1974年美国GE公司通过在高纯度β－SiC细粉中同时加入少量的B和C，采用无压烧结工艺，于2020℃成功地获得高密度SiC陶瓷。目前，该工艺已成为制备SiC陶瓷的主要方法。美国GE公司研究者认为：晶界能与表面能之比小于1．732是致密化的热力学条件，当同时添加B和C后，B固溶到SiC中，使晶界能降低，C把SiC粒子表面的SiO2还原除去，提高表面能，因此B和C的添加为SiC的致密化创造了热力学方面的有利条件。然而，日本研究人员却认为SiC的致密并不存在热力学方面的限制。还有学者认为，SiC的致密化机理可能是液相烧结，他们发现：在同时添加B和C的β－SiC烧结体中，有富B的液相存在于晶界处。关于无压烧结机理，目前尚无定论。SiC是共价键很强的化合物，SiC中Si-C键的离子性只12%左右。广西碳化硅陶瓷出厂价
碳化硅主要有两种晶体结构，即立方晶系的β- SiC和六方晶系的- SiC。碳化硅晶体的基本结构单元是相互穿插的SiC和CSi四面体。四面体共边形成平面层，并以顶点与下一叠层四面体相连形成三维结构。由于四面体堆积次序的不同可以形成不同的结构，已发现数百种变体。一般采用字母C(立方)、H(六方)、R(菱方)米表示其晶格类型，并用单位晶胞中所含的层数以示区别，例如nH表示沿c轴有n层重复周期的六方晶系结构，而mR则表示沿c轴有m层重复周期的菱面体结构，因此，玻璃相的特性对烧结所得微观结构影响很大。海南SiC陶瓷厂家直销碳化硅陶瓷在原材料属于环保型的，不会对周边的环境造成任何的污染。
碳化硅陶瓷产品的特点：1、碳化硅陶瓷具有较高的散热能力，其高热导的系数也比较良好，同时还具备了较高的绝缘性能；2、碳化硅陶瓷同时还具备了在两种不同的环境中使用的性能，比如抗腐蚀的环境，或者是耐高温的工作环境等；3、由于碳化硅陶瓷在重量上属于轻便型的，所以其表面的面积较高；4、对碳化硅陶瓷进行安装的时候比较容易简单，不存在任何长期保存和质量方面的问题；5、碳化硅陶瓷在原材料属于环保型的，不管是使用或者是制造都不会对周边的环境造成任何的污染。
何为反应烧结碳化硅材料怎样制成？接下来做一下简单介绍。在碳化硅中加入金属硅粉和碳（石墨、碳黑等），在1450℃埋碳烧成，使硅粉与碳反应生成低温型β－ SiC ，将原碳化硅颗粒结合起来。另一种方法：由碳与金属硅直接反应生成碳化硅制品，即用碳或碳与碳化硅成型，埋硅烧成。两方法均可制成性能良好的碳化硅制品。由于制品中一般含有游离硅8％～15％及少量游离碳，使其使用温度低于1400℃以下。其导热系数、耐冲击性良好，但强度、硬度、耐腐蚀性差。反应烧结碳化硅制品在烧结前后尺寸几乎不变。纯SiC不会被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等碱溶液侵蚀。
SiC结法较早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为：先将α-SiC粉和石墨粉按比例混匀，经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触，坯体中的C与渗入的Si反应，生成β-SiC，并与α-SiC相结合，过量的Si填充于气孔，从而得到无孔致密的反应烧结体。反应烧结SiC通常含有8%的游离Si。因此，为保证渗Si的完全，素坯应具有足够的孔隙度。一般通过调整较初混合料中α-SiC和C的含量，α-SiC的粒度级配，C的形状和粒度以及成型压力等手段来获得适当的素坯密度。在空气中加热时易发生氧化，但氧化时表面形成的SiO2会阻止氧的进一步扩散，故氧化速率并不高。海南SiC陶瓷厂家直销
碳化硅陶瓷常被应用于汽车行业。广西碳化硅陶瓷出厂价
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