航天、生物医学等国民经济的各个领域。先进陶瓷的发展是国民经济新的增长点，其研究、应用、开发状况是体现一个国家国民经济综合实力的重要标志之一。碳化硅发热元件是碳化硅材料的较主要产品，具有极大的市场。
热压烧结（HP），对共价键难烧材料如Si3N4、BN、二硼化锆（ZrB2）需要在加热过程中给予外加机械力，使其达到致密化，此种烧结方式为热压烧结，分为单向加压和双向加压。热压烧结的特点是可以低于常压烧结温度100～200℃的条件下接近理论密度，同时提高制品的性能如透明性、电导率及可靠性。热压烧结目前在国内AlON、YAG等透明陶瓷、BN可切削陶瓷达到或接近国际水平。但是热压烧结通常只能制造形状单一产品，并且会加大后期的加工成本，因此该烧结方式制造成本较高。碳化硅陶瓷散热片凭借更加轻薄的特性，已经成为不少电子的首要选择。常压烧结SiC陶瓷公司
反应烧结SiC通常含有8％的游离Si。上海SiC陶瓷结构
然而，日本研究人员却认为SiC的致密并不存在热力学方面的限制。还有学者认为，SiC的致密化机理可能是液相烧结，他们发现：在同时添加B和C的β-SiC烧结体中，有富B的液相存在于晶界处。关于无压烧结机理，目前尚无定论。以α-SiC为原料，同时添加B和C，也同样可实现SiC的致密烧结。研究表明：单独使用B和C作添加剂，无助于SiC陶瓷充分致密。只有同时添加B和C时，才能实现SiC陶瓷的高密度化。为了SiC的致密烧结，SiC粉料的比表面积应在10m2/g以上，且氧含量尽可能低。B的添加量在0.5%左右，C的添加量取决于SiC原料中氧含量高低，通常C的添加量与SiC粉料中的氧含量成正比。上海SiC陶瓷结构
